Продукція > DMP

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMP2022LSSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2022LSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9.3 A, 8000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 770mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2022LSSQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS:
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2022LSSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2022LSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9.3 A, 8000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 770mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDFDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 7.6A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 230000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+21.04 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 7.6A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 230000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+21.04 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 7.6A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1837 pF @ 15 V
на замовлення 230000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+16.31 грн
30000+15.55 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFETs 20V P-Ch Enh FET 8Vgss -7.6A ID 0.7W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7.6A; Idm: -40A; 1.3W
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 1.3W
Gate charge: 27nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -7.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: U-DFN2020-6
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 7.6A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+21.11 грн
38+20.27 грн
100+18.41 грн
500+17.05 грн
1000+15.17 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2023UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.6 A, 0.027 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 730mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: UDFN2020
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.027ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 1125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 7.6A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.42 грн
6000+20.66 грн
9000+13.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-7DiodesMOSFET P-CH 20V 7.6A Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 7.6A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 7.6A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1837 pF @ 15 V
на замовлення 3110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.89 грн
10+44.00 грн
100+28.82 грн
500+20.91 грн
1000+18.93 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V P-Ch Enh FET 8Vgss -7.6A ID 0.7W
на замовлення 2619 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 7.6A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 267000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 7.6A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
698+20.27 грн
769+18.41 грн
800+17.68 грн
1000+16.38 грн
Мінімальне замовлення: 698 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.9A; 0.73W; U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.9A
On-state resistance: 90mΩ
Power dissipation: 0.73W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: 7 inch reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 7.6A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.45 грн
6000+20.24 грн
9000+18.32 грн
24000+17.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2023UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.6 A, 0.027 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 1125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 7.6A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 153000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 7.6A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 141000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 7.6A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.28 грн
6000+13.04 грн
12000+12.14 грн
18000+11.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 7.6A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1837 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 7.6A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.45 грн
6000+20.24 грн
9000+18.32 грн
24000+17.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2024UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2024UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2024UFDFQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2024UFDFQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2033UCB9-7Diodes IncorporatedMOSFET P-Ch Enh Mode FET 33mOhm -20V -5.8A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2033UCB9-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.2A U-WLB1515-9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1515-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2033UVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845 pF @ 15 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+8.75 грн
20000+7.80 грн
30000+7.49 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2033UVT-13Diodes IncorporatedMOSFETs 20V P-Ch Enh Mode 8Vgss 845pF 10.4nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2033UVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT-26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845 pF @ 15 V
на замовлення 5895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.22 грн
13+23.40 грн
100+16.27 грн
500+11.91 грн
1000+9.68 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2033UVT-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V P-Ch Enh Mode 8Vgss 845pF 10.4nC
на замовлення 2963 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2033UVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2035U - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 20 V, 3.6 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 810mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 2120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2035U - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 20 V, 3.6 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 810mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 2120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035U-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035U-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035U-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.9A; 0.81W; SOT23; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.9A
Power dissipation: 0.81W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035U-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET P-CHANNEL SOT-23
на замовлення 54782 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+42.67 грн
29+26.26 грн
32+24.25 грн
50+21.03 грн
100+14.40 грн
500+9.78 грн
1000+8.64 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 3.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2035U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.6 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 810mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 810mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035U-7
Код товару: 198292
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035U-7DIODES/ZETEXP-MOSFET 20V 3.6A 35mΩ 810mW DMP2035U-7 Diodes TDMP2035u
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1981 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 3.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2035U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.6 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 810mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035U-7-F11+ SOT-23
на замовлення 129211 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFCL-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 6.6A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN1616-6 (Type K)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFCL-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2035UFCL-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.6 A, 0.019 ohm, U-DFN1616, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 740mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: U-DFN1616
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFCL-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 6.6A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN1616-6 (Type K)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 10 V
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.03 грн
10+45.74 грн
25+38.34 грн
50+31.65 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFCL-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2035UFCL-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.6 A, 0.019 ohm, U-DFN1616, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 740mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: U-DFN1616
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFCL-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.3A; Idm: -40A; 1.6W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.3A
Power dissipation: 1.6W
Case: U-DFN1616-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -40A
Gate charge: 44nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFCL-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V P-Ch Enh FET 8Vgss -20Vdss -40A
на замовлення 681 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFCL-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6.6A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 8.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.03W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1808 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFDF-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6.5A; Idm: -40A; 1.31W
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 1.31W
Gate charge: 20.5nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -6.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: U-DFN2020-6
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFDF-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6.9A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 5959 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6.9A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2035UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.9 A, 0.02 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 8.1A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.03W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1808 pF @ 15 V
на замовлення 1883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.60 грн
11+29.29 грн
25+24.33 грн
50+20.00 грн
100+17.57 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 8.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.03W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1808 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6.5A; Idm: -40A; 1.31W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6.5A
Power dissipation: 1.31W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -40A
Gate charge: 20.5nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2035UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.9 A, 0.02 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.38 грн
9000+17.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4A; Idm: -24A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -24A
Gate charge: 15.4nC
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.57 грн
10+35.40 грн
25+29.56 грн
50+24.31 грн
100+21.40 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3K
на замовлення 4290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.12 грн
9000+16.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.87 грн
9000+11.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UTS-13DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; 3.96A; Idm: 22A; 0.89W
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: 3.96A
Power dissipation: 0.89W
Case: TSSOP8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 22A
Gate charge: 15.4nC
Semiconductor structure: common drain
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UTS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2035UTS-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 6.04 A, 6.04 A
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.04A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.04A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.035ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 890mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 890mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UTS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 6.04A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 890mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.04A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UTS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET P-CHAN
на замовлення 1165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UTS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6.04A 8-Pin TSSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UTS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2035UTS-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 6.04 A, 6.04 A
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.04A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.04A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.035ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 890mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 890mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UTS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 6.04A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 890mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.04A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 1228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.19 грн
10+41.14 грн
25+34.45 грн
50+28.42 грн
100+25.09 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVT-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 7.2A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVT-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.7A; Idm: -24A; 2W; TSOT26
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.7A
Power dissipation: 2W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -24A
Gate charge: 23.1nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVT-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.8A; 1.2W; TSOT26; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.8A
Power dissipation: 1.2W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 585 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+46.96 грн
14+32.20 грн
16+27.93 грн
50+20.30 грн
100+17.78 грн
500+13.25 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2035UVT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.023 ohm, TSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 1.2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
на замовлення 1313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 6A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 10 V
на замовлення 16010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.60 грн
11+28.91 грн
25+24.06 грн
50+19.76 грн
100+17.35 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2035UVT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.023 ohm, TSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 1.2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
на замовлення 1313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVT-7Diodes IncorporatedMOSFETs P-Ch -20V ENH Mode 35mOhm -4.5V -6.0A
на замовлення 13398 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 6A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.11 грн
9000+9.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVT-7DiodesDMP2035UVT-7 DMP2035UVT Trans MOSFET P-CH 20V 6A Automotive 6-Pin TSOT-26 T/R Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVTQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 7.2A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVTQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVTQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVTQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 7.2A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.43 грн
10+33.66 грн
25+28.05 грн
50+23.05 грн
100+20.27 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.