Продукція > STN

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STN3N40K3STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 400V 3.3 Ohm 3A SuperMESH3 3.3W
на замовлення 5134 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.47 грн
10+50.25 грн
100+29.06 грн
500+22.64 грн
1000+20.50 грн
2000+18.71 грн
4000+15.74 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3N40K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+23.32 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3N40K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 400V 1.8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 50 V
на замовлення 32853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.65 грн
10+51.08 грн
100+33.60 грн
500+24.48 грн
1000+22.21 грн
2000+20.29 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3N40K3STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STN3N40K3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 1.8 A, 3.4 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+57.91 грн
250+38.18 грн
1000+25.05 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3N40K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3N40K3
Код товару: 172019
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STN3N40K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+17.29 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3N40K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 400V 1.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 50 V
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+20.68 грн
8000+18.47 грн
12000+17.74 грн
20000+15.87 грн
28000+15.41 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3N40K3STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STN3N40K3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 1.8 A, 3.4 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 3.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.4ohm
на замовлення 658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+83.76 грн
50+52.67 грн
250+34.63 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3N45K3STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 450V 3.2 ohm 1.8 A SuperMESH3
на замовлення 6948 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+98.26 грн
10+61.13 грн
100+35.21 грн
500+27.41 грн
1000+24.92 грн
2000+22.85 грн
4000+20.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3N45K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 450V 0.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 176000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+28.20 грн
8000+27.99 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3N45K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 450V 600MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 164 pF @ 50 V
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.30 грн
10+58.18 грн
100+38.47 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3N45K3STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STN3N45K3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 450 V, 600 mA, 3.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 450V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.2ohm
на замовлення 3556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+93.43 грн
15+57.42 грн
100+38.74 грн
500+28.34 грн
1000+23.82 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3N45K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 450V 0.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
174+81.67 грн
176+80.87 грн
266+53.34 грн
269+50.91 грн
500+39.40 грн
1000+31.84 грн
3000+31.53 грн
Мінімальне замовлення: 174 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3N45K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 450V 0.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 176000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+27.99 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3N45K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 450V 0.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+42.70 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3N45K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 450V 600MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 164 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3N45K3STN-MOSFET 0.6A 450V 2,0 W 3.8Ω STN3N45K3 SOT223 TSTN3n45k3
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+14.88 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3N45K3STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 450V; 0.6A; 3W; SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 450V
Drain current: 0.6A
Power dissipation: 3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 3758 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+62.64 грн
16+26.18 грн
100+20.19 грн
500+17.87 грн
1000+16.54 грн
2000+15.46 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3N45K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 450V 0.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3NE06STMSOT-223
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STN3NE06STMN-кан. MOSFET 60V, 3A, 0.08Ом, 2.5Вт, SOT-223 (SMD) (STripFET I) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STN3NE06LST
на замовлення 26200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STN3NE06L*********
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STN3NE06L************
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STN3NF06STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+17.99 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3NF06STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+17.99 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3NF06STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+13.51 грн
8000+11.98 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3NF06STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STN3NF06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.07 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 13182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.93 грн
500+21.39 грн
1000+17.81 грн
5000+15.05 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3NF06STMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STN3NF06STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 4A; 3.3W; SOT223
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.1Ω
Power dissipation: 3.3W
Drain current: 4A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
на замовлення 3884 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+55.48 грн
10+43.38 грн
11+38.06 грн
100+22.52 грн
250+18.53 грн
500+16.62 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3NF06STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 60 Volt 4 Amp
на замовлення 6887 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.97 грн
10+37.55 грн
100+21.12 грн
500+16.91 грн
1000+15.19 грн
2000+13.81 грн
4000+11.94 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3NF06STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3NF06STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STN3NF06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.07 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 13182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+76.27 грн
21+38.82 грн
100+25.93 грн
500+21.39 грн
1000+17.81 грн
5000+15.05 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3NF06STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.25 грн
10+35.22 грн
100+22.78 грн
500+16.35 грн
1000+14.73 грн
2000+13.36 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3NF06LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 5332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+113.75 грн
10+81.01 грн
100+57.16 грн
500+45.56 грн
1000+38.86 грн
2000+34.95 грн
4000+32.48 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3NF06LSTMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; 3.3W; SOT223; ESD
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.1Ω
Power dissipation: 3.3W
Drain current: 4A
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 60V
на замовлення 473 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+108.28 грн
8+55.51 грн
10+50.36 грн
100+38.47 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3NF06LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
742+47.82 грн
1000+44.09 грн
Мінімальне замовлення: 742 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3NF06LSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3NF06LVBsemiTransistor N-MOSFET; 60V; 20V; 40mOhm; 6A; 1,7W; -55°C ~ 175°C; STN3NF06L TSTN3NF06L VBS
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+33.89 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3NF06LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+26.19 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3NF06LSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 60 Volt 4 AMP
на замовлення 32099 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+123.23 грн
10+76.45 грн
100+43.63 грн
500+34.59 грн
1000+30.72 грн
2000+28.17 грн
4000+27.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3NF06LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 5332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+114.53 грн
174+81.58 грн
247+57.56 грн
500+45.88 грн
1000+39.12 грн
2000+35.19 грн
4000+32.70 грн
Мінімальне замовлення: 124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3NF06LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 33707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
742+47.82 грн
1000+44.09 грн
10000+39.32 грн
Мінімальне замовлення: 742 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3NF06L
Код товару: 162455
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STN3NF06LSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 4A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STN3NF06LSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STN3NF06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 3.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 45865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+69.99 грн
250+46.71 грн
1000+31.11 грн
2000+26.51 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3NF06LSTMP-кан. MOSFET 60V, 4.0A, 0.07Ом, 3.3Вт, SOT-223 (STripFET II) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STN3NF06LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+26.19 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3NF06LSTN-MOSFET 4.0A 60V 3.3W 0.10Ω STN3NF06L TSTN3nf06l
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+27.37 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3NF06LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
57+13.27 грн
Мінімальне замовлення: 57 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3NF06LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3NF06LSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STN3NF06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 3.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 45865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+110.34 грн
50+69.99 грн
250+46.71 грн
1000+31.11 грн
2000+26.51 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3NF06LSTMN-Channel MOSFET, 100 mOhm 4A, 60V, 3.3W SOT-223 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STN3NF06L-TR/E
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STN3NF06LT4
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STN3NF10ST
на замовлення 6300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STN3P06
на замовлення 550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STN3P10F6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 100V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3P10F6STMicroelectronicsDescription: SOT 223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3P10F6STMicroelectronicsMOSFETs P-channel -100 V, 0.136 Ohm typ., -3 A STripFET F6 Power MOSFET in a SOT-223 pac
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3P6F6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STN3P6F6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.13 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: DeepGATE STripFET VI
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
на замовлення 3657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+95.84 грн
14+60.81 грн
100+40.27 грн
500+29.32 грн
1000+24.65 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3P6F6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+113.96 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3P6F6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+60.29 грн
18+43.55 грн
25+43.10 грн
100+30.94 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3P6F6STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 60V SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 48 V
на замовлення 4590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.08 грн
10+58.71 грн
100+38.88 грн
500+28.50 грн
1000+25.93 грн
2000+23.76 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3P6F6STMicroelectronicsP-канальний ПТ, Udss, В = 60, Ciss, пФ @ Uds, В = 340 @ 48, Qg, нКл = 6,4 @ 10 В, Rds = 160 мОм @ 1,5 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,6, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+128.04 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3P6F6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+34.02 грн
8000+32.73 грн
12000+31.50 грн
20000+29.03 грн
28000+26.61 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3P6F6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+41.86 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3P6F6STMicroelectronicsMOSFETs P-Ch 60 V, 0.13 Ohm 3 A STripFET VI
на замовлення 36790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+81.35 грн
10+51.68 грн
100+30.58 грн
500+25.47 грн
1000+23.82 грн
2000+22.44 грн
4000+21.12 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3P6F6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3P6F6STMicroelectronicsCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2A; 2.6W; SOT223; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2A
Power dissipation: 2.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2537 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+88.59 грн
12+36.89 грн
100+34.07 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3P6F6STMMOSFET P-CH 60V 2.5A SOT-223 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STN3P6F6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STN3P6F6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.13 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: DeepGATE STripFET VI
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
на замовлення 3657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+40.27 грн
500+29.32 грн
1000+24.65 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3P6F6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+31.59 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3P6F6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+31.59 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3P6F6STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 60V SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 48 V
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3980 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3P6F6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+34.07 грн
8000+32.77 грн
12000+31.54 грн
20000+29.08 грн
28000+26.65 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3PF06STMicroelectronicsMOSFETs P-Ch 60 Volt 2.5 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STN3PF06
Код товару: 51566
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STN3PF06STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STN3PF06STMMOSFET P-CH 60V 2.5A SOT-223 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STN3PF06L
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STN3PF06TR
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STN4392
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STN4403JAPAN
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STN4438UMWDescription: MOSFET N-CH 60V 8.2A SOT23
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN4438UMWDescription: MOSFET N-CH 60V 8.2A SOT23
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STN4N03L
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STN4NE03STM07+ SOT-223
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STN4NE03-1186
на замовлення 42500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STN4NE03LSTM07+ SOT-223
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STN4NE03L************
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STN4NF03
на замовлення 52500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STN4NF03LSTMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STN4NF03LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 6.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+26.40 грн
8000+24.24 грн
24000+23.48 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN4NF03LSTMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.5A; 3.3W; SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 3.3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2124 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+37.59 грн
14+30.25 грн
16+27.67 грн
50+22.85 грн
100+21.61 грн
250+20.44 грн
500+19.44 грн
1000+19.20 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN4NF03LSTMicroelectronicsN-канальный ПТ, Udss, В = 30, Id = 6,5 А, Ptot, Вт = 3,3, Тип монт. = smd, Qg, нКл = 9, Rds = 50 мОм @ 2 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 10 D, Входная ёмкость = 330 пФ @ 25 В,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
на замовлення 1584 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
4000+10.96 грн
Мінімальне замовлення: 1584 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN4NF03LSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 6.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+20.25 грн
8000+18.08 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN4NF03LSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STN4NF03L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.5 A, 0.05 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 3.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+87.79 грн
50+50.10 грн
250+34.31 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN4NF03LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 6.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+22.61 грн
8000+20.76 грн
24000+19.99 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8  [ Наступна Сторінка >> ]