Продукція > BUK
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BUK9Y40-55B/C3,115 | Nexperia USA Inc. | Description: BUK9Y40-55B - N-CHANNEL TRENCHMO | на замовлення 28856 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 498 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y4055B | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK9Y41-80E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 24A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y41-80E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 24A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y41-80E,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 80V 24A LFPAK56 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Power Dissipation (Max): 64W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-100, SOT-669 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y41-80E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 24A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y41-80E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 24A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y41-80E,115 | Nexperia | MOSFETs SOT669 N-CH 80V 24A | на замовлення 39977 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y41-80E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 24A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y41-80E,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 80V 24A LFPAK56 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Power Dissipation (Max): 64W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-100, SOT-669 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2133 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y41-80E/GFX | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH LFPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y43-60E | Nexperia | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y43-60E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 22A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y43-60E,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9Y43-60E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 22 A, 0.031 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 1478 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y43-60E,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 22A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 31500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y43-60E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 22A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y43-60E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 22A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y43-60E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 22A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y43-60E,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9Y43-60E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 22 A, 0.031 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 1478 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y43-60E,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 22A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 31753 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y43-60E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 22A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y43-60E,115 | Nexperia | MOSFETs N-channel 40 V, 4.4 mohm logic level MOSFET in LFPAK56 | на замовлення 10926 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y43-60E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 22A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y43-60E/GFX | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH LFPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y4R4-40E | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y4R4-40E,115 | Nexperia | MOSFETs BUK9Y4R4-40E/SOT669/LFPAK | на замовлення 2611 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y4R4-40E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y4R4-40E,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9Y4R4-40E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0031 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 147W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 2297 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y4R4-40E,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 147W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4077 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y4R4-40E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y4R4-40E,115 | Nexperia | MOSFET N-channel 40 V 4.4 mo FET Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y4R4-40E,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9Y4R4-40E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0031 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 147W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2751 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y4R4-40E,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4077 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.8 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Power Dissipation (Max): 147W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-100, SOT-669 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y4R8-60E | Nexperia | Nexperia | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y4R8-60E,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 238W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7853 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y4R8-60E,115 | Nexperia | MOSFETs SOT669 N-CH 60V 100A | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y4R8-60E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y4R8-60E,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9Y4R8-60E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2900 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 238W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 1327 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y4R8-60E,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 238W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7853 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4157 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y4R8-60E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 10500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y4R8-60RAX | Nexperia USA Inc. | Description: BUK9Y4R8-60RA/SOT669/LFPAK Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y4R8-60RAX | Nexperia USA Inc. | Description: BUK9Y4R8-60RA/SOT669/LFPAK Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 1471 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y4R8-60RAX | Nexperia | MOSFETs BUK9Y4R8-60RA/SOT669/LFPAK | на замовлення 857 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y53-100B | Nexperia | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y53-100B,115 | Nexperia | MOSFETs SOT669 100V 23A | на замовлення 12453 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y53-100B,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 23A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y53-100B,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 23A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y53-100B,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 23A LFPAK56 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±15V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-100, SOT-669 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y53-100B,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 23A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y53-100B,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 23A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y53-100B,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9Y53-100B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 23 A, 0.041 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pins Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 5804 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y53-100B,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 23A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y53-100B,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 23A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y53-100B,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 23A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y53-100B,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 23A LFPAK56 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±15V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-100, SOT-669 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 19926 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y53-100B,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9Y53-100B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 23 A, 0.041 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 5317 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y58-75B | Nexperia | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y58-75B,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 75V 20.73A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y58-75B,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 75V 20.73A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.73A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 60.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1137 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 11580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y58-75B,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9Y58-75B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 20.73 A, 0.047 ohm, SC-100, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 20.73A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.65V euEccn: NLR Verlustleistung: 60.4W Bauform - Transistor: SC-100 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y58-75B,115 | Nexperia | MOSFETs SOT669 N-CH 75V 20.73A | на замовлення 138436 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y58-75B,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 75V 20.73A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y58-75B,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 75V 20.73A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.73A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 60.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1137 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 10500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y58-75B,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 75V 20.73A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y59-60E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH Si 60V 16.7A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 2110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y59-60E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH Si 60V 16.7A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y59-60E,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 16.7A LFPAK56 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Power Dissipation (Max): 37W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-100, SOT-669 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y59-60E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH Si 60V 16.7A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 2110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y59-60E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH Si 60V 16.7A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y59-60E,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 16.7A LFPAK56 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Power Dissipation (Max): 37W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-100, SOT-669 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y59-60E,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9Y59-60E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 16.7 A, 0.044 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 16.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 37W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 1158 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y59-60E,115 | Nexperia | MOSFETs BUK9Y59-60E/SOT669/LFPAK | на замовлення 109158 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y59-60E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH Si 60V 16.7A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y65-100E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 19A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 2685 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y65-100E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 19A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y65-100E,115 | Nexperia | MOSFETs BUK9Y65-100E/SOT669/LFPAK | на замовлення 10858 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y65-100E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 19A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y65-100E,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 19A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63.3mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 64W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1523 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2822 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y65-100E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 19A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y65-100E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 19A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 2685 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y65-100E,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 19A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63.3mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 64W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1523 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y6R0-60E,115 | Nexperia | MOSFETs BUK9Y6R0-60E/SOT669/LFPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y6R0-60E,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39.4 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6319 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y6R0-60E,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9Y6R0-60E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 4000 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 195W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 6431 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y6R0-60E,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39.4 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6319 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y6R0-60E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 378 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y6R0-60RAX | Nexperia USA Inc. | Description: BUK9Y6R0-60RA/SOT669/LFPAK Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y6R0-60RAX | Nexperia | MOSFETs BUK9Y6R0-60RA/SOT669/LFPAK | на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y6R0-60RAX | Nexperia USA Inc. | Description: BUK9Y6R0-60RA/SOT669/LFPAK Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 1490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y6R5-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 70A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y6R5-40HX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK56 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2036 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA Power Dissipation (Max): 64W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-100, SOT-669 Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | на замовлення 2360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y6R5-40HX | Nexperia | MOSFETs BUK9Y6R5-40H/SOT669/LFPAK | на замовлення 2895 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y6R5-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 70A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y6R5-40HX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 64W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2036 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y72-80E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 15A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y72-80E,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 80V 15A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 898 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y72-80E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 15A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y72-80E,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 80V 15A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 898 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y72-80E,115 | Nexperia | MOSFETs BUK9Y72-80E/SOT669/LFPAK | на замовлення 9235 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y72-80E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 15A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

