Продукція > DTC

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 15 18 21 24 27 30 33 36 39  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DTC114ECAHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1316 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114ECAHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTC114ECAHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 6510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+14.42 грн
70+11.52 грн
145+5.57 грн
500+4.22 грн
1000+3.36 грн
5000+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114ECAHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Power - Max: 350 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.65 грн
46+6.51 грн
100+4.02 грн
500+2.74 грн
1000+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114ECAHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114ECAT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
на замовлення 18382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
409+1.85 грн
Мінімальне замовлення: 409 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114ECAT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114ECAT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
на замовлення 18382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7576+1.87 грн
Мінімальне замовлення: 7576 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114ECAT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
365+44.45 грн
Мінімальне замовлення: 365 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114ECAT116ROHMDescription: ROHM - DTC114ECAT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 1597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.97 грн
500+8.97 грн
1000+7.46 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114ECAT116ROHM SemiconductorDigital Transistors DTC114EKAT146 IS PREFERRED
на замовлення 2742 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.26 грн
16+20.16 грн
100+11.11 грн
500+8.28 грн
3000+6.21 грн
6000+5.66 грн
9000+4.83 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114ECAT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 1377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.51 грн
17+17.65 грн
100+11.12 грн
500+7.81 грн
1000+6.96 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114ECAT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114ECAT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
820+17.30 грн
Мінімальне замовлення: 820 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114ECAT116ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 30
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
36+12.53 грн
43+9.97 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114ECAT116ROHMDescription: ROHM - DTC114ECAT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 1597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+33.26 грн
40+20.46 грн
100+12.97 грн
500+8.97 грн
1000+7.46 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EEONSOT523
на замовлення 212560 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EEonsemi SS SC75 BR XSTR NPN 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EEYangjie TechnologyDescription: SOT-523 NPN 0.15W 0.1A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.79 грн
15000+1.65 грн
30000+1.50 грн
60000+1.33 грн
120000+1.19 грн
300000+1.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EELUGUANG ELECTRONICCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 50mA; 0.15W; SOT523; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
на замовлення 16275 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
200+2.40 грн
225+1.99 грн
500+1.77 грн
3000+1.64 грн
12000+1.60 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EEYangjie Electronic TechnologyDTC114EE
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8242+1.72 грн
Мінімальне замовлення: 8242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EE RKTaiwan SemiconductorBipolar Transistors - BJT Digital Transistor NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EE TLROHMSOT23
на замовлення 9832 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EE-TPMicro Commercial ComponentsDIGITAL TRANSISTORS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EE-TPMicro Commercial Components (MCC)Digital Transistors NPN 50Vcc 50mA 1mA 100mA 150mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EE-TPMicro Commercial CoDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT523
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-523
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-523
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EE-TPMicro Commercial CoDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT523
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-523
Packaging: Cut Tape (CT)
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-523
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EE3HZGTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+16.63 грн
100+10.29 грн
500+7.24 грн
1000+5.81 грн
3000+4.81 грн
6000+4.09 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EE3HZGTLROHM SemiconductorDigital Transistors NPN, SOT-416, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 8681 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.98 грн
20+16.12 грн
100+8.77 грн
500+6.49 грн
1000+5.66 грн
3000+4.90 грн
6000+4.21 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EE3HZGTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EE3HZGTLROHMDescription: ROHM - DTC114EE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+26.82 грн
49+16.51 грн
105+7.74 грн
500+6.61 грн
1000+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EE3HZGTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
847+16.75 грн
1369+10.36 грн
1873+7.57 грн
2162+6.32 грн
3000+5.05 грн
6000+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 847 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EE3HZGTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 2316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.42 грн
26+11.67 грн
100+7.30 грн
500+5.06 грн
1000+4.47 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EE3HZGTLROHMDescription: ROHM - DTC114EE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.61 грн
1000+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EE3HZGTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1516 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EE3TLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EE3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EE3TLROHMDescription: ROHM - DTC114EE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC114E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+18.69 грн
63+12.97 грн
111+7.27 грн
500+4.55 грн
1000+3.93 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EE3TLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 582 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EE3TLROHM SemiconductorDigital Transistors NPN, SOT-416, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 16328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+20.05 грн
27+12.07 грн
100+6.56 грн
500+4.90 грн
1000+4.28 грн
3000+3.52 грн
9000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EE3TLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EE3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 4765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.42 грн
27+11.37 грн
100+7.07 грн
500+4.88 грн
1000+4.31 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EE3TLROHMDescription: ROHM - DTC114EE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC114E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.97 грн
111+7.27 грн
500+4.55 грн
1000+3.93 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EEBMGTLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 100MA 50V SOT-416FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EEBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMTF T/R
на замовлення 4836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1841+7.70 грн
2543+5.58 грн
2891+4.90 грн
3379+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 1841 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EEBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EEBTLROHMDescription: ROHM - DTC114EEBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EEBTLROHM SemiconductorDigital Transistors TRANSISTOR
на замовлення 5924 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+16.59 грн
32+10.00 грн
100+5.45 грн
500+4.00 грн
1000+3.52 грн
3000+2.83 грн
6000+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EEBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMTF T/R
на замовлення 42505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3425+4.14 грн
3522+4.03 грн
5000+3.91 грн
10000+3.68 грн
25000+3.33 грн
Мінімальне замовлення: 3425 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EEBTLROHMDescription: ROHM - DTC114EEBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Transistormontage: Oberflächenmontage
Produktpalette: DTC114E
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EEBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMTF T/R
на замовлення 4836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
107+7.65 грн
500+5.34 грн
1000+4.35 грн
3000+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EEBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 1168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.76 грн
35+8.75 грн
100+5.42 грн
500+3.73 грн
1000+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EEFRATLROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SC75A,SOT416
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC75A; SOT416
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 30
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EEFRATLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW Automotive 3-Pin EMT T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EEFRATLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500nA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EEFRATLROHMDescription: ROHM - DTC114EEFRATL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 4355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.58 грн
500+5.92 грн
1000+4.49 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EEFRATLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW Automotive 3-Pin EMT T/R
на замовлення 1934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+18.55 грн
100+11.54 грн
500+8.15 грн
1000+6.62 грн
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EEFRATLROHMDescription: ROHM - DTC114EEFRATL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 4355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+24.97 грн
54+15.14 грн
100+9.58 грн
500+5.92 грн
1000+4.49 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EEFRATLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW Automotive 3-Pin EMT T/R
на замовлення 1934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
759+18.68 грн
1220+11.62 грн
1665+8.51 грн
1902+7.19 грн
Мінімальне замовлення: 759 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EEFRATLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500nA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 5073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.52 грн
23+13.09 грн
100+8.18 грн
500+5.68 грн
1000+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EEFRATLROHM SemiconductorDigital Transistors Trans Digital BJT NPN 100mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EEPTCHENMKO05+ SOT-523
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EET1onsemiDescription: TRANS NPN BIAS RES 50V SC-75
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
на замовлення 156000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4537+4.59 грн
Мінімальне замовлення: 4537 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EET1onsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EET1ONSEMIDescription: ONSEMI - DTC114EET1 - DTC114EET1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 156000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EET1ON Semiconductor
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EET1ON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 156000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6834+5.19 грн
10000+4.62 грн
100000+3.87 грн
Мінімальне замовлення: 6834 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EET1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.07 грн
6000+1.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EET1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 100119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
28+11.76 грн
46+6.99 грн
100+3.73 грн
500+2.76 грн
1000+2.35 грн
3000+1.79 грн
6000+1.59 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EET1GONSEMIDescription: ONSEMI - DTC114EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EET1GON SemiconductorТранзистор цифровий, Тип стр. = NPN, Ic = 0,1, hFE = 35 @ 5 мA, 10 В, Icutoff-max = 500 нА, R1, кОм = 10, R2, кОм = 10, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 300 мкA, 10 мА, Uсe, B = 50, Р, Вт = 0,2 Вт, Тексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: SC75/SOT-416
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5339+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 5339 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
132+9.12 грн
140+5.41 грн
Мінімальне замовлення: 132 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EET1GONSEMIDescription: ONSEMI - DTC114EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EET1GOn SemiconductorTRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC75, SOT-416 Транзистори
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EET1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.65 грн
46+6.58 грн
100+4.04 грн
500+2.75 грн
1000+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EET1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2/0.3W; SOT416; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2/0.3W
Case: SOT416
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 35...60
на замовлення 163 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+9.84 грн
60+6.98 грн
90+4.64 грн
108+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 132 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2632+5.39 грн
2713+5.23 грн
5000+5.08 грн
10000+4.78 грн
25000+4.33 грн
Мінімальне замовлення: 2632 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.86 грн
6000+3.34 грн
9000+3.15 грн
15000+2.75 грн
21000+2.63 грн
30000+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EETLROHMDescription: ROHM - DTC114EETL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: EMT
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC114E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 21198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.16 грн
107+7.55 грн
500+5.18 грн
1500+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EETLROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SC75A,SOT416
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC75A; SOT416
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 30
на замовлення 2540 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
24+18.79 грн
35+11.88 грн
51+8.18 грн
100+6.85 грн
500+4.37 грн
1000+3.75 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 77141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1063+13.34 грн
1566+9.05 грн
2028+6.99 грн
2348+5.82 грн
3788+3.34 грн
6000+2.85 грн
9000+2.75 грн
15000+2.52 грн
21000+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 1063 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EETLROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50V 50MA SOT-416
на замовлення 47293 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+20.78 грн
26+12.46 грн
100+6.77 грн
500+4.97 грн
1000+4.42 грн
3000+3.45 грн
6000+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EETLROHMDescription: ROHM - DTC114EETL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: EMT
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC114E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 21198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+19.81 грн
67+12.16 грн
107+7.55 грн
500+5.18 грн
1500+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 77141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+25.42 грн
58+13.25 грн
100+9.00 грн
500+6.70 грн
1000+5.36 грн
3000+3.19 грн
6000+2.84 грн
9000+2.72 грн
15000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 48230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.64 грн
28+10.99 грн
100+6.85 грн
500+4.74 грн
1000+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 298 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EKROHM SemiconductorROHM Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EKRohmТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EKROHM09+
на замовлення 483038 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EK FRAT146ROHMSOT23/SOT323
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EK HRAT146ROHMSOT23/SOT323
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EK T146ROHMSOT23-24
на замовлення 3565 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EK/24ROHM03+ SOT-23
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EKAROHM07+ SOT-23
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EKAROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EKABLUE ROCKETPre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 50V 100mA 200mW Surface Mount SOT-23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EKA F T146ROHMSOT23-24 PB-FREE
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EKA T146ROHM - JapanNPN 50mA 50V 10kOhm DTC114EKAT146 TDTC114ekat146
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 15 18 21 24 27 30 33 36 39  [ Наступна Сторінка >> ]