Продукція > 2Sk
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SK3662 | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SK3662(F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 60V 35A TO220NIS Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5120 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220NIS Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 18A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3662(F) | Toshiba | MOSFET Pb-F 220NIS2 UMOS,ACTIVE, | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3663 | на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3663(0)-T1-A | Renesas Electronics | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3663-T1 | NEC | SOT23/SOT323 | на замовлення 1780 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3663-T1-A | NEC | 08+ LQFP100 | на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3663-T1-A | Renesas Electronics | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3663-T2-A | Renesas Electronics | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3664 | на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3664-T1-A | Renesas Electronics | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3664-T2-A | Renesas Electronics | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3664T1 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3666 | onsemi | JFET NCH J-FET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3666 | SANYO | 09+ | на замовлення 12018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3666-2-TB-E | ON Semiconductor | Trans JFET N-CH 30V 10mA 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 21161 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SK3666-2-TB-E | onsemi | Description: JFET NCH 30V 200MW 3CP Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3666-2-TB-E | ON-Semiconductor | JFET N-Channel 10mA 200mW Surface Mount 3-CP 2SK3666-3-TB-E SOT23-3 T2SK3666-3-tb-e кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 175 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SK3666-2-TB-E | ON Semiconductor | Trans JFET N-CH 30V 10mA 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 161392 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SK3666-2-TB-E | onsemi | JFETs SWITCHING DEVICE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3666-2-TB-E | ON Semiconductor | Trans JFET N-CH 30V 10mA 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 159000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SK3666-2-TB-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SK3666-2-TB-E - TRANSISTOR, JFET, N-CH, -0.95V, SOT-23 tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 184059 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3666-2-TB-E | onsemi | Description: JFET NCH 30V 200MW 3CP Packaging: Bulk Part Status: Obsolete | на замовлення 428982 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SK3666-2-TB-E | ON Semiconductor | Trans JFET N-CH 30V 10mA 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 87423 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SK3666-3-TB-E | ON Semiconductor | JFET SWITCHING DEVICE | на замовлення 5502 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3666-3-TB-E | ON Semiconductor | Trans JFET N-CH 30V 10mA 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 38989 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SK3666-3-TB-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SK3666-3-TB-E - JFET-Transistor, 3 mA, -2.2 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 3mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: - Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -2.2V SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 814520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3666-3-TB-E | ON Semiconductor | Trans JFET N-CH 30V 10mA 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 708454 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SK3666-3-TB-E | ON Semiconductor | Trans JFET N-CH 30V 10mA 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 38989 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SK3666-3-TB-E | onsemi | Description: JFET N-CH 10MA SMCP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V Current Drain (Id) - Max: 10 mA Supplier Device Package: SMCP Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Power - Max: 200 mW Resistance - RDS(On): 200 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 180 mV @ 1 µA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2 mA @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3666-4-TB-E | onsemi | Description: JFET N-CH 30V 10MA SMCP Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.5 mA @ 10 V Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 180 mV @ 1 µA Resistance - RDS(On): 200 Ohms Power - Max: 200 mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SMCP Current Drain (Id) - Max: 10 mA Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V FET Type: N-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3667 Код товару: 45516
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Напруга сток-витік Uds, В: 600 В Струм стоку Idd, А: 7,5 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,75 Ом Монтаж: THT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SK3667 | Toshiba | MOSFETs N-Ch 600V 7.5A Rdson 1 Ohm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3667 (Q) | Toshiba | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3667(LBS1LG1,QM | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3667(Q) | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS T/R | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3667(Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220SIS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3667(Q) | Toshiba | MOSFET Pb-FF TO-220SIS,ACTIVE, | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3667(Q,M) | Toshiba | MOSFET MOSFET N-Ch, 600V, 7.5A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3667,LS1MAT1Q(J | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3667,LS2MATSQ(J | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3667,S5MATUDQ(J | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3667,S5MURATQ(J | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3667,S5Q(J | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3668-ZK-E1-AY | Renesas Electronics | Renesas Electronics | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3668-ZK-E1-AY | Renesas Electronics Corporation | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 20800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SK3668-ZK-E1-AZ | Renesas Electronics | Renesas Electronics | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3668-ZK-E2-AY | Renesas Electronics | Renesas Electronics | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3669 | Toshiba | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3669(T6L1S-OLNQ | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3669(T6L1SOY1NQ | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3669(TE16L1,NQ) | Toshiba | MOSFET Pb-FF PW-MOLD,ACTIVE, | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3669(TE16L1,NQ) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 100V 10A PW-MOLD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3669(TE16L1NQ) | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK367 | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3670 | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SK3670 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3670(F) | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 150V 0.67A 3-Pin TO-92 Mod | на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SK3670(F,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH TO92MOD Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 670mA (Tj) Supplier Device Package: TO-92MOD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3670(T6CANO,A,F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH TO92MOD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3670(T6CANO,F,M | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH TO92MOD Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 670mA (Tj) Supplier Device Package: TO-92MOD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3670,F(J | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH TO92MOD Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 670mA (Tj) Supplier Device Package: TO-92MOD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3670,F(M | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH TO92MOD Supplier Device Package: TO-92MOD Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 670mA (Tj) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3677 | на замовлення 13000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3677-01MR Код товару: 94489
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SK3679 | FUJI | TI220F 08+ | на замовлення 25000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3679 Код товару: 53845
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SK368 | TOSHIBA | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SK368-GR | TOSHIBA | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SK368-O | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3683-01MR | FUJ | 06+ | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3684-01LZ | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3684-01S-TE24R | на замовлення 978 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3687-01MR | FUJI | 05+06+ | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3688-01S-TE24R | Pb | на замовлення 66 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SK369 | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK369-BL | Toshiba | JFETs TO-92 FET(LF),ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04), | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK369-BL | TOS | 04+ SOP | на замовлення 30 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK369-GR | TOSHIBA | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SK369-GR | Toshiba | JFETs TO-92 FET(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-07), | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK369-GR(USSIF) | Toshiba | JFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK369-V(TPE2F) | Toshiba | JFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3697 Код товару: 167213
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SK3699 | на замовлення 3102 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK369BL | TOS | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SK369GRF | Toshiba | JFET Low Noise N-Ch VGDS -40V NF 1.0dB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK37 | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK370 | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK370-BL | Toshiba | JFET N-MINI FET(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-07), | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3700 | TOSHIBA | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SK3700(F) | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 900V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3700(F) | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 900V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3700(F) | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 900V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3700(F) | Toshiba | MOSFETs N-Ch 700V PWR FET ID 5A PD 150W 1150pF | на замовлення 160 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3700(F) | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 900V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3700(F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 900V 5A TO3P Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-3P(N) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK3700(F) транзистор Код товару: 205798
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SK3702 | Sanyo | Description: FOR 60V MOTOR DRIVERS Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 775 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220ML Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Bulk | на замовлення 30739 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SK3702 | Sanyo Electric | 2SK3702 | на замовлення 30739 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SK3702 | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SK3702 - 2SK3702, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 30739 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 479 шт В кошику од. на суму грн. |

