Продукція > STN

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STN3N40K3STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STN3N40K3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 1.8 A, 3.4 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 3.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.4ohm
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3N40K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 400V 1.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 50 V
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+20.85 грн
12000+17.89 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3N40K3
Код товару: 172019
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STN3N45K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 450V 0.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 176000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+28.14 грн
8000+27.93 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3N45K3STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STN3N45K3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 450 V, 600 mA, 3.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 450V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.2ohm
на замовлення 3845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STN3N45K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 450V 600MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 164 pF @ 50 V
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.11 грн
10+61.29 грн
50+45.63 грн
100+38.07 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3N45K3STN-MOSFET 0.6A 450V 2,0 W 3.8Ω STN3N45K3 SOT223 TSTN3n45k3
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+14.56 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3N45K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 450V 0.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
174+81.49 грн
176+80.69 грн
266+53.22 грн
269+50.80 грн
500+39.32 грн
1000+31.77 грн
3000+31.46 грн
Мінімальне замовлення: 174 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3N45K3STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 450V; 0.6A; 3W; SOT223; ESD
Technology: SuperMesh™
Drain current: 0.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 450V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 3W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+79.48 грн
9+51.66 грн
10+42.44 грн
50+28.51 грн
100+24.91 грн
500+19.37 грн
1000+18.11 грн
4000+16.77 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3N45K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 450V 0.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 176000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+27.93 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3N45K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 450V 0.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+42.61 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3N45K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 450V 600MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 164 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3N45K3STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 450V 3.2 ohm 1.8 A SuperMESH3
на замовлення 6948 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STN3N45K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 450V 0.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3NE06STMN-кан. MOSFET 60V, 3A, 0.08Ом, 2.5Вт, SOT-223 (SMD) (STripFET I) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STN3NE06STMSOT-223
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STN3NE06LST
на замовлення 26200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STN3NE06L*********
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STN3NE06L************
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STN3NF06STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STN3NF06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.07 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3NF06STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+13.64 грн
8000+12.10 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3NF06STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 60 Volt 4 Amp
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STN3NF06STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3NF06STMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STN3NF06STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STN3NF06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.07 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STN3NF06STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.79 грн
10+35.55 грн
100+22.99 грн
500+16.50 грн
1000+14.86 грн
2000+13.49 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3NF06STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 4A; 3.3W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4A
Power dissipation: 3.3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1821 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+56.00 грн
10+43.78 грн
11+38.41 грн
100+22.73 грн
250+18.70 грн
500+16.77 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3NF06STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3NF06LSTN-MOSFET 4.0A 60V 3.3W 0.10Ω STN3NF06L TSTN3nf06l
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+26.77 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3NF06LSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+29.54 грн
12000+25.57 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3NF06LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 5332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
118+120.56 грн
208+68.26 грн
234+60.50 грн
500+41.64 грн
4000+34.45 грн
Мінімальне замовлення: 118 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3NF06LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3NF06LSTMN-Channel MOSFET, 100 mOhm 4A, 60V, 3.3W SOT-223 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STN3NF06LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
742+47.71 грн
1000+44.00 грн
Мінімальне замовлення: 742 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3NF06LVBsemiTransistor N-MOSFET; 60V; 20V; 40mOhm; 6A; 1,7W; -55°C ~ 175°C; STN3NF06L TSTN3NF06L VBS
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+33.14 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3NF06LSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STN3NF06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 3.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 43721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3NF06LSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 4A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
на замовлення 30150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.44 грн
10+69.82 грн
50+52.23 грн
100+43.70 грн
500+34.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3NF06L
Код товару: 162455
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STN3NF06LSTMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; 3.3W; SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4A
Power dissipation: 3.3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STN3NF06LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+26.13 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3NF06LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 5332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+120.56 грн
10+85.40 грн
50+68.26 грн
100+58.34 грн
500+38.56 грн
4000+33.07 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3NF06LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 33707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
742+47.71 грн
1000+44.00 грн
10000+39.23 грн
Мінімальне замовлення: 742 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3NF06LSTMP-кан. MOSFET 60V, 4.0A, 0.07Ом, 3.3Вт, SOT-223 (STripFET II) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STN3NF06LSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STN3NF06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 3.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 41861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3NF06LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+26.13 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3NF06LSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 60 Volt 4 AMP
на замовлення 15231 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STN3NF06L-TR/E
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STN3NF06LT4
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STN3NF10ST
на замовлення 6300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STN3P06
на замовлення 550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STN3P10F6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 100V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3P10F6STMicroelectronicsMOSFETs P-channel -100 V, 0.136 Ohm typ., -3 A STripFET F6 Power MOSFET in a SOT-223 pac
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STN3P10F6STMicroelectronicsDescription: SOT 223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3P6F6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STN3P6F6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.13 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: DeepGATE STripFET VI
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
на замовлення 2842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STN3P6F6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+33.94 грн
8000+32.65 грн
12000+31.43 грн
20000+28.97 грн
28000+26.55 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3P6F6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+41.77 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3P6F6STMicroelectronicsCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2A; 2.6W; SOT223; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2A
Power dissipation: 2.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 1942 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+86.70 грн
10+52.00 грн
100+35.73 грн
500+34.22 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3P6F6STMicroelectronicsMOSFETs P-Ch 60 V, 0.13 Ohm 3 A STripFET VI
на замовлення 23463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STN3P6F6STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 60V SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 48 V
на замовлення 7881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.76 грн
10+59.70 грн
50+44.46 грн
100+37.10 грн
500+28.97 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3P6F6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3P6F6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+31.52 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3P6F6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+31.52 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3P6F6STMMOSFET P-CH 60V 2.5A SOT-223 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STN3P6F6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STN3P6F6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.13 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: DeepGATE STripFET VI
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
на замовлення 3442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3P6F6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+33.99 грн
8000+32.70 грн
12000+31.47 грн
20000+29.01 грн
28000+26.59 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3P6F6STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 60V SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 48 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+24.69 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3P6F6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+113.70 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3P6F6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+60.16 грн
18+43.45 грн
25+43.01 грн
100+30.87 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3P6F6STMicroelectronicsP-канальний ПТ, Udss, В = 60, Ciss, пФ @ Uds, В = 340 @ 48, Qg, нКл = 6,4 @ 10 В, Rds = 160 мОм @ 1,5 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,6, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
3000+128.04 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3PF06
Код товару: 51566
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STN3PF06STMMOSFET P-CH 60V 2.5A SOT-223 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STN3PF06STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STN3PF06STMicroelectronicsMOSFETs P-Ch 60 Volt 2.5 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STN3PF06L
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STN3PF06TR
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STN4392
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STN4403JAPAN
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STN4438UMWDescription: MOSFET N-CH 60V 8.2A SOT23
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STN4438UMWDescription: MOSFET N-CH 60V 8.2A SOT23
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN4N03L
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STN4NE03STM07+ SOT-223
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STN4NE03-1186
на замовлення 42500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STN4NE03LSTM07+ SOT-223
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STN4NE03L************
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STN4NF03
на замовлення 52500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STN4NF03LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 6.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+26.09 грн
8000+24.81 грн
24000+24.03 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN4NF03LSTTranzystor N-MOSFET; 30V; 16V; 60mOhm; 6,5A; 3,3W; -55°C ~ 150°C; HSL3002; STN4NF03L-VB; STN4NF03L; STN4NF03L TSTN4NF03L
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+15.66 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN4NF03LSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 6.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+20.76 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN4NF03LSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STN4NF03L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.5 A, 0.05 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 3.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 7509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN4NF03LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 6.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN4NF03LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 6.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STN4NF03LSTMicroelectronicsN-канальный ПТ, Udss, В = 30, Id = 6,5 А, Ptot, Вт = 3,3, Тип монт. = smd, Qg, нКл = 9, Rds = 50 мОм @ 2 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 10 D, Входная ёмкость = 330 пФ @ 25 В,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
на замовлення 1584 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
4000+10.96 грн
Мінімальне замовлення: 1584 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN4NF03LSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 30 Volt 6.5 Amp
на замовлення 4849 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STN4NF03LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 6.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+26.11 грн
8000+24.84 грн
24000+24.05 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN4NF03LSTMSOT-223 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STN4NF03LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 6.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN4NF03LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 6.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+18.67 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN4NF03L
на замовлення 799 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STN4NF03LSTMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.5A; 3.3W; SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 3.3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 1927 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+43.35 грн
14+32.20 грн
50+26.75 грн
100+25.24 грн
250+23.73 грн
500+22.31 грн
1000+20.55 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN4NF03LSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 6.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
на замовлення 4319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.65 грн
10+51.48 грн
50+38.13 грн
100+31.73 грн
500+24.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.