Продукція > 2SK
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SK3634-Z-E1-AZ | Renesas Electronics | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3634-Z-E1-AZ | Renesas Electronics America Inc | Description: MOSFET N-CH 200V 6A TO252 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Supplier Device Package: TO-252 (MP-3Z) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3634-Z-E2-AZ | Renesas Electronics | Renesas Electronics | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3635 | Renesas Electronics | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3635-AY | Renesas Electronics | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3635-AZ | Renesas Electronics | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3635-Z-AZ | Renesas Electronics | Renesas Electronics | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3635-Z-AZ | NEC | 04+ | на замовлення 450 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3635-Z-AZ | Renesas Electronics Corporation | Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 1058 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SK3635-Z-E1-AZ | Renesas Electronics Corporation | Description: MOSFET N-CH 200V 8A TO252 Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 (MP-3Z) Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 10 V | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SK3635-Z-E1-AZ | Renesas Electronics | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3635-Z-E2-AZ | Renesas Electronics | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3638 | NEC | 04+ | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3638-ZK-E1 | на замовлення 4100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3639 | 05+ TO252 | на замовлення 28 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SK3639-ZK-E1 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3639-ZK-E1/JM | NEC | TO252 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK364 | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3640-ZK00082 | Renesas Electronics | Renesas Electronics | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3640-ZK00083 | Renesas Electronics | Renesas Electronics | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3641-ZK00084 | Renesas Electronics | Renesas Electronics | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3641-ZK00085 | Renesas Electronics | Renesas Electronics | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3642-ZK-E1-AZ | Renesas Electronics | Renesas Electronics | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3642-ZK00086 | Renesas Electronics | Renesas Electronics | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3643-ZK-E1-AZ | Renesas Electronics | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3643-ZK00088 | Renesas Electronics | Renesas Electronics | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3643-ZK00089 | Renesas Electronics | Renesas Electronics | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK365 | TOSHIBA | на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SK365-BL | TO92 | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SK3653 | на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3653B | NEC | 09+ | на замовлення 753036 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3653B-T1 | NEC | 08+ SOT-523 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3654W-S17-AY | Renesas | Description: 2SK3654 - Nch Single Power Mosfe Packaging: Bulk Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3654W-S17-AY | Renesas | 2SK3654W-S17-AY | на замовлення 29000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SK3656 | TOSHIBA | 09+ | на замовлення 30068 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3659-AZ | Renesas Electronics Corporation | Description: MOSFET N-CH 20V 65A TO220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 40A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 10 V | на замовлення 979 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SK366 | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3662 | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SK3662(F) | Toshiba | MOSFET Pb-F 220NIS2 UMOS,ACTIVE, | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3662(F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 60V 35A TO220NIS Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5120 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220NIS Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 18A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3663 | на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3663(0)-T1-A | Renesas Electronics | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3663-T1 | NEC | SOT23/SOT323 | на замовлення 1780 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3663-T1-A | NEC | 08+ LQFP100 | на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3663-T1-A | Renesas Electronics | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3663-T2-A | Renesas Electronics | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3664 | на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3664-T1-A | Renesas Electronics | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3664-T2-A | Renesas Electronics | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3664T1 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3666 | onsemi | JFET NCH J-FET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3666 | SANYO | 09+ | на замовлення 12018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3666-2-TB-E | ON Semiconductor | Trans JFET N-CH 30V 10mA 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 162892 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SK3666-2-TB-E | ON Semiconductor | JFET SWITCHING DEVICE | на замовлення 5113 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3666-2-TB-E | ON Semiconductor | Trans JFET N-CH 30V 10mA 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 159000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SK3666-2-TB-E | ON-Semiconductor | JFET N-Channel 10mA 200mW Surface Mount 3-CP 2SK3666-3-TB-E SOT23-3 T2SK3666-3-tb-e кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 175 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SK3666-2-TB-E | ON Semiconductor | Trans JFET N-CH 30V 10mA 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 111423 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SK3666-2-TB-E | onsemi | Description: JFET NCH 30V 200MW 3CP Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3666-2-TB-E | ON Semiconductor | Trans JFET N-CH 30V 10mA 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 21161 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SK3666-2-TB-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SK3666-2-TB-E - TRANSISTOR, JFET, N-CH, -0.95V, SOT-23 tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 184059 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SK3666-2-TB-E | onsemi | Description: JFET NCH 30V 200MW 3CP Packaging: Bulk Part Status: Obsolete | на замовлення 440982 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SK3666-3-TB-E | onsemi | Description: JFET N-CH 10MA SMCP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V Current Drain (Id) - Max: 10 mA Supplier Device Package: SMCP Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Power - Max: 200 mW Resistance - RDS(On): 200 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 180 mV @ 1 µA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2 mA @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3666-3-TB-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SK3666-3-TB-E - JFET-Transistor, 3 mA, -2.2 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 3mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: - Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -2.2V SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 814520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SK3666-3-TB-E | ON Semiconductor | Trans JFET N-CH 30V 10mA 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 38989 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SK3666-3-TB-E | onsemi | Description: JFET N-CH 10MA SMCP Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V Current Drain (Id) - Max: 10 mA Supplier Device Package: SMCP Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Power - Max: 200 mW Resistance - RDS(On): 200 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 180 mV @ 1 µA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2 mA @ 10 V | на замовлення 673245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SK3666-3-TB-E | ON Semiconductor | JFET SWITCHING DEVICE | на замовлення 5502 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3666-3-TB-E | ON Semiconductor | Trans JFET N-CH 30V 10mA 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 38989 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SK3666-3-TB-E | ON Semiconductor | Trans JFET N-CH 30V 10mA 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 708454 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SK3666-4-TB-E | onsemi | Description: JFET N-CH 30V 10MA SMCP Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.5 mA @ 10 V Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 180 mV @ 1 µA Resistance - RDS(On): 200 Ohms Power - Max: 200 mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SMCP Current Drain (Id) - Max: 10 mA Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V FET Type: N-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3667 | Toshiba | MOSFETs N-Ch 600V 7.5A Rdson 1 Ohm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3667 Код товару: 45516
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 600 V Idd,A: 7,5 A Rds(on), Ohm: 0,75 Ohm Монтаж: THT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SK3667 (Q) | Toshiba | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3667(LBS1LG1,QM | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3667(Q) | Toshiba | MOSFET Pb-FF TO-220SIS,ACTIVE, | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3667(Q) | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS T/R | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3667(Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220SIS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3667(Q,M) | Toshiba | MOSFET MOSFET N-Ch, 600V, 7.5A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3667,LS1MAT1Q(J | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3667,LS2MATSQ(J | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3667,S5MATUDQ(J | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3667,S5MURATQ(J | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3667,S5Q(J | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3668-ZK-E1-AY | Renesas Electronics | Renesas Electronics | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3668-ZK-E1-AY | Renesas Electronics Corporation | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 20800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SK3668-ZK-E1-AZ | Renesas Electronics | Renesas Electronics | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3668-ZK-E2-AY | Renesas Electronics | Renesas Electronics | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3669 | Toshiba | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3669(T6L1S-OLNQ | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3669(T6L1SOY1NQ | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3669(TE16L1,NQ) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 100V 10A PW-MOLD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3669(TE16L1,NQ) | Toshiba | MOSFET Pb-FF PW-MOLD,ACTIVE, | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3669(TE16L1NQ) | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK367 | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3670 | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SK3670 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3670(F) | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 150V 0.67A 3-Pin TO-92 Mod | на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SK3670(F,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH TO92MOD Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 670mA (Tj) Supplier Device Package: TO-92MOD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3670(T6CANO,A,F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH TO92MOD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3670(T6CANO,F,M | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH TO92MOD Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 670mA (Tj) Supplier Device Package: TO-92MOD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3670,F(J | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH TO92MOD Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 670mA (Tj) Supplier Device Package: TO-92MOD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

