Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 22 44 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRF1018EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
99+143.72 грн
165+85.91 грн
203+69.55 грн
500+53.56 грн
Мінімальне замовлення: 99 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
686+51.47 грн
1000+47.46 грн
Мінімальне замовлення: 686 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018EPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
686+51.47 грн
1000+47.46 грн
Мінімальне замовлення: 686 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+49.58 грн
2000+46.53 грн
5000+43.15 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 13600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+92.92 грн
193+73.33 грн
500+57.31 грн
1000+46.76 грн
2000+40.61 грн
5000+36.13 грн
10000+34.59 грн
Мінімальне замовлення: 152 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 31500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
686+51.47 грн
1000+47.46 грн
10000+42.33 грн
Мінімальне замовлення: 686 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018EPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1018EPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 7100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7100µohm
на замовлення 1994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018EPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 60V 79A 8.4mOhm 46nC Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018EPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 79A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V
на замовлення 5153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.48 грн
10+77.27 грн
100+51.44 грн
500+37.87 грн
1000+34.52 грн
2000+31.71 грн
5000+28.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+49.58 грн
2000+46.53 грн
5000+43.15 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
268+52.69 грн
298+47.51 грн
500+42.03 грн
1000+36.99 грн
Мінімальне замовлення: 268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018EPBF
Код товару: 98648
1 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 79 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 7,1 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2290/46
Монтаж: THT
у наявності: 196 шт
  • 143 шт - склад
  • 53 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+44.00 грн
10+39.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 13600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+169.90 грн
10+92.22 грн
100+72.76 грн
500+54.84 грн
1000+42.97 грн
2000+38.70 грн
5000+35.85 грн
10000+34.33 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+64.78 грн
15+52.69 грн
100+47.51 грн
500+40.53 грн
1000+34.25 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ES
Код товару: 99459
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 79 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 7,1 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2290/46
товару немає в наявності
1+31.50 грн
10+30.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ES-GURTInternational RectifierN-MOSFET HEXFET 60V 79A 110W 0,0084Ω IRF1018ES TIRF1018es
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+120.42 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESLInfineon TechnologiesArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 79A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 60V 1 N-CH HEXFET 8.4mOhms 46nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESPBFInfineon TechnologiesMOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 8.4mOhms 46nC
на замовлення 869 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF1018ESPBF - IRF1018E - HEXFET POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 60V 79A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBF
Код товару: 203741
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+176.44 грн
84+168.22 грн
87+162.74 грн
90+152.42 грн
137+91.98 грн
250+87.42 грн
500+86.54 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1018ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 8400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 60V 79A 8.4mOhm 46nC Qg
на замовлення 481 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1018ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 8400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1059MSIOR2007
на замовлення 6265 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1059MSPBFIOR2007
на замовлення 7481 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1059TRPBFIOR2006
на замовлення 9745 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104International RectifierN-MOSFET HEXFET 40V 100A 2.4W 0,009Ω IRF1104 TIRF1104
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+95.40 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TO262
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TO262
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1104PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 9000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
273+129.36 грн
500+116.42 грн
1000+107.37 грн
Мінімальне замовлення: 273 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 2.2mOhms 43nC
на замовлення 5911 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBFIRF1104PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 104 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
273+129.36 грн
500+116.42 грн
1000+107.37 грн
Мінімальне замовлення: 273 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+86.99 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBF
Код товару: 28062
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 40 В
Струм стоку Idd, А: 100 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,009 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2900/93
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+81.10 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
273+129.36 грн
500+116.42 грн
1000+107.37 грн
Мінімальне замовлення: 273 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBFInfineonMOSFET N-CH 40V 100A TO220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 8228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.45 грн
50+77.84 грн
100+70.08 грн
500+54.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+65.79 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBF..INFINEONDescription: INFINEON - IRF1104PBF.. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.009 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 100
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 170
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 170
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104SIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 170W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 60A, 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 170W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 60A, 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF110JIR00+ TO-220
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF11N50IR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF11N50APBF
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF120International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(2+Tab) TO-204AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF120Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
133+151.53 грн
Мінімальне замовлення: 133 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF120HARRISIRF120
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
175+202.27 грн
Мінімальне замовлення: 175 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF120IR/MOT
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF120Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF120CECCInternational RectifierDescription: MOSFET 100V 9.2A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF120PBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF121IR/MOT
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF121-0001Harris CorporationDescription: 9.2A, 80V, 0.27OHM, N CHANNEL MO
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
312+66.01 грн
Мінімальне замовлення: 312 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF122International RectifierDescription: 8.0A, 100V, 0.36 OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
на замовлення 731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
341+63.54 грн
Мінімальне замовлення: 341 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF122IR/MOT
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF123IR/MOT
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF123International RectifierDescription: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
442+49.79 грн
Мінімальне замовлення: 442 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF12543G1IOR01+
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1282IOR02+ SMD-8
на замовлення 380 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1282TRPBFIR09+
на замовлення 20018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF130International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) TO-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF130IR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF130Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1302HRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1302SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 174A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 104A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1302SIRTO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1302SHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF130PBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF130SMD05DSG.01Welwyn Components / TT ElectronicsMOSFETs PACIFIC SCIENTIFIC /COMPUTROL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF131IR/MOT
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310IR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310N
Код товару: 26596
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310N-MLMOSLEADERTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 40mOhm; 30A; 125W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1310N; SP001553864; IRF1310N-ML MOSLEADER TIRF1310 MOS
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+33.29 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1310NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 41 A, 0.036 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+117.53 грн
122+116.36 грн
133+106.59 грн
500+84.33 грн
1000+72.34 грн
2000+65.67 грн
Мінімальне замовлення: 121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 73.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
на замовлення 1169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.35 грн
50+87.22 грн
100+78.39 грн
500+59.04 грн
1000+54.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+117.53 грн
50+116.36 грн
100+106.59 грн
500+84.33 грн
1000+72.34 грн
2000+65.67 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
686+56.17 грн
Мінімальне замовлення: 686 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 30159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+96.03 грн
50+95.06 грн
100+89.33 грн
500+74.00 грн
1000+64.51 грн
2000+59.21 грн
5000+58.61 грн
10000+58.03 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 30159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+80.39 грн
Мінімальне замовлення: 176 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 686 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 42A 36mOhm 73.3nC
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 22 44 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]