Продукція > RGS

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RGS400EOhmiteRes Wirewound Rheostat 400 Ohm 10% 75W 1(Elec)/1(Mech)Turn 6.35mm (66.68 X 69.25 X 79.84mm) Solder Lug Panel Mount
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+18948.38 грн
5+17625.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGS400EOhmiteDescription: POT 400 OHM 75W WIREWOUND LINEAR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS40NL65DHRBTLRohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 42A 177W Automotive 3-Pin(2+Tab) LPDL
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+258.07 грн
58+248.24 грн
100+239.82 грн
250+224.24 грн
500+201.98 грн
1000+189.16 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS40NL65DHRBTLROHMDescription: ROHM - RGS40NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 42 A, 1.65 V, 177 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 177W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 42A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+157.86 грн
500+142.10 грн
1000+122.19 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS40NL65DHRBTLRohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 42A TO263L
Gate Charge: 28 nC
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 560µJ (on), 490µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/87ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-263L
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Reverse Recovery Time (trr): 93 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Power - Max: 177 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 42 A
Grade: Automotive
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+159.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS40NL65DHRBTLROHMDescription: ROHM - RGS40NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 42 A, 1.65 V, 177 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 177W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 42A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+315.72 грн
10+219.07 грн
100+157.86 грн
500+142.10 грн
1000+122.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS40NL65DHRBTLRohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 42A 177W Automotive 3-Pin(2+Tab) LPDL
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+509.12 грн
34+426.43 грн
50+402.81 грн
100+332.61 грн
500+262.62 грн
1000+206.55 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS40NL65DHRBTLROHM SemiconductorIGBTs 8us Short-Circuit Tolerance, 650V 20A, FRD Built-in, Automotive Field Stop Trench IGBT: RGS40NL65DHRB is a 8 s SCSOA guaranteed IGBT, suitable for general inverter for automotive and industrial use. This product complies AEC-Q101 qualification.
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+357.60 грн
10+252.46 грн
100+158.09 грн
500+153.26 грн
1000+130.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGS40NL65DHRBTLRohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 42A TO263L
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/87ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-263L
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Reverse Recovery Time (trr): 93 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Power - Max: 177 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 42 A
Grade: Automotive
Gate Charge: 28 nC
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 560µJ (on), 490µJ (off)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+308.32 грн
10+248.82 грн
25+235.01 грн
100+188.95 грн
250+178.42 грн
500+167.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS40NL65HRBTLRohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 42A TO263L
Qualification: AEC-Q101
Power - Max: 177 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 42 A
Grade: Automotive
Gate Charge: 28 nC
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 560µJ (on), 490µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/87ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-263L
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+239.98 грн
10+194.07 грн
25+183.50 грн
100+147.44 грн
250+139.39 грн
500+130.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS40NL65HRBTLRohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 42A 177W Automotive 3-Pin(2+Tab) LPDL
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+396.90 грн
43+333.11 грн
50+314.21 грн
100+252.87 грн
500+188.79 грн
1000+160.99 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS40NL65HRBTLROHM SemiconductorIGBTs 8us Short-Circuit Tolerance, 650V 20A, Automotive Field Stop Trench IGBT: RGS40NL65HRB is a 8 s SCSOA guaranteed IGBT, suitable for general inverter for automotive and industrial use. This product complies AEC-Q101 qualification.
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+318.94 грн
10+208.00 грн
100+128.40 грн
500+119.43 грн
1000+107.69 грн
2000+101.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS40NL65HRBTLROHMDescription: ROHM - RGS40NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 42 A, 1.65 V, 177 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 177W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 42A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+166.72 грн
500+144.34 грн
1000+119.43 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS40NL65HRBTLRohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 42A TO263L
Qualification: AEC-Q101
Power - Max: 177 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 42 A
Grade: Automotive
Gate Charge: 28 nC
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 560µJ (on), 490µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/87ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-263L
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS40NL65HRBTLROHMDescription: ROHM - RGS40NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 42 A, 1.65 V, 177 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 177W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 42A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+355.99 грн
10+235.18 грн
100+166.72 грн
500+144.34 грн
1000+119.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS40NL65HRBTLRohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 42A 177W Automotive 3-Pin(2+Tab) LPDL
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+201.96 грн
73+194.26 грн
100+187.68 грн
250+175.48 грн
500+158.06 грн
1000+148.03 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS4R0EOhmiteRheostats 75W 4 Ohms MODEL G RHEOSTAT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS500OhmiteRheostats 75watt 500ohm 900V Std Shaft
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGS500OhmiteDescription: POT 500 OHM 75W WIREWOUND LINEAR
Number of Turns: 1.0
Number of Gangs: 1
Rotation: 300°
Taper: Linear
Resistive Material: Wirewound
Actuator Diameter: 0.250" (6.35mm)
Built in Switch: None
Actuator Type: Flatted
Actuator Length: 0.875" (22.23mm)
Bushing Thread: 3/8-32
Termination Style: Solder Lug
Mounting Type: Panel Mount
Adjustment Type: User Defined
Tolerance: ±10%
Power (Watts): 75W
Resistance (Ohms): 500
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGS500EOhmiteRheostats 75watt 500ohm 900V Std Shaft
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+10338.89 грн
10+9171.04 грн
25+7964.46 грн
50+7818.80 грн
100+7224.42 грн
250+7223.73 грн
500+7223.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGS500EOhmiteDescription: POT 500 OHM 75W WIREWOUND LINEAR
Resistance (Ohms): 500
Packaging: Bulk
Power (Watts): 75W
Number of Turns: 1.0
Number of Gangs: 1
Rotation: 300°
Taper: Linear
Resistive Material: Wirewound
Actuator Diameter: 0.250" (6.35mm)
Built in Switch: None
Actuator Type: Flatted
Actuator Length: 0.875" (22.23mm)
Bushing Thread: 3/8-32
Termination Style: Solder Lug
Mounting Type: Panel Mount
Adjustment Type: User Defined
Tolerance: ±10%
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9896.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGS500EOhmiteRes Wirewound Rheostat 500 Ohm 10% 75W 1(Elec)/1(Mech)Turn 6.35mm (66.68 X 69.25 X 79.84mm) Solder Lug Panel Mount
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+18922.11 грн
5+17865.51 грн
10+16962.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGS500E 500 ОмOhmiteRheostats 75watt 500ohm 900V Std Shaft Резистори змінні та підлаштовні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50NL65DHRBTLROHMDescription: ROHM - RGS50NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 50 A, 1.65 V, 206 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 206W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+166.72 грн
500+152.57 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50NL65DHRBTLRohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 50A 206W Automotive 3-Pin(2+Tab) LPDL
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+361.04 грн
42+345.52 грн
50+332.36 грн
100+309.62 грн
250+277.98 грн
500+259.60 грн
1000+253.25 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50NL65DHRBTLRohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO263L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/91ns
Switching Energy: 810µJ (on), 650µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 31 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 206 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50NL65DHRBTLROHMDescription: ROHM - RGS50NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 50 A, 1.65 V, 206 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 206W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+345.52 грн
10+231.95 грн
100+166.72 грн
500+152.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50NL65DHRBTLRohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 50A 206W Automotive 3-Pin(2+Tab) LPDL
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+396.90 грн
43+336.66 грн
56+256.33 грн
100+246.04 грн
200+215.16 грн
500+181.24 грн
1000+176.18 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50NL65DHRBTLROHM SemiconductorIGBTs 8us Short-Circuit Tolerance, 650V 25A, FRD Built-in, Automotive Field Stop Trench IGBT: RGS50NL65DHRB is a 8 s SCSOA guaranteed IGBT, suitable for general inverter for automotive and industrial use. This product complies AEC-Q101 qualification.
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+432.50 грн
10+295.33 грн
25+222.29 грн
100+182.94 грн
250+163.61 грн
500+154.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50NL65DHRBTLRohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO263L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/91ns
Switching Energy: 810µJ (on), 650µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 31 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 206 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50NL65HRBTLRohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO263L
Qualification: AEC-Q101
Power - Max: 206 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Grade: Automotive
Gate Charge: 31 nC
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 810µJ (on), 650µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/91ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-263L
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+147.82 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50NL65HRBTLROHMDescription: ROHM - RGS50NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 50 A, 1.65 V, 206 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 206W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+139.33 грн
500+123.40 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50NL65HRBTLRohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 50A 206W Automotive 3-Pin(2+Tab) LPDL T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+248.39 грн
60+238.92 грн
100+230.82 грн
250+215.82 грн
500+194.40 грн
1000+182.06 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50NL65HRBTLROHM SemiconductorIGBTs 8us Short-Circuit Tolerance, 650V 25A, Automotive Field Stop Trench IGBT: RGS50NL65HRB is a 8 s SCSOA guaranteed IGBT, suitable for general inverter for automotive and industrial use. This product complies AEC-Q101 qualification.
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+364.04 грн
10+250.08 грн
25+187.77 грн
100+153.26 грн
250+136.69 грн
500+126.33 грн
1000+124.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50NL65HRBTLRohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO263L
Qualification: AEC-Q101
Power - Max: 206 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Grade: Automotive
Gate Charge: 31 nC
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 810µJ (on), 650µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/91ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-263L
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+279.59 грн
10+242.01 грн
25+228.76 грн
100+186.06 грн
250+176.52 грн
500+158.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50NL65HRBTLROHMDescription: ROHM - RGS50NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 50 A, 1.65 V, 206 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 206W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+294.78 грн
10+195.71 грн
100+139.33 грн
500+123.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50NL65HRBTLRohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 50A 206W Automotive 3-Pin(2+Tab) LPDL T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+459.51 грн
37+385.09 грн
50+363.82 грн
100+326.91 грн
500+246.80 грн
1000+202.50 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50ROhmiteDescription: POT 50 OHM 75W WIREWOUND LINEAR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50ROhmiteRes Wirewound Rheostat 50 Ohm 10% 75W 1(Elec)/1(Mech)Turn 6.35mm (66.68 X 69.25 X 79.84mm) Solder Lug Panel Mount
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+17467.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50ROhmiteRheostats 75watt 50ohm 900V Std Shaft
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50REOhmiteRheostats 75watt 50ohm 900V Std Shaft
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50REOhmiteDescription: POT 50 OHM 75W WIREWOUND LINEAR
Number of Turns: 1.0
Number of Gangs: 1
Rotation: 300°
Taper: Linear
Resistive Material: Wirewound
Actuator Diameter: 0.250" (6.35mm)
Built in Switch: None
Actuator Type: Flatted
Actuator Length: 0.875" (22.23mm)
Bushing Thread: 3/8-32
Termination Style: Solder Lug
Mounting Type: Panel Mount
Adjustment Type: User Defined
Tolerance: ±10%
Power (Watts): 75W
Resistance (Ohms): 50
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50TSX2DGC11Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+678.04 грн
29+494.94 грн
50+438.24 грн
100+397.53 грн
200+346.99 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50TSX2DGC11ROHM SemiconductorIGBTs 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 25A, FRD Built-in, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+638.68 грн
10+364.40 грн
100+305.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50TSX2DGC11Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+598.40 грн
25+572.69 грн
50+550.87 грн
100+513.17 грн
250+460.75 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50TSX2DGC11ROHMDescription: ROHM - RGS50TSX2DGC11 - IGBT, 50 A, 1.7 V, 395 W, 1.2 kV, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+641.90 грн
5+518.68 грн
10+394.64 грн
50+348.51 грн
100+315.49 грн
250+308.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50TSX2DGC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO247N
Power - Max: 395 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Part Status: Active
Gate Charge: 67 nC
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 1.4mJ (on), 1.65mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/140ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247N
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Reverse Recovery Time (trr): 182 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+665.57 грн
30+376.48 грн
120+318.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50TSX2DGC11Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+598.40 грн
25+572.69 грн
50+550.87 грн
100+513.17 грн
250+460.75 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50TSX2DHRC11ROHMDescription: ROHM - RGS50TSX2DHRC11 - IGBT, 50 A, 1.7 V, 395 W, 1.2 kV, TO-247N, 3 Pin(s)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 395
Bauform - Transistor: TO-247N
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 50
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50TSX2DHRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO-247N
Switching Energy: 1.4mJ (on), 1.65mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/140ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247N
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Reverse Recovery Time (trr): 182 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 395 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Part Status: Active
Gate Charge: 67 nC
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+618.98 грн
30+350.28 грн
120+296.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50TSX2DHRC11Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 395W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+657.78 грн
25+629.52 грн
50+605.54 грн
100+564.10 грн
250+506.47 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50TSX2DHRC11ROHM SemiconductorIGBTs IGBT Trench Field Stop 1200 V 50 A 395 W Through Hole TO-247N
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+675.73 грн
10+394.56 грн
100+290.63 грн
450+283.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50TSX2DHRC11Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 395W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+657.78 грн
25+629.52 грн
50+605.54 грн
100+564.10 грн
250+506.47 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50TSX2DHRC11Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 395W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 3723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+558.73 грн
32+453.60 грн
50+416.98 грн
100+385.00 грн
200+341.72 грн
900+310.84 грн
1800+295.65 грн
3600+282.49 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50TSX2GC11Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+565.82 грн
30+479.59 грн
50+365.01 грн
100+350.83 грн
200+305.86 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50TSX2GC11ROHM SemiconductorIGBTs 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 25A, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 711 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+666.06 грн
10+385.83 грн
100+283.73 грн
450+278.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50TSX2GC11Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+504.35 грн
30+482.68 грн
50+464.29 грн
100+432.52 грн
250+388.33 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50TSX2GC11ROHMDescription: ROHM - RGS50TSX2GC11 - IGBT, 50 A, 1.7 V, 395 W, 1.2 kV, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+463.91 грн
5+389.81 грн
10+315.72 грн
50+270.73 грн
100+229.19 грн
250+224.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50TSX2GC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO247N
Power - Max: 395 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Part Status: Active
Gate Charge: 67 nC
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 1.4mJ (on), 1.65mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/140ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247N
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+654.70 грн
30+370.10 грн
120+312.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50TSX2GC11Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+504.35 грн
30+482.68 грн
50+464.29 грн
100+432.52 грн
250+388.33 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50TSX2HRC11ROHMDescription: ROHM - RGS50TSX2HRC11 - IGBT, 50 A, 1.7 V, 395 W, 1.2 kV, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+568.61 грн
5+454.24 грн
10+339.07 грн
50+296.16 грн
100+256.12 грн
250+251.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50TSX2HRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FLD 1200V 50A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/140ns
Switching Energy: 1.4mJ (on), 1.65mJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 67 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+699.75 грн
30+397.64 грн
120+337.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50TSX2HRC11Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 395000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+616.61 грн
32+448.88 грн
50+398.08 грн
100+361.08 грн
200+315.35 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50TSX2HRC11ROHM SemiconductorIGBTs 10s Short-Circuit Tolerance, 1200V 25A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive
на замовлення 673 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+711.97 грн
10+414.41 грн
100+305.13 грн
450+303.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50TSX2HRC11Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 395000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+590.22 грн
26+564.85 грн
50+543.34 грн
100+506.15 грн
250+454.44 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS5K0OhmiteRheostats 75watt 5K 900V Std Shaft
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGS5K0OhmiteDescription: POT 5K OHM 75W WIREWOUND LINEAR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS5K0EOhmiteRheostats 75watt 5K 900V Std Shaft
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGS5K0EOhmiteDescription: POT 5K OHM 75W WIREWOUND LINEAR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS5K0EOhmiteRes Wirewound Rheostat 5K Ohm 10% 75W 1(Elec)/1(Mech)Turn 6.35mm (66.68 X 69.25 X 79.84mm) Solder Lug Panel Mount
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16391.21 грн
2+16250.98 грн
3+16113.10 грн
5+14103.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGS5R0OhmiteDescription: POT 5 OHM 75W WIREWOUND LINEAR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS5R0OhmiteRheostats 75watt 5ohm Std Shaft
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGS5R0EOhmiteRes Wirewound Rheostat 5 Ohm 10% 75W 1(Elec)/1(Mech)Turn 6.35mm (66.68 X 69.25 X 79.84mm) Solder Lug Panel Mount
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+17302.48 грн
2+17154.40 грн
3+17008.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGS5R0EOhmiteRheostats 75watt 5ohm Std Shaft
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGS5R0EOhmiteDescription: POT 5 OHM 75W WIREWOUND LINEAR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS60NL65DHRBTLRohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 59A TO-263L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/94ns
Switching Energy: 650µJ (on), 790µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 36 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 59 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 228 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS60NL65DHRBTLRohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 59A 228W Automotive 3-Pin(2+Tab) LPDL
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+474.86 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS60NL65DHRBTLROHMDescription: ROHM - RGS60NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 59 A, 1.65 V, 228 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 228W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 59A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+416.39 грн
10+289.94 грн
100+209.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS60NL65DHRBTLRohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 59A 228W Automotive 3-Pin(2+Tab) LPDL
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+337.82 грн
44+323.30 грн
50+310.99 грн
100+289.70 грн
250+260.11 грн
500+242.91 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS60NL65DHRBTLROHMDescription: ROHM - RGS60NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 59 A, 1.65 V, 228 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 228W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 59A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+209.40 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS60NL65DHRBTLROHM SemiconductorIGBTs 8us Short-Circuit Tolerance, 650V 30A, FRD Built-in, Automotive Field Stop Trench IGBT: RGS60NL65DHRB is a 8 s SCSOA guaranteed IGBT, suitable for general inverter for automotive and industrial use. This product complies AEC-Q101 qualification.
на замовлення 2236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+413.97 грн
10+284.21 грн
100+178.11 грн
500+177.42 грн
1000+150.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGS60NL65DHRBTLRohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 59A TO-263L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/94ns
Switching Energy: 650µJ (on), 790µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 36 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 59 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 228 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+415.50 грн
10+268.41 грн
100+193.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGS60NL65HRBTLRohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 59A TO-263L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/94ns
Switching Energy: 650µJ (on), 790µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 36 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 59 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 228 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+358.03 грн
10+229.82 грн
100+164.42 грн
500+148.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGS60NL65HRBTLROHM SemiconductorIGBTs 8us Short-Circuit Tolerance, 650V 30A, Automotive Field Stop Trench IGBT: RGS60NL65HRB is a 8 s SCSOA guaranteed IGBT, suitable for general inverter for automotive and industrial use. This product complies AEC-Q101 qualification.
на замовлення 969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+340.68 грн
10+242.93 грн
100+151.18 грн
500+145.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGS60NL65HRBTLRohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 59A TO-263L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/94ns
Switching Energy: 650µJ (on), 790µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 36 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 59 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 228 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+134.24 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS60NL65HRBTLROHMDescription: ROHM - RGS60NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 59 A, 1.65 V, 228 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 228W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 59A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+177.99 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS60NL65HRBTLROHMDescription: ROHM - RGS60NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 59 A, 1.65 V, 228 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 228W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 59A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+355.99 грн
10+248.06 грн
100+177.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS60TS65DHRC11ROHM SemiconductorIGBTs 8s Short-Circuit Tolerance, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+609.69 грн
10+350.11 грн
100+256.81 грн
450+245.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGS60TS65DHRC11ROHMDescription: ROHM - RGS60TS65DHRC11 - IGBT, 56 A, 1.65 V, 223 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 223W
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 56A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+526.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS60TS65DHRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 56A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 103 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/104ns
Switching Energy: 660µJ (on), 810µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 36 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 56 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 223 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+549.08 грн
30+308.17 грн
120+259.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGS60TS65DHRC11ROHM SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 111W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 111W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 46ns
Turn-off time: 290ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 405 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+536.04 грн
10+330.72 грн
30+294.16 грн
90+289.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGS60TS65HRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 56A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/104ns
Switching Energy: 660µJ (on), 810µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 36 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 56 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 223 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGS60TS65HRC11ROHM SemiconductorIGBTs 8s Short-Circuit Tolerance, 650V 30A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+551.70 грн
10+363.60 грн
100+212.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGS60TS65HRC11ROHMDescription: ROHM - RGS60TS65HRC11 - IGBT, 56 A, 1.65 V, 223 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 223W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench RGS Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 56A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGS750OhmiteRheostats 75watt 750ohm 900V Std Shaft
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGS750OhmiteDescription: POT 750 OHM 75W WIREWOUND LINEAR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS750 750 ОмOhmiteRheostats 75watt 750ohm 900V Std Shaft Резистори змінні та підлаштовні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGS750EOhmiteDescription: POT 750 OHM 75W WIREWOUND LINEAR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS750EOhmiteRheostats 75watt 750ohm 900V Std Shaft
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGS750EOhmiteRes Wirewound Rheostat 750 Ohm 10% 75W 1(Elec)/1(Mech)Turn 6.35mm (66.68 X 69.25 X 79.84mm) Solder Lug Panel Mount
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16554.42 грн
2+16412.76 грн
3+16273.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8  [ Наступна Сторінка >> ]