Продукція > WNs
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| WNSC2M75120W6Q | WeEn Semiconductors | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30.3A; Idm: 80A; 231W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 30.3A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 231W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -4...18V On-state resistance: 0.105Ω Mounting: THT Gate charge: 62nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC2M75170B76J | WeEn Semiconductors | WNSC2M75170B7/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC2M75170RH6Q | WeEn Semiconductors | WNSC2M75170RH/HTO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC401200CWQ | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC401200CWQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 40 A, 86 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 86nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 104 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC401200CWQ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE SIL CARB 1200V 40A TO2473 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 810pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 40A Supplier Device Package: TO-247-3 Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Last Time Buy Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC401200CWQ | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D401200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC5D046506Q | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC5D04650/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC5D04650T6J | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC5D04650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC5D04650X6Q | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC5D04650X/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC5D04650X6Q | WeEn Semiconductors | Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220AC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC5D066506Q | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC5D06650/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC5D06650D6J | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC5D06650D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC5D06650T6J | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC5D06650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC5D06650X6Q | WeEn Semiconductors | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 201pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC5D06650X6Q | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC5D06650X/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC5D06650Y6Q | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNSC5D06650Y/IITO220-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC5D08650D6J | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC5D08650D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC5D08650T6J | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC5D08650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC5D08650X6Q | WeEn Semiconductors | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220FP-2; tube Mounting: THT Max. forward impulse current: 40A Max. forward voltage: 1.7V Technology: SiC Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A Max. load current: 16A Kind of package: tube Semiconductor structure: single diode Case: TO220FP-2 Type of diode: Schottky rectifying | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC5D08650X6Q | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC5D08650X/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC5D106506Q | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC5D10650/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC5D10650B6J | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC5D10650B/TO263/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC5D10650D6J | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNSC5D10650D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC5D10650T6J | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC5D10650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC5D10650W-A6Q | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC5D10650W-A/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC5D10650W6Q | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC5D10650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC5D10650X6Q | WeEn Semiconductors | Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC5D10650X6Q | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC5D10650X/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC5D10650X6Q | WeEn Semiconductors | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220FP-2; tube Mounting: THT Max. forward impulse current: 50A Max. forward voltage: 1.7V Technology: SiC Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A Max. load current: 20A Kind of package: tube Semiconductor structure: single diode Case: TO220FP-2 Type of diode: Schottky rectifying | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC5D126506Q | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC5D12650/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC5D126506Q | WeEn Semiconductors | Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 420pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC5D12650T6J | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC5D12650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC5D12650Y6Q | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC5D12650Y/IITO220-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC5D16650CW6Q | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC5D16650CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC5D206506Q | WeEn Semiconductors | Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 640pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC5D206506Q | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC5D20650/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC5D206506Q | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC5D206506Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 28 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 28nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 928 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC5D20650CJ6Q | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNSC5D20650CJ/SOT1293/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 960 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC5D20650W6Q | WeEn Semiconductors | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO247-2; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Case: TO247-2 Max. load current: 40A Max. forward impulse current: 100A Kind of package: tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC5D20650W6Q | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC5D20650W6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 28 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 28nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 376 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC5D20650W6Q | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC5D20650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC5D20650X6Q | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC5D20650X/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC5D20650X6Q | WeEn Semiconductors | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220FP-2; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Case: TO220FP-2 Max. forward voltage: 2.2V Max. load current: 40A Max. forward impulse current: 80A Kind of package: tube | на замовлення 776 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||
| WNSC5D208006Q | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC5D20800/SOD59A/STANDARD MARKING HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC5D30650CW6Q | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC5D30650CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC5D30650CW6Q | WeEn Semiconductors | Description: DIODE ARRAY SIC 650V 30A TO247-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A Supplier Device Package: TO-247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC5D30650W6Q | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC5D30650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC5RACK | American Power Conversion | Struxure Ware 5 Rack Installation Service | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC6D01650MBJ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 1A SMB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AA, SMB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SMB Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC6D01650MBJ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 1A SMB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AA, SMB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SMB Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC6D01650MBJ | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC6D01650MB/SMB/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | на замовлення 2955 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC6D02650D-A6J | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC6D02650D-A/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC6D02650D6J | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Schottky 650V 2A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC6D02650D6J | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC6D02650D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC6D02650P6X | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Schottky 700V 2A 2-Pin SOD-123 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC6D02650P6X | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC6D02650P/SOD123/REEL 7" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC6D046506Q | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC6D04650/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC6D04650Q | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC6D04650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | на замовлення 2888 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC6D04650Q | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D04650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 16 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 16nC euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A SVHC: To Be Advised Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC6D04650X6Q | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC6D04650X/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC6D06650D6J | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC6D06650D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC6D06650Q | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC6D06650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | на замовлення 9011 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC6D06650Q | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D06650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 16 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 16nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 3001 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC6D06650T6J | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC6D06650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC6D06650X6Q | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC6D06650X/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC6D06650Y6Q | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC6D06650Y/IITO220-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC6D08650D6J | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNSC6D08650D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC6D08650Q | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D08650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 19 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 19nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC6D08650Q | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC6D08650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | на замовлення 817 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC6D08650T6J | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC6D08650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC6D08650X6Q | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC6D08650X/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC6D106506Q | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC6D10650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC6D10650BT2-A6J | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC6D10650BT2-A/TO263-2L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC6D10650Q | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC6D10650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | на замовлення 1510 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC6D10650Q | WeEn Semiconductors | Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V | на замовлення 880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| WNSC6D10650Q | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D10650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 24 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 24nC euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A SVHC: To Be Advised Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 671 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC6D10650T6J | WeEn Semiconductors | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: 5-DFN (8x8) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC6D10650T6J | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC6D10650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC6D10650TT6J | WeEn Semiconductors | WNSC6D10650TT/TOLT/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC6D10650X6Q | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC6D10650X/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC6D10650X6Q | WeEn Semiconductors | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220FP-2; tube Mounting: THT Max. forward impulse current: 75A Technology: SiC Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A Max. load current: 20A Kind of package: tube Semiconductor structure: single diode Case: TO220FP-2 Type of diode: Schottky rectifying | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC6D10650X6Q | WeEn Semiconductors | Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220F | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC6D10650Y6Q | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC6D10650Y/IITO220-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC6D166506Q | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC6D16650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC6D166506Q | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D166506Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 16 A, 36 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 36nC euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A SVHC: To Be Advised Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC6D166506Q | WeEn Semiconductors | Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 16A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 16 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V | на замовлення 2976 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| WNSC6D16650B6J | WeEn Semiconductors | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 16A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 16A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 16 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| WNSC6D16650B6J | WeEn Semiconductors | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 16A; reel,tape Mounting: SMD Max. forward impulse current: 110A Technology: SiC Max. off-state voltage: 650V Load current: 16A Max. load current: 32A Kind of package: reel; tape Semiconductor structure: single diode Case: D2PAK Type of diode: Schottky rectifying | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC6D16650B6J | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D16650B6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 16 A, 36 nC, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Kapazitive Gesamtladung: 36nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC6D16650B6J | WeEn Semiconductors | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 16A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 16A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 16 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V | на замовлення 1863 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| WNSC6D16650B6J | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D16650B6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 16 A, 36 nC, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Kapazitive Gesamtladung: 36nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC6D16650CW6Q | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D16650CW6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 16 A, 36 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 36nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC6D16650CW6Q | WeEn Semiconductors | Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 16A Supplier Device Package: TO-247-3 Operating Temperature - Junction: 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 16 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V | на замовлення 2985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| WNSC6D16650CW6Q | WeEn Semiconductors | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 16A; TO247-3; tube Mounting: THT Max. forward impulse current: 110A Max. forward voltage: 1.65V Technology: SiC Max. off-state voltage: 650V Load current: 16A Max. load current: 32A Kind of package: tube Semiconductor structure: single diode Case: TO247-3 Type of diode: Schottky rectifying | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC6D16650CW6Q | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC6D16650CW/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | на замовлення 430 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC6D16650X6Q | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC6D16650X/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC6D16650YQ | WeEn Semiconductors | WNSC6D16650Y/IITO220-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC6D20650-A6Q | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC6D20650-A/TO220-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC6D206506Q | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC6D20650/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WNSC6D20650B6J | WeEn Semiconductors | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 20A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 650V Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Case: D2PAK Max. forward voltage: 1.8V Max. forward impulse current: 120A Kind of package: reel; tape Max. load current: 40A | на замовлення 784 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|