Продукція > C3M
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| C3M0280090J-TR | Wolfspeed, Inc. | Description: SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +18V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 600 V | на замовлення 6400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| C3M0280090J-TR | Wolfspeed | SiC MOSFETs G3 SiC MOSFET/ Reel 900V, 280 mOhm | на замовлення 259 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| C3M0280090J-TR | Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| C3M0280090J-TR | Wolfspeed, Inc. | Description: SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 15 V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Vgs (Max): +18V, -8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-263-7 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) FET Type: N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 7019 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| C3M0280090J-TR | Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| C3M0350120D | MACOM | MOSFET SiC, MOSFET, 350mohm,1200V, TO-247-3, Industrial, Gen 3 | на замовлення 6110 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| C3M0350120D | Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| C3M0350120D | Wolfspeed, Inc. | Description: SICFET N-CH 1200V 7.6A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 3.6A, 15V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +15V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 1000 V | на замовлення 2125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| C3M0350120D | Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| C3M0350120D | Wolfspeed | SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 350mO,1200V, TO-247-3, Industrial | на замовлення 3108 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| C3M0350120D | Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| C3M0350120D | Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| C3M0350120J | Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| C3M0350120J | Wolfspeed | SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 350mO,1200V, TO-263-7, Industrial | на замовлення 32 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| C3M0350120J | Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| C3M0350120J | Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| C3M0350120J | Wolfspeed(CREE) | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 5A; Idm: 20A; 40.8W Case: D2PAK-7 Technology: C3M™; SiC Mounting: SMD Power dissipation: 40.8W Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -8...19V Gate charge: 13nC On-state resistance: 525mΩ Drain current: 5A Pulsed drain current: 20A Drain-source voltage: 1.2kV Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| C3M0350120J | Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube | на замовлення 957 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| C3M0350120J | Wolfspeed, Inc. | Description: SICFET N-CH 1200V 7.2A TO263-7 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 3.6A, 15V Power Dissipation (Max): 40.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +15V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 1000 V | на замовлення 550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| C3M0350120J | Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube | на замовлення 957 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| C3M0350120J-TR | Wolfspeed, Inc. | Description: SIC, MOSFET, 350M,1200V, TO-263- Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 3.6A, 15V Power Dissipation (Max): 40.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Supplier Device Package: TO-263-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +15V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 1000 V | на замовлення 797 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| C3M0350120J-TR | Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| C3M0350120J-TR | Wolfspeed(CREE) | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 7.2A; 40.8W; D2PAK-7 Case: D2PAK-7 Mounting: SMD Power dissipation: 40.8W Polarisation: unipolar Gate charge: 13nC Drain current: 7.2A Drain-source voltage: 1.2kV Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| C3M0350120J-TR | Wolfspeed, Inc. | Description: SIC, MOSFET, 350M,1200V, TO-263- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 15 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Vgs (Max): +15V, -4V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Supplier Device Package: TO-263-7 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Power Dissipation (Max): 40.8W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 3.6A, 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| C3M0350120J-TR | Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| C3M0350120J-TR | Wolfspeed | MOSFET Gen 3 1200V 350 mO SiC MOSFET, Tape and Reel | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| C3M0900170D | Wolfspeed | SiC, MOSFET, 900m ohm, 1700V, TO-247-3, Industrial | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| C3M0900170D | Wolfspeed, Inc. | Description: SICFET N-CH 1700V 4.4A TO247-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 202 pF @ 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 15 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Vgs (Max): +20V, -8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Supplier Device Package: TO-247-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 550µA Power Dissipation (Max): 41W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 1.99A, 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| C3M0900170D | Wolfspeed(CREE) | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| C3M0900170J-TR | Wolfspeed | SiC, MOSFET, 900mohm, 1700V, TO-263-7 T&R, Industrial | на замовлення 57 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| C3M0900170M | Wolfspeed, Inc. | Description: SIC, MOSFET, 900M, 1700V, TO-247 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 1.99A, 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 202 pF @ 1.2 kV Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 15 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Vgs (Max): +20V, -8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Supplier Device Package: TO-3PF-3L Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 550µA Power Dissipation (Max): 33W (Tc) | на замовлення 107 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| C3M0900170M | Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| C3M0900170M | Wolfspeed | SiC, MOSFET, 900m ohm, 1700V, TO-247-3PF, Industrial | на замовлення 445 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| C3M0900170M | Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| C3M3000000000000NB | Advanced Energy / Excelsys | Modular Power Supplies 3000W Fan cooled Standard CoolPac, Screw terminal, Normal leakage, 6 slots, 5V Aux , must be used with CoolX Mod | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| C3M580000L002 | ABRACON | Abracon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| C3MTGFOOT | Hammond Manufacturing | Electrical Enclosure Accessories MTG FOOT KIT W/ HARDWARE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

