Продукція > S29
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| S29GL512S10TFI013 | INFINEON | Description: INFINEON - S29GL512S10TFI013 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, Parallel, TSOP, 56 Pin(s) rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Parallel-NOR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Speicherdichte: 512Mbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 100ns Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 56Pin(s) Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 966 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512S10TFI013 | Infineon Technologies | Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 56-TSOP Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Memory Interface: Parallel Access Time: 100 ns Memory Organization: 32M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512S10TFI013 | Infineon Technologies | NOR Flash 512MB 3V 100ns Parallel NOR Flash | на замовлення 1100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512S10TFI013 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: Parallel FLASH memories - integ. circ. Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; TSOP56 Type of integrated circuit: FLASH memory Kind of memory: NOR Memory: 512Mb FLASH Interface: CFI; parallel Operating voltage: 2.7...3.6V Access time: 100ns Case: TSOP56 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: reel; tape | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512S10TFI020 | Infineon Technologies | NOR Flash 512Mb 3V 100ns Parallel NOR Flash | на замовлення 890 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512S10TFI020 | Cypress Semiconductor | MEMORY, FLASH, 512MB, 3V, 56TSOP Мікропроцесори, мікроконтролери | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512S10TFI020 | Infineon Technologies | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 100ns 56-Pin TSOP Tray | на замовлення 447 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| S29GL512S10TFI020 | Infineon Technologies | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 100ns 56-Pin TSOP Tray | на замовлення 447 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| S29GL512S10TFI020 | Cypress / Spansion | NOR Flash 512Mb 3V 100ns Parallel NOR Flash | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512S10TFI020 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: Parallel FLASH memories - integ. circ. Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; TSOP56; in-tray Type of integrated circuit: FLASH memory Kind of memory: NOR Memory: 512Mb FLASH Interface: CFI; parallel Operating voltage: 2.7...3.6V Access time: 100ns Case: TSOP56 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 910 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512S10TFI020 | Infineon Technologies | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 100ns 56-Pin TSOP Tray | на замовлення 1807 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| S29GL512S10TFI020 | Infineon Technologies | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 100ns 56-Pin TSOP Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 910 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512S10TFI020 | Infineon Technologies | Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56TSOP Packaging: Tray Package / Case: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 56-TSOP Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Memory Interface: Parallel Access Time: 100 ns Memory Organization: 32M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 364 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| S29GL512S10TFI023 | Infineon Technologies | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 100ns 56-Pin TSOP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512S10TFI023 | Infineon Technologies | Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 56-TSOP Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Memory Interface: Parallel Access Time: 100 ns Memory Organization: 32M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| S29GL512S10TFI023 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: Parallel FLASH memories - integ. circ. Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; TSOP56 Type of integrated circuit: FLASH memory Kind of memory: NOR Memory: 512Mb FLASH Interface: CFI; parallel Operating voltage: 2.7...3.6V Access time: 100ns Case: TSOP56 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: reel; tape | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512S10TFI023 | Infineon Technologies | NOR Flash PNOR | на замовлення 399 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512S10TFI023 | Infineon Technologies | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 100ns 56-Pin TSOP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| S29GL512S10TFI023 | Infineon Technologies | Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 56-TSOP Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Memory Interface: Parallel Access Time: 100 ns Memory Organization: 32M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512S10TFI023 | Cypress Semiconductor | NOR Flash Nor | на замовлення 990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHA010 | Infineon Technologies | NOR Flash IC 512 Mb FLASH MEMORY | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHA010 | Infineon Technologies | Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA Packaging: Tray Package / Case: 64-LBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9) Grade: Automotive Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Memory Interface: Parallel Access Time: 110 ns Memory Organization: 32M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHA010 | Cypress Semiconductor | NOR Flash IC 512 Mb FLASH MEMORY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHA013 | Cypress Semiconductor | NOR Flash IC 512M FLASH MEMORY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHA013 | Infineon Technologies | Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 64-LBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9) Grade: Automotive Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Memory Interface: Parallel Access Time: 110 ns Memory Organization: 32M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHA020 | Infineon Technologies | NOR Flash PNOR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHA020 | Cypress Semiconductor | NOR Flash Nor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHA020 | Cypress Semiconductor | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 110ns Automotive 64-Pin Fortified BGA Tray | на замовлення 2600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHA020 | Spansion | Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA Packaging: Bulk Package / Case: 64-LBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9) Grade: Automotive Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Memory Interface: Parallel Access Time: 110 ns Memory Organization: 32M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 6386 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHA023 | Infineon Technologies | Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 64-LBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9) Grade: Automotive Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Memory Interface: Parallel Access Time: 110 ns Memory Organization: 32M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 2102 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHA023 | Infineon Technologies | Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 64-LBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9) Grade: Automotive Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Memory Interface: Parallel Access Time: 110 ns Memory Organization: 32M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHA023 | Cypress Semiconductor | NOR Flash Nor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHAV10 | Cypress Semiconductor | NOR Flash Nor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHAV10 | Infineon Technologies | Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA Packaging: Tray Package / Case: 64-LBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Memory Interface: Parallel Access Time: 110 ns Memory Organization: 32M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHAV23 | Cypress Semiconductor | NOR Flash Nor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHAV23 | Infineon Technologies | Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 64-LBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Memory Interface: Parallel Access Time: 110 ns Memory Organization: 32M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHAV23 | Infineon Technologies | NOR Flash PNOR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHB010 | Infineon Technologies | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray Automotive AEC-Q100 | на замовлення 4680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHB010 | Cypress Semiconductor | NOR Flash Nor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHB010 | Infineon Technologies | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray Automotive AEC-Q100 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHB010 | Infineon Technologies | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 110ns Automotive AEC-Q100 64-Pin Fortified BGA Tray | на замовлення 6760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHB010 | Cypress Semiconductor | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 110ns Automotive 64-Pin Fortified BGA Tray | на замовлення 540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHB010 | Infineon Technologies | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray Automotive AEC-Q100 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHB010 | Infineon Technologies | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray Automotive AEC-Q100 | на замовлення 311 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHB010 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: Parallel FLASH memories - integ. circ. Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 110ns; BGA64; parallel Type of integrated circuit: FLASH memory Kind of memory: NOR Memory: 512Mb FLASH Interface: CFI; parallel Operating voltage: 2.7...3.6V Access time: 110ns Case: BGA64 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...105°C Kind of package: in-tray Application: automotive | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHB010 | Infineon Technologies | NOR Flash PNOR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHB010 | Infineon Technologies | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray Automotive AEC-Q100 | на замовлення 4680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHB010 | Infineon Technologies | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray Automotive AEC-Q100 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHB010 | Infineon Technologies | Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA Packaging: Tray Package / Case: 64-LBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9) Grade: Automotive Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Memory Interface: Parallel Access Time: 110 ns Memory Organization: 32M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHB013 | Cypress Semiconductor | NOR Flash Nor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHB013 | Infineon Technologies | Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 64-LBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9) Grade: Automotive Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Memory Interface: Parallel Access Time: 110 ns Memory Organization: 32M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHB020 | Infineon Technologies | Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA Packaging: Tray Package / Case: 64-LBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9) Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Memory Interface: Parallel Access Time: 110 ns Memory Organization: 32M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHB020 | Infineon Technologies | NOR Flash PNOR | на замовлення 315 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHB020 | Spansion | Description: FLASH, 64MX8, 110NS, PBGA64 | на замовлення 4806 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHB020 | Cypress Semiconductor | NOR Flash Nor | на замовлення 372 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHB023 | Cypress Semiconductor | NOR Flash Nor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHB023 | Infineon Technologies | Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 64-LBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9) Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Memory Interface: Parallel Access Time: 110 ns Memory Organization: 32M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHI010 | Infineon Technologies | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray | на замовлення 462 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHI010 | Infineon Technologies | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHI010 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: Parallel FLASH memories - integ. circ. Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 110ns; BGA64; parallel Type of integrated circuit: FLASH memory Kind of memory: NOR Memory: 512Mb FLASH Interface: CFI; parallel Operating voltage: 2.7...3.6V Access time: 110ns Case: BGA64 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray Output voltage: 2.7...3.6V DC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHI010 | Cypress Semiconductor | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray | на замовлення 2340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHI010 | Infineon Technologies | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray | на замовлення 157 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHI010 | Infineon Technologies | NOR Flash 512 MBIT 3V 110NS Parallel NOR Flash | на замовлення 1177 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHI010 | Infineon Technologies | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray | на замовлення 462 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHI010 | Infineon Technologies | Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA Packaging: Tray Package / Case: 64-LBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Memory Interface: Parallel Access Time: 110 ns Memory Organization: 32M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHI020 | Infineon Technologies | NOR Flash 512 MBIT 3V 110NS Parallel NOR Flash | на замовлення 3467 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHI020 | Infineon Technologies | Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA Packaging: Tray Package / Case: 64-LBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Memory Interface: Parallel Access Time: 110 ns Memory Organization: 32M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHI020 | Cypress Semiconductor | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 260 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHI020 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: Parallel FLASH memories - integ. circ. Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 110ns; BGA64; parallel Type of integrated circuit: FLASH memory Kind of memory: NOR Memory: 512Mb FLASH Interface: CFI; parallel Operating voltage: 2.7...3.6V Access time: 110ns Case: BGA64 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray Output voltage: 2.7...3.6V DC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHI020 | Cypress Semiconductor | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray | на замовлення 132 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHI023 | Infineon Technologies | Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 64-LBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Memory Interface: Parallel Access Time: 110 ns Memory Organization: 32M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHI023 | Infineon Technologies | NOR Flash PNOR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHI023 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: Parallel FLASH memories - integ. circ. Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 110ns; BGA64; parallel Type of integrated circuit: FLASH memory Kind of memory: NOR Memory: 512Mb FLASH Interface: CFI; parallel Operating voltage: 2.7...3.6V Access time: 110ns Case: BGA64 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: reel; tape Output voltage: 2.7...3.6V DC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHI023 | Cypress Semiconductor | NOR Flash Nor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHIV10 | Infineon Technologies | NOR Flash 512 MBIT 3V 110NS Parallel NOR Flash | на замовлення 233 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHIV10 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: Parallel FLASH memories - integ. circ. Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 110ns; BGA64; parallel Type of integrated circuit: FLASH memory Kind of memory: NOR Memory: 512Mb FLASH Interface: CFI; parallel Operating voltage: 2.7...3.6V Access time: 110ns Case: BGA64 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray Output voltage: 1.65...3.6V DC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHIV10 | Infineon Technologies | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray | на замовлення 268 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHIV10 | Infineon Technologies | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray | на замовлення 268 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHIV10 | Infineon Technologies | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray | на замовлення 968 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHIV10 | Infineon Technologies | Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA Packaging: Tray Package / Case: 64-LBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Memory Interface: Parallel Access Time: 110 ns Memory Organization: 32M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHIV10 | Infineon Technologies | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHIV10 | Infineon Technologies | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHIV13 | Infineon Technologies | Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 64-LBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Memory Interface: Parallel Access Time: 110 ns Memory Organization: 32M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHIV13 | Cypress Semiconductor | NOR Flash Nor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHIV20 | Cypress Semiconductor | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray | на замовлення 38 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHIV20 | Infineon Technologies | NOR Flash 512 MBIT 3V 110NS Parallel NOR Flash | на замовлення 1705 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHIV20 | Cypress Semiconductor | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray | на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHIV20 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: Parallel FLASH memories - integ. circ. Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 110ns; BGA64; parallel Type of integrated circuit: FLASH memory Kind of memory: NOR Memory: 512Mb FLASH Interface: CFI; parallel Operating voltage: 2.7...3.6V Access time: 110ns Case: BGA64 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray Output voltage: 1.65...3.6V DC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHIV20 | Infineon Technologies | Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA Packaging: Tray Package / Case: 64-LBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Memory Interface: Parallel Access Time: 110 ns Memory Organization: 32M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 3745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHIV23 | Infineon Technologies | Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 64-LBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Memory Interface: Parallel Access Time: 110 ns Memory Organization: 32M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 2200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHIV23 | INFINEON | Description: INFINEON - S29GL512S11DHIV23 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512 Mbit, 32M x 16 Bit, Parallel, FBGA, 64 Pin(s) tariffCode: 85423290 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Parallel-NOR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 512Mbit Zugriffszeit: 110ns Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 64Pin(s) Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 3A991.b.1.a Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit | на замовлення 2134 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHIV23 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: Parallel FLASH memories - integ. circ. Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 110ns; BGA64; parallel Type of integrated circuit: FLASH memory Kind of memory: NOR Memory: 512Mb FLASH Interface: CFI; parallel Operating voltage: 2.7...3.6V Access time: 110ns Case: BGA64 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: reel; tape Output voltage: 1.65...3.6V DC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHIV23 | Infineon Technologies | Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 64-LBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Memory Interface: Parallel Access Time: 110 ns Memory Organization: 32M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 2200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHIV23 | INFINEON | Description: INFINEON - S29GL512S11DHIV23 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512 Mbit, 32M x 16 Bit, Parallel, FBGA, 64 Pin(s) tariffCode: 85423290 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Parallel-NOR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 512Mbit Zugriffszeit: 110ns Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 64Pin(s) Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 3A991.b.1.a Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit | на замовлення 2134 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHIV23 | Infineon Technologies | NOR Flash PNOR | на замовлення 1763 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHSS10 | Infineon Technologies | NOR Flash Nor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHSS10 | Infineon Technologies | Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA Packaging: Tray Package / Case: 64-LBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Memory Interface: Parallel Access Time: 110 ns Memory Organization: 32M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHSS20 | Cypress Semiconductor | NOR Flash Nor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHSS20 | Infineon Technologies | Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA Packaging: Tray Package / Case: 64-LBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Memory Interface: Parallel Access Time: 110 ns Memory Organization: 32M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| S29GL512S11DHSS20 | Infineon Technologies | NOR Flash PNOR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2600 шт В кошику од. на суму грн. |

