Продукція > BSP
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BSP19-QX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 350V 0.1A SOT-223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Frequency - Transition: 70MHz Supplier Device Package: SOT-223 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 1.2 W Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP19AT1 | MOT | SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP19AT1 | onsemi | Description: TRANS NPN 1A 350V SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP19AT1 1A/400V | Onsemi | SOT223 | на замовлення 14000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP19AT1/SP19A | ON | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BSP19AT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 350V 0.1A SOT223 Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Frequency - Transition: 70MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP19AT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 350V 0.1A SOT223 Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Cut Tape (CT) Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Frequency - Transition: 70MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP19AT1G | On Semiconductor | SOT223 Транзистори | на замовлення 5 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP19GEGSMD BSP19 | NXP | SOT223, PBFree Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP19TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 350V 0.5A SOT-223-3 Power - Max: 2 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-223-3 Frequency - Transition: 70MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP20 | PHILIPS | SOT-223 | на замовлення 43000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP20 | NXP | SOT223 NPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP202 | Dupli-Color | Description: PAINT SHOP FINISH SYSTEM BASE CO Packaging: Box Type: Paint Shop Base Coat Size: 32 oz Specifications: Brilliant Silver (Metallic) Part Status: Active Package Quantity: 2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP203 | Dupli-Color | Description: PAINT SHOP FINISH SYSTEM BASE CO Part Status: Active Specifications: Performance Red Size: 32 oz Type: Paint Shop Base Coat Packaging: Box Package Quantity: 2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP204 | PHILIPS | 07+ SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP205 | PHILIPS | 07+ SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP206 | PHILIPS | 07+ SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP207 | Dupli-Color | Description: PAINT SHOP FINISH SYSTEM BASE CO Packaging: Box Type: Paint Shop Base Coat Size: 32 oz Specifications: Hugger Orange Part Status: Active Package Quantity: 2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP209 | Dupli-Color | Description: PAINT SHOP FINISH SYSTEM BASE CO Packaging: Box Type: Paint Shop Base Coat Size: 32 oz Specifications: Dark Emerald Green Metallic Part Status: Active Package Quantity: 2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP220 | PHILIPS | 07+ SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP220 | Nexperia | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP220 T/R | NXP Semiconductors | MOSFET TAPE-7 MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP220,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 200V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP220,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 200V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 133 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 133 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP220,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 200V 225MA SOT223 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: SOT-223 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225mA (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 124 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP220,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 200V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 2422 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP220,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 200V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 16400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP220,115 | Nexperia | MOSFETs P-channel vertical D-MOS intermediate level FET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP220,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 200V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 133 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP220,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 200V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP220,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSP220,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 200 mA, 12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85423990 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4083 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP220,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 200V 225MA SOT223 Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: SOT-223 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225mA (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP220,115 | NXP | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP220,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 200V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP220,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 200V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP220,115 | NEXPERIA | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -220V; -0.225A; 1.5W; SC73,SOT223 Case: SC73; SOT223 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -220V Drain current: -0.225A Power dissipation: 1.5W On-state resistance: 12Ω Gate-source voltage: ±20V | на замовлення 44 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP225 | Nexperia | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP225 | PHI | SOT223 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP225 Код товару: 156034
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BSP225,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 250V 225MA SOT223 | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP225,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSP225,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 200 mA, 15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 15ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 5392 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP225,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 250V 225MA SOT223 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP225,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSP225,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 200 mA, 15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 15ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP225,115 | NEXPERIA | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.225A; 1.5W; SC73,SOT223 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -250V Drain current: -0.225A Power dissipation: 1.5W Case: SC73; SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 26 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP225,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 250V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP225,115 | Nexperia | MOSFETs BSP225/SOT223/SC-73 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP225,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 250V 225MA SOT223 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP225,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSP225,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 200 mA, 15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 15ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 5392 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP225,115 | NXP | MOSFET P-CH 250V 225MA SOT223 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP225/S911,115 | NXP Semiconductors | BSP225/S911,115 | на замовлення 313000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP225/S911115 | NXP | Description: NXP - BSP225/S911115 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 313000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP225/S911115 | NXP USA Inc. | Description: P-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk | на замовлення 313000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP230 | Nexperia | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP230 | PHILIPS | 07+ SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP230,135 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 300V 0.21A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP230,135 | NXP | MOSFET P-CH 300V 210MA SOT223 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP230,135 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 300V 210MA SOT223 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: SOT-223 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 1mA Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 170mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP230,135 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 300V 0.21A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP230,135 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 300V 0.21A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 36 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP230,135 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSP230,135 - Leistungs-MOSFET, D-MOS, p-Kanal, 300 V, 210 mA, 17 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300 Dauer-Drainstrom Id: 210 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 1.5 Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 17 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 2.8 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP230,135 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 300V 210MA SOT223 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: SOT-223 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 1mA Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 170mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP230,135 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 300V 0.21A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP230,135 | Nexperia | MOSFET BSP230/SOT223/SC-73 | на замовлення 241 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP230.115 Код товару: 130371
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BSP230.115 BSP230,115 | Nexperia | P-MOSFET, unipolar, -300V, -210mA, 1.5W, SOT223 Транзистори | на замовлення 8 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP250 | JGSEMI | Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 90mOhm; 5A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSP250,115; BSP250,135; BSP250 JGSEMI TBSP250 JGS кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 994 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP250 | Nexperia | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP250 T/R | NXP Semiconductors | MOSFETs TAPE-7 MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP250,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 30V 3A SOT223 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: SOT-223 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 11740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP250,115 Код товару: 210021
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BSP250,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP250,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP250,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSP250,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1 A, 0.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 23850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP250,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 3798 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP250,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP250,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 30V 3A SOT223 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: SOT-223 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 11000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP250,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 63000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP250,115 | Nexperia | MOSFETs BSP250/SOT223/SC-73 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP250,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 237 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP250,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP250,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSP250,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1 A, 0.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 23850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP250,115 | NXP | P-MOSFET 3A 30V 1.65W 0.25Ω BSP250 TBSP250 кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 25 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP250,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 63000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP250,135 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP250,135 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 30V 3A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 20 V | на замовлення 317 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP250,135 | Nexperia | MOSFETs BSP250/SOT223/SC-73 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP250,135 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSP250,135 - MOSFET MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP250,135 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP250,135 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 30V 3A SOT223 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: SOT-223 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP250,135 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP250GEG Код товару: 30597
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BSP254 | PHILIPS | 07+ SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP254A Код товару: 79931
Додати до обраних
Обраний товар
| Philips | Транзистори > Польові P-канальні Корпус: TO-92 Напруга сток-витік Uds, V: 250 V Струм стоку Id, A: 0,2 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 10 Ohm Вхідна ємність Ciss, pF / Заряд затвора Qg, nC: 65/ Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||
| BSP254A,126 | NXP | аналог BSS92, VP2410L (TO-92) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP254A,126 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 250V 200MA TO92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP255 | PHILIPS | 07+ SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP280 | INFINEON | TO-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP295 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Channel Small Signal MOSFETs (20 V to 800 V) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP295 E6327 | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP295 H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 1.8A SOT-223-3 | на замовлення 3816 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|

