Продукція > Si4

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 12 18 24 30 36 42 48 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 66 67  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI4850EY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
101+139.37 грн
102+138.02 грн
144+98.05 грн
250+91.99 грн
500+48.70 грн
Мінімальне замовлення: 101 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850EY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 5729 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850EY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.66 грн
5000+37.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850EY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+190.50 грн
10+139.37 грн
25+138.02 грн
100+94.55 грн
250+85.18 грн
500+46.76 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850EY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 6A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.27 грн
10+109.18 грн
100+74.66 грн
500+56.21 грн
1000+51.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850EY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.66 грн
5000+37.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850EY-T1-E3Vishay SiliconixPBF Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850EY-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI4850EY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8.5 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 6270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850EY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+67.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850EY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 6A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850EY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850EY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850EY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
183+76.86 грн
185+75.97 грн
196+71.75 грн
250+68.85 грн
500+62.87 грн
1000+59.52 грн
3000+58.68 грн
Мінімальне замовлення: 183 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850EY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4850EY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850EY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+76.86 грн
25+75.97 грн
100+69.19 грн
250+63.75 грн
500+60.35 грн
1000+59.52 грн
3000+58.68 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850EY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
на замовлення 2873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+156.26 грн
10+101.62 грн
100+74.24 грн
500+58.46 грн
1000+53.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850EY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850EY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 6709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850EY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4850EY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.018 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 3282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850EY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 6A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+54.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850EYT1E3VISHAY
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4851SISOP-8
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4852
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4852DYVISHAY07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4852DY-T1
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4852DY-T1-E3VISHAYSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4853SIEMENS01+ SOP
на замовлення 2588 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4854
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4854DYVISHAY07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4854DY-T1 SOP-8VISHAY
на замовлення 7320 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4854DY-T1-E3VISHAYSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4854DYT1E3VISHAY
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4856SISOP-8
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4856ASIEMENS01+ SOP
на замовлення 1288 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4856ADT-T1-E3VISHAY
на замовлення 112 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4856ADY
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4856ADY-T1VISHAY09+
на замовлення 342 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4856ADY-T1-E3
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4856ADYT1E3VISHAY
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4856DY-T1Vishay09+
на замовлення 1078 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4856DY-T1-E3VISHAY07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4856DYT1E3VISHAY
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4858DYVISHAY07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4858DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4858DY-T1-E3VISHAYSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4858DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4858DYT1E3VISHAY
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4860SIEMENS01+ SOP
на замовлення 175 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4860DYVISHAY07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4860DY-T1-E3VISHAY07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4860DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si4860DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4860DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4860DYT1E3VISHAY
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4862DYVISHAY07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4862DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 16V 17A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 16 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4862DY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFET 16 Volt 25 Amp 3.5W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4862DY-T1-E3VISHAYSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4862DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 16V 25A 3.5W 3.3mohm @ 4.5V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4862DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 16V 17A 8SO
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 16 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4862DYT1E3VISHAY
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4864BDY-T1-E3VISHAYSMD
на замовлення 86200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4864DYVISHAY07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4864DY -T1-E3
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4864DY-T1VISHAY2005
на замовлення 3845 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4864DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 17A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+204.27 грн
10+201.18 грн
25+198.09 грн
50+188.04 грн
100+171.35 грн
250+161.76 грн
500+159.11 грн
1000+156.47 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si4864DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 17A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si4864DY-T1-E3VISHAY07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4864DY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFET 20 Volt 25 Amp 3.5W
на замовлення 2466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4864DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 17A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+204.27 грн
70+201.18 грн
71+198.09 грн
73+188.04 грн
100+171.35 грн
250+161.76 грн
500+159.11 грн
1000+156.47 грн
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4864DY-T1-GE3
Код товару: 194029
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4864DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 25A 3.5W 3.5mohm @ 4.5V
на замовлення 518 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4864DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 17A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4864DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 17A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V
на замовлення 2203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+357.15 грн
10+228.96 грн
100+163.40 грн
500+127.03 грн
1000+118.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4864DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 17A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4864DYT1E3VISHAY
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4866SISOP-8
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4866BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 21.5A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4866BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 21.5A 8-SOIC
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4866BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 21.5A 8-SOIC
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4866BDY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 12V Vds 8V Vgs SO-8
на замовлення 4368 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4866BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 21.5A 8-SOIC
на замовлення 7138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4866BDY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 12V Vds 8V Vgs SO-8
на замовлення 2467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4866BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 21.5A 8-SOIC
на замовлення 7138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4866BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 21.5A 8-SOIC
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4866BDYT1E3VISHAY
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4866DYVISHAY07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4866DYVishay / SiliconixMOSFETs N-Ch 12 Volt 11 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si4866DY-E3
на замовлення 1048 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4866DY-T1SISOP8
на замовлення 8962 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4866DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 12V 11A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+43.91 грн
27+27.89 грн
50+16.14 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4866DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 11A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 17A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
на замовлення 3860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+214.75 грн
10+134.24 грн
100+92.62 грн
500+70.23 грн
1000+64.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4866DY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 12 Volt 11 Amp 3.0W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4866DY-T1-E3VISHAY07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4866DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 11A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 17A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+65.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4866DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 12V 17A 3.0W 5.5mohm @ 4.5V
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4866DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 11A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 17A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4866DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 12V 11A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4866DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 11A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 17A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4866DY-TI-E3
на замовлення 1708 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 12 18 24 30 36 42 48 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 66 67  [ Наступна Сторінка >> ]