Продукція > RGs

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RGS400EOhmiteDescription: POT 400 OHM 75W WIREWOUND LINEAR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS400EOhmiteRheostats 75watt 400ohm 900V Std Shaft
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGS40NL65DHRBTLROHMDescription: ROHM - RGS40NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 42 A, 1.65 V, 177 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 177W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 42A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+159.32 грн
500+143.41 грн
1000+123.32 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS40NL65DHRBTLRohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 42A TO263L
Gate Charge: 28 nC
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 560µJ (on), 490µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/87ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-263L
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Reverse Recovery Time (trr): 93 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Power - Max: 177 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 42 A
Grade: Automotive
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+160.51 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS40NL65DHRBTLROHMDescription: ROHM - RGS40NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 42 A, 1.65 V, 177 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 177W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 42A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+318.64 грн
10+221.09 грн
100+159.32 грн
500+143.41 грн
1000+123.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS40NL65DHRBTLRohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 42A 177W Automotive 3-Pin(2+Tab) LPDL
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+507.99 грн
34+425.48 грн
50+401.91 грн
100+331.87 грн
500+262.03 грн
1000+206.09 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS40NL65DHRBTLROHM SemiconductorIGBTs 8us Short-Circuit Tolerance, 650V 20A, FRD Built-in, Automotive Field Stop Trench IGBT: RGS40NL65DHRB is a 8 s SCSOA guaranteed IGBT, suitable for general inverter for automotive and industrial use. This product complies AEC-Q101 qualification.
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGS40NL65DHRBTLRohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 42A TO263L
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/87ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-263L
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Reverse Recovery Time (trr): 93 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Power - Max: 177 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 42 A
Grade: Automotive
Gate Charge: 28 nC
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 560µJ (on), 490µJ (off)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+311.17 грн
10+251.12 грн
25+237.18 грн
100+190.70 грн
250+180.07 грн
500+169.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS40NL65DHRBTLRohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 42A 177W Automotive 3-Pin(2+Tab) LPDL
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+257.50 грн
58+247.69 грн
100+239.29 грн
250+223.74 грн
500+201.53 грн
1000+188.74 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS40NL65HRBTLRohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 42A 177W Automotive 3-Pin(2+Tab) LPDL
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+396.02 грн
43+332.37 грн
50+313.51 грн
100+252.31 грн
500+188.37 грн
1000+160.63 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS40NL65HRBTLROHM SemiconductorIGBTs 8us Short-Circuit Tolerance, 650V 20A, Automotive Field Stop Trench IGBT: RGS40NL65HRB is a 8 s SCSOA guaranteed IGBT, suitable for general inverter for automotive and industrial use. This product complies AEC-Q101 qualification.
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGS40NL65HRBTLROHMDescription: ROHM - RGS40NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 42 A, 1.65 V, 177 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 177W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 42A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+168.26 грн
500+145.67 грн
1000+120.53 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS40NL65HRBTLRohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 42A TO263L
Qualification: AEC-Q101
Power - Max: 177 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 42 A
Grade: Automotive
Gate Charge: 28 nC
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 560µJ (on), 490µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/87ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-263L
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS40NL65HRBTLROHMDescription: ROHM - RGS40NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 42 A, 1.65 V, 177 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 177W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 42A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+359.28 грн
10+237.35 грн
100+168.26 грн
500+145.67 грн
1000+120.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS40NL65HRBTLRohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 42A 177W Automotive 3-Pin(2+Tab) LPDL
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+201.51 грн
73+193.83 грн
100+187.26 грн
250+175.09 грн
500+157.71 грн
1000+147.70 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS40NL65HRBTLRohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 42A TO263L
Qualification: AEC-Q101
Power - Max: 177 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 42 A
Grade: Automotive
Gate Charge: 28 nC
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 560µJ (on), 490µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/87ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-263L
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+242.20 грн
10+195.87 грн
25+185.19 грн
100+148.81 грн
250+140.68 грн
500+131.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS4R0EOhmiteRheostats 75W 4 Ohms MODEL G RHEOSTAT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS500OhmiteRheostats 75watt 500ohm 900V Std Shaft
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGS500OhmiteDescription: POT 500 OHM 75W WIREWOUND LINEAR
Number of Turns: 1.0
Number of Gangs: 1
Rotation: 300°
Taper: Linear
Resistive Material: Wirewound
Actuator Diameter: 0.250" (6.35mm)
Built in Switch: None
Actuator Type: Flatted
Actuator Length: 0.875" (22.23mm)
Bushing Thread: 3/8-32
Termination Style: Solder Lug
Mounting Type: Panel Mount
Adjustment Type: User Defined
Tolerance: ±10%
Power (Watts): 75W
Resistance (Ohms): 500
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGS500EOhmiteDescription: POT 500 OHM 75W WIREWOUND LINEAR
Resistance (Ohms): 500
Packaging: Bulk
Power (Watts): 75W
Number of Turns: 1.0
Number of Gangs: 1
Rotation: 300°
Taper: Linear
Resistive Material: Wirewound
Actuator Diameter: 0.250" (6.35mm)
Built in Switch: None
Actuator Type: Flatted
Actuator Length: 0.875" (22.23mm)
Bushing Thread: 3/8-32
Termination Style: Solder Lug
Mounting Type: Panel Mount
Adjustment Type: User Defined
Tolerance: ±10%
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9988.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGS500EOhmiteRes Wirewound Rheostat 500 Ohm 10% 75W 1(Elec)/1(Mech)Turn 6.35mm (66.68 X 69.25 X 79.84mm) Solder Lug Panel Mount
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+18880.06 грн
5+17825.81 грн
10+16924.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGS500EOhmiteRheostats 75watt 500ohm 900V Std Shaft
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGS500E 500 ОмOhmiteRheostats 75watt 500ohm 900V Std Shaft Резистори змінні та підлаштовні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50NL65DHRBTLRohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO263L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/91ns
Switching Energy: 810µJ (on), 650µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 31 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 206 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50NL65DHRBTLROHMDescription: ROHM - RGS50NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 50 A, 1.65 V, 206 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 206W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+348.71 грн
10+234.10 грн
100+168.26 грн
500+153.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50NL65DHRBTLRohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 50A 206W Automotive 3-Pin(2+Tab) LPDL
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+396.02 грн
43+335.91 грн
56+255.76 грн
100+245.49 грн
200+214.68 грн
500+180.83 грн
1000+175.78 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50NL65DHRBTLROHM SemiconductorIGBTs 8us Short-Circuit Tolerance, 650V 25A, FRD Built-in, Automotive Field Stop Trench IGBT: RGS50NL65DHRB is a 8 s SCSOA guaranteed IGBT, suitable for general inverter for automotive and industrial use. This product complies AEC-Q101 qualification.
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50NL65DHRBTLRohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO263L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/91ns
Switching Energy: 810µJ (on), 650µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 31 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 206 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50NL65DHRBTLROHMDescription: ROHM - RGS50NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 50 A, 1.65 V, 206 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 206W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+168.26 грн
500+153.98 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50NL65DHRBTLRohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 50A 206W Automotive 3-Pin(2+Tab) LPDL
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+360.23 грн
42+344.75 грн
50+331.62 грн
100+308.93 грн
250+277.36 грн
500+259.03 грн
1000+252.69 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50NL65HRBTLROHMDescription: ROHM - RGS50NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 50 A, 1.65 V, 206 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 206W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+140.62 грн
500+124.54 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50NL65HRBTLRohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 50A 206W Automotive 3-Pin(2+Tab) LPDL T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+247.84 грн
60+238.39 грн
100+230.30 грн
250+215.34 грн
500+193.97 грн
1000+181.65 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50NL65HRBTLROHM SemiconductorIGBTs 8us Short-Circuit Tolerance, 650V 25A, Automotive Field Stop Trench IGBT: RGS50NL65HRB is a 8 s SCSOA guaranteed IGBT, suitable for general inverter for automotive and industrial use. This product complies AEC-Q101 qualification.
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50NL65HRBTLRohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO263L
Qualification: AEC-Q101
Power - Max: 206 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Grade: Automotive
Gate Charge: 31 nC
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 810µJ (on), 650µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/91ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-263L
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+282.17 грн
10+244.25 грн
25+230.87 грн
100+187.78 грн
250+178.15 грн
500+159.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50NL65HRBTLROHMDescription: ROHM - RGS50NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 50 A, 1.65 V, 206 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 206W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+297.50 грн
10+197.52 грн
100+140.62 грн
500+124.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50NL65HRBTLRohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 50A 206W Automotive 3-Pin(2+Tab) LPDL T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+458.49 грн
37+384.23 грн
50+363.02 грн
100+326.18 грн
500+246.25 грн
1000+202.05 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50NL65HRBTLRohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO263L
Qualification: AEC-Q101
Power - Max: 206 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Grade: Automotive
Gate Charge: 31 nC
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 810µJ (on), 650µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/91ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-263L
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+149.18 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50ROhmiteDescription: POT 50 OHM 75W WIREWOUND LINEAR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50ROhmiteRes Wirewound Rheostat 50 Ohm 10% 75W 1(Elec)/1(Mech)Turn 6.35mm (66.68 X 69.25 X 79.84mm) Solder Lug Panel Mount
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+17429.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50ROhmiteRheostats 75watt 50ohm 900V Std Shaft
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50REOhmiteRheostats 75watt 50ohm 900V Std Shaft
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50REOhmiteDescription: POT 50 OHM 75W WIREWOUND LINEAR
Number of Turns: 1.0
Number of Gangs: 1
Rotation: 300°
Taper: Linear
Resistive Material: Wirewound
Actuator Diameter: 0.250" (6.35mm)
Built in Switch: None
Actuator Type: Flatted
Actuator Length: 0.875" (22.23mm)
Bushing Thread: 3/8-32
Termination Style: Solder Lug
Mounting Type: Panel Mount
Adjustment Type: User Defined
Tolerance: ±10%
Power (Watts): 75W
Resistance (Ohms): 50
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50TSX2DGC11Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+597.07 грн
25+571.42 грн
50+549.64 грн
100+512.03 грн
250+459.72 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50TSX2DGC11ROHMDescription: ROHM - RGS50TSX2DGC11 - IGBT, 50 A, 1.7 V, 395 W, 1.2 kV, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+647.84 грн
5+523.47 грн
10+398.29 грн
50+351.73 грн
100+318.40 грн
250+311.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50TSX2DGC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO247N
Power - Max: 395 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Part Status: Active
Gate Charge: 67 nC
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 1.4mJ (on), 1.65mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/140ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247N
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Reverse Recovery Time (trr): 182 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+671.73 грн
30+379.96 грн
120+321.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50TSX2DGC11Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+597.07 грн
25+571.42 грн
50+549.64 грн
100+512.03 грн
250+459.72 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50TSX2DGC11Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+676.53 грн
29+493.84 грн
50+437.27 грн
100+396.65 грн
200+346.22 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50TSX2DGC11ROHM SemiconductorIGBTs 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 25A, FRD Built-in, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50TSX2DHRC11Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 395W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+656.31 грн
25+628.12 грн
50+604.19 грн
100+562.85 грн
250+505.34 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50TSX2DHRC11ROHM SemiconductorIGBTs IGBT Trench Field Stop 1200 V 50 A 395 W Through Hole TO-247N
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50TSX2DHRC11Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 395W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+656.31 грн
25+628.12 грн
50+604.19 грн
100+562.85 грн
250+505.34 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50TSX2DHRC11Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 395W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 3723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+557.49 грн
32+452.59 грн
50+416.05 грн
100+384.15 грн
200+340.96 грн
900+310.15 грн
1800+294.99 грн
3600+281.86 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50TSX2DHRC11ROHMDescription: ROHM - RGS50TSX2DHRC11 - IGBT, 50 A, 1.7 V, 395 W, 1.2 kV, TO-247N, 3 Pin(s)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 395
Bauform - Transistor: TO-247N
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 50
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50TSX2DHRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO-247N
Switching Energy: 1.4mJ (on), 1.65mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/140ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247N
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Reverse Recovery Time (trr): 182 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 395 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Part Status: Active
Gate Charge: 67 nC
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+624.70 грн
30+353.52 грн
120+299.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50TSX2GC11ROHM SemiconductorIGBTs 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 25A, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 711 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50TSX2GC11Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+503.23 грн
30+481.61 грн
50+463.26 грн
100+431.55 грн
250+387.46 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50TSX2GC11ROHMDescription: ROHM - RGS50TSX2GC11 - IGBT, 50 A, 1.7 V, 395 W, 1.2 kV, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+468.20 грн
5+393.42 грн
10+318.64 грн
50+273.23 грн
100+231.31 грн
250+226.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50TSX2GC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO247N
Power - Max: 395 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Part Status: Active
Gate Charge: 67 nC
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 1.4mJ (on), 1.65mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/140ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247N
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+660.76 грн
30+373.52 грн
120+315.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50TSX2GC11Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+503.23 грн
30+481.61 грн
50+463.26 грн
100+431.55 грн
250+387.46 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50TSX2GC11Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+564.56 грн
30+478.52 грн
50+364.20 грн
100+350.05 грн
200+305.18 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50TSX2HRC11ROHMDescription: ROHM - RGS50TSX2HRC11 - IGBT, 50 A, 1.7 V, 395 W, 1.2 kV, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+573.87 грн
5+458.44 грн
10+342.21 грн
50+298.89 грн
100+258.48 грн
250+253.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50TSX2HRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FLD 1200V 50A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/140ns
Switching Energy: 1.4mJ (on), 1.65mJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 67 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+706.22 грн
30+401.32 грн
120+340.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50TSX2HRC11Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 395000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+615.24 грн
32+447.88 грн
50+397.20 грн
100+360.28 грн
200+314.65 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50TSX2HRC11ROHM SemiconductorIGBTs 10s Short-Circuit Tolerance, 1200V 25A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive
на замовлення 673 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGS50TSX2HRC11Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 395000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+588.91 грн
26+563.60 грн
50+542.13 грн
100+505.03 грн
250+453.43 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS5K0OhmiteRheostats 75watt 5K 900V Std Shaft
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGS5K0OhmiteDescription: POT 5K OHM 75W WIREWOUND LINEAR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS5K0EOhmiteDescription: POT 5K OHM 75W WIREWOUND LINEAR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS5K0EOhmiteRes Wirewound Rheostat 5K Ohm 10% 75W 1(Elec)/1(Mech)Turn 6.35mm (66.68 X 69.25 X 79.84mm) Solder Lug Panel Mount
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16354.79 грн
2+16214.86 грн
3+16077.29 грн
5+14071.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGS5K0EOhmiteRheostats 75watt 5K 900V Std Shaft
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGS5R0OhmiteRheostats 75watt 5ohm Std Shaft
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGS5R0OhmiteDescription: POT 5 OHM 75W WIREWOUND LINEAR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS5R0EOhmiteRheostats 75watt 5ohm Std Shaft
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGS5R0EOhmiteDescription: POT 5 OHM 75W WIREWOUND LINEAR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS5R0EOhmiteRes Wirewound Rheostat 5 Ohm 10% 75W 1(Elec)/1(Mech)Turn 6.35mm (66.68 X 69.25 X 79.84mm) Solder Lug Panel Mount
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+17264.03 грн
2+17116.28 грн
3+16971.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGS60NL65DHRBTLRohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 59A TO-263L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/94ns
Switching Energy: 650µJ (on), 790µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 36 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 59 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 228 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS60NL65DHRBTLRohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 59A 228W Automotive 3-Pin(2+Tab) LPDL
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+473.81 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS60NL65DHRBTLROHMDescription: ROHM - RGS60NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 59 A, 1.65 V, 228 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 228W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 59A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+420.24 грн
10+292.62 грн
100+211.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS60NL65DHRBTLRohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 59A 228W Automotive 3-Pin(2+Tab) LPDL
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+337.07 грн
44+322.58 грн
50+310.30 грн
100+289.06 грн
250+259.53 грн
500+242.37 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS60NL65DHRBTLROHMDescription: ROHM - RGS60NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 59 A, 1.65 V, 228 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 228W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 59A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+211.34 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS60NL65DHRBTLROHM SemiconductorIGBTs 8us Short-Circuit Tolerance, 650V 30A, FRD Built-in, Automotive Field Stop Trench IGBT: RGS60NL65DHRB is a 8 s SCSOA guaranteed IGBT, suitable for general inverter for automotive and industrial use. This product complies AEC-Q101 qualification.
на замовлення 2236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGS60NL65DHRBTLRohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 59A TO-263L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/94ns
Switching Energy: 650µJ (on), 790µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 36 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 59 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 228 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+419.34 грн
10+270.89 грн
100+195.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGS60NL65HRBTLROHM SemiconductorIGBTs 8us Short-Circuit Tolerance, 650V 30A, Automotive Field Stop Trench IGBT: RGS60NL65HRB is a 8 s SCSOA guaranteed IGBT, suitable for general inverter for automotive and industrial use. This product complies AEC-Q101 qualification.
на замовлення 969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGS60NL65HRBTLRohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 59A TO-263L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/94ns
Switching Energy: 650µJ (on), 790µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 36 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 59 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 228 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+135.48 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS60NL65HRBTLROHMDescription: ROHM - RGS60NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 59 A, 1.65 V, 228 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 228W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 59A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+179.64 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS60NL65HRBTLROHMDescription: ROHM - RGS60NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 59 A, 1.65 V, 228 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 228W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 59A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+359.28 грн
10+250.36 грн
100+179.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS60NL65HRBTLRohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 59A TO-263L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/94ns
Switching Energy: 650µJ (on), 790µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 36 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 59 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 228 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+361.34 грн
10+231.95 грн
100+165.94 грн
500+149.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGS60TS65DHRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 56A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 103 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/104ns
Switching Energy: 660µJ (on), 810µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 36 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 56 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 223 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+554.16 грн
30+311.02 грн
120+262.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGS60TS65DHRC11ROHM SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 111W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 111W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 46ns
Turn-off time: 290ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 405 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+540.99 грн
10+333.78 грн
30+296.88 грн
90+291.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGS60TS65DHRC11ROHM SemiconductorIGBTs 8s Short-Circuit Tolerance, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGS60TS65DHRC11ROHMDescription: ROHM - RGS60TS65DHRC11 - IGBT, 56 A, 1.65 V, 223 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 223W
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 56A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+531.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS60TS65HRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 56A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/104ns
Switching Energy: 660µJ (on), 810µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 36 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 56 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 223 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGS60TS65HRC11ROHM SemiconductorIGBTs 8s Short-Circuit Tolerance, 650V 30A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGS60TS65HRC11ROHMDescription: ROHM - RGS60TS65HRC11 - IGBT, 56 A, 1.65 V, 223 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 223W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench RGS Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 56A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGS750OhmiteRheostats 75watt 750ohm 900V Std Shaft
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGS750OhmiteDescription: POT 750 OHM 75W WIREWOUND LINEAR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS750 750 ОмOhmiteRheostats 75watt 750ohm 900V Std Shaft Резистори змінні та підлаштовні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGS750EOhmiteDescription: POT 750 OHM 75W WIREWOUND LINEAR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS750EOhmiteRheostats 75watt 750ohm 900V Std Shaft
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGS750EOhmiteRes Wirewound Rheostat 750 Ohm 10% 75W 1(Elec)/1(Mech)Turn 6.35mm (66.68 X 69.25 X 79.84mm) Solder Lug Panel Mount
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16517.63 грн
2+16376.29 грн
3+16237.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8  [ Наступна Сторінка >> ]