Продукція > SUD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SUD50N03-10-T4
на замовлення 1588 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-10-T4VishayVishay OBSOLETE - USE SUD50N03-09P-E3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-10-T4-E3VishayVishay
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-10APVishay / SiliconixMOSFET 30V 20A 71W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-10APVISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-10AP-E3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 20A 71W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-10AP-E3VISHAY09+
на замовлення 396 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-10AP-T4VishayVishay OBSOLETE - USE SUD50N03-09P-E3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-10BPVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N048M8P4GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-10BP-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N048M8P4GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-10BP-T4Vishay / SiliconixMOSFET 30V N-CH 175DEG C RATED
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-10BP-T4
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-10BP-T4-E3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-10CPVISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-10CPVishay / SiliconixMOSFET N-CH 30V(D-S),175 C MOSFET PWM OPTIMIZED
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-10CP-E3VishayVishay OBSOLETE - USE SUD50N03-09P-E3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-10CP-T4VishayVishay
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-10CP-T4E3VishayVishay
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-10PVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQD50N04-5M6_GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-10PVISHAYSOT252/2.5
на замовлення 864 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-10P-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N048M8P4GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-10P-T4Vishay / SiliconixMOSFET 30V N-CH 10MOHM, 32M CELL TRENCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-11VISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-11*
на замовлення 34000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-11-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 50A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-12PVISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-12P-E3
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-12P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.5W (Ta), 46.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-12P-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 16.8A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Ta)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-16
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-16PVISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-16P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V TO252
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.5W (Ta), 40.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 37A (Tc)
FET Type: N-Channel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-16P-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.5W (Ta), 40.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 37A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-7M3P-E3
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N0307E3
на замовлення 3898 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04-05LVISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04-05L-E3VISHAYSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04-05L-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N048M8P4GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04-05L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 115A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04-06HVISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04-06H-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 40V 109A 136W 6.0mohm @ 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04-07-E3VISHAY0904+
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04-07LVISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04-07L-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 40V 65A 65W 7.4mohm @ 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04-09H-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 50A TO252
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04-09H-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 40V 50A 83.3W 9.0mohm @ 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04-16P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 9.8A/20A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1655 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 35.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04-37P-T4-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 5.4A/8A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 10.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04-8M8P-4BE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 14A
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.69 грн
5000+48.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04-8M8P-4BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 14A/50A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 48.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04-8M8P-4BE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 14A
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.69 грн
5000+48.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04-8M8P-4BE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 40V (D-S)
на замовлення 12065 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+164.19 грн
10+108.97 грн
100+64.10 грн
500+51.70 грн
1000+46.40 грн
2500+41.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04-8M8P-4BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 14A/50A DPAK
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 48.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04-8M8P-4GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+63.59 грн
307+46.12 грн
500+45.66 грн
Мінімальне замовлення: 223 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04-8M8P-4GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 48.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.59 грн
5000+41.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04-8M8P-4GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04-8M8P-4GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V 50A 48.1W 8.8mohm @ 10V
на замовлення 5601 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+165.01 грн
10+102.56 грн
100+61.73 грн
500+48.98 грн
1000+45.08 грн
2500+41.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04-8M8P-4GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUD50N04-8M8P-4GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 8800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 48.1W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
на замовлення 48439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+165.01 грн
10+83.72 грн
100+61.78 грн
500+39.17 грн
1000+31.49 грн
5000+25.85 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04-8M8P-4GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
399+35.51 грн
403+35.15 грн
424+33.43 грн
Мінімальне замовлення: 399 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04-8M8P-4GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+67.97 грн
25+63.38 грн
100+45.91 грн
500+43.82 грн
1000+39.11 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04-8M8P-4GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 48.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+158.33 грн
10+97.67 грн
100+66.30 грн
500+49.63 грн
1000+45.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04-8M8P-4GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 14A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 30.8W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
на замовлення 1559 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+135.47 грн
10+81.52 грн
100+50.74 грн
200+43.02 грн
500+35.47 грн
1000+33.29 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04-8M8P-4GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+38.46 грн
22+35.51 грн
25+35.15 грн
100+32.23 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04-8M8P-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
383+36.95 грн
399+35.47 грн
500+34.19 грн
1000+31.90 грн
2500+28.66 грн
Мінімальне замовлення: 383 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-07LVISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-07L-E3VISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-07L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 96A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-07L-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 96A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-07L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 96A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-07L-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 96A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-07L-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 96A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-07L-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 96A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-08HVISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-08H-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 60V 93A 136W 7.8mohm @ 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-08H-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 93A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-09-T1-E3
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-09LVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N06-09L-E3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-09LVISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-09L-E3VISHAYDescription: VISHAY - SUD50N06-09L-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0074 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 2702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+204.02 грн
50+186.14 грн
100+167.45 грн
500+143.41 грн
1000+112.87 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-09L-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+211.02 грн
10+153.13 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-09L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-09L-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V 50A 136W 9.3mohm @ 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-09L-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
135+105.26 грн
146+96.88 грн
151+94.18 грн
200+90.59 грн
500+79.67 грн
1000+74.06 грн
Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-09L-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 50A TO252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-09L-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+144.17 грн
4000+142.76 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-09L-E3VISHAYDescription: VISHAY - SUD50N06-09L-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0074 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 2702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+167.45 грн
500+143.41 грн
1000+112.87 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-09L-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-09L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO252
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+348.01 грн
10+221.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-09L-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+144.17 грн
4000+142.76 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-09L-E3
Код товару: 169164
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-09L-T1-E3
на замовлення 350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-12VISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-16VISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-16-E3
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-36-T4-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 60V 12A 24W 36mohm @ 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N10-18P
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N10-18P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 8.2A/50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N10-18P-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 8.2A/50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N10-34P-T4-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.9A/20A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7  [ Наступна Сторінка >> ]