Продукція > DTC

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 16 20 24 28 32 36 40  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DTC114ECAHE3-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114ECAHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTC114ECAHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 12490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114ECAHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Power - Max: 350 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.54 грн
43+7.17 грн
100+4.41 грн
500+3.00 грн
1000+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114ECAHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1316 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114ECAHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114ECAHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTC114ECAHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 12490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114ECAHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
86+8.81 грн
135+5.61 грн
500+4.05 грн
1000+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114ECAHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.1A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Power - Max: 350 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114ECAHZGT116ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN SOT-23 10kO Input Resist
на замовлення 53656 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114ECAHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1471 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114ECAHZGT116ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200/350mW; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Power dissipation: 200/350mW
Current gain: 30
Frequency: 250MHz
на замовлення 319 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+9.93 грн
50+8.55 грн
100+5.29 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114ECAHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1606+8.81 грн
Мінімальне замовлення: 1606 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114ECAT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
на замовлення 18382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
532+26.63 грн
918+15.42 грн
1143+12.38 грн
1374+9.93 грн
Мінімальне замовлення: 532 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114ECAT116ROHMDescription: ROHM - DTC114ECAT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 1587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114ECAT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114ECAT116ROHM SemiconductorDigital Transistors DTC114EKAT146 IS PREFERRED
на замовлення 2545 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114ECAT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114ECAT116ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Power dissipation: 0.2W
Current gain: 30
Frequency: 250MHz
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
36+12.64 грн
43+10.06 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114ECAT116ROHMDescription: ROHM - DTC114ECAT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 1587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114ECAT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
820+17.26 грн
Мінімальне замовлення: 820 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114ECAT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.92 грн
16+19.55 грн
100+12.36 грн
500+8.67 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114ECAT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
на замовлення 18382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+26.63 грн
100+15.42 грн
500+12.38 грн
1000+9.93 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EELUGUANG ELECTRONICCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 50mA; 0.15W; SOT523; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 50mA
Case: SOT523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Power dissipation: 0.15W
Frequency: 250MHz
на замовлення 16275 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
200+2.38 грн
225+2.00 грн
500+1.78 грн
3000+1.64 грн
12000+1.61 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EEYangjie TechnologyDescription: SOT-523 NPN 0.15W 0.1A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.80 грн
15000+1.66 грн
30000+1.51 грн
60000+1.35 грн
120000+1.20 грн
300000+1.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EEYangjie Electronic TechnologyDTC114EE
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8242+1.72 грн
Мінімальне замовлення: 8242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EEONSOT523
на замовлення 212560 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EEonsemi SS SC75 BR XSTR NPN 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EE RKTaiwan SemiconductorBipolar Transistors - BJT Digital Transistor NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EE TLROHMSOT23
на замовлення 9832 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EE-TPMicro Commercial CoDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT523
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-523
Packaging: Cut Tape (CT)
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-523
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EE-TPMicro Commercial Components (MCC)Digital Transistors NPN 50Vcc 50mA 1mA 100mA 150mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EE-TPMicro Commercial ComponentsDIGITAL TRANSISTORS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EE-TPMicro Commercial CoDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT523
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-523
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-523
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EE3HZGTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 2873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2873 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EE3HZGTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
846+16.74 грн
1336+10.59 грн
1803+7.84 грн
3441+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 846 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EE3HZGTLROHMDescription: ROHM - DTC114EE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EE3HZGTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+16.74 грн
100+10.59 грн
500+7.84 грн
1000+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EE3HZGTLROHM SemiconductorDigital Transistors NPN, SOT-416, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 8681 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EE3HZGTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1516 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EE3HZGTLROHMDescription: ROHM - DTC114EE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EE3HZGTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 2873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.95 грн
24+12.98 грн
100+8.11 грн
500+5.62 грн
1000+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EE3HZGTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+16.60 грн
100+10.27 грн
500+7.23 грн
1000+5.80 грн
3000+4.80 грн
6000+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EE3TLROHMDescription: ROHM - DTC114EE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC114E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EE3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.60 грн
26+11.70 грн
100+7.30 грн
500+5.04 грн
1000+4.45 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EE3TLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 281 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EE3TLROHM SemiconductorDigital Transistors NPN, SOT-416, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 16318 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EE3TLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EE3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EE3TLROHMDescription: ROHM - DTC114EE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC114E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EE3TLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
928+15.25 грн
1475+9.59 грн
2075+6.82 грн
Мінімальне замовлення: 928 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EE3TLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+15.25 грн
100+9.59 грн
500+6.82 грн
1000+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EEBMGTLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 100MA 50V SOT-416FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EEBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMTF T/R
на замовлення 4466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1803+7.84 грн
2460+5.75 грн
Мінімальне замовлення: 1803 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EEBTLROHMDescription: ROHM - DTC114EEBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Transistormontage: Oberflächenmontage
Produktpalette: DTC114E
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EEBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EEBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMTF T/R
на замовлення 4466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+7.84 грн
500+5.75 грн
1000+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 108 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EEBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMTF T/R
на замовлення 39505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3425+4.13 грн
3522+4.02 грн
5000+3.90 грн
10000+3.67 грн
25000+3.33 грн
Мінімальне замовлення: 3425 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EEBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMTF T/R
на замовлення 4836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
107+7.64 грн
500+5.33 грн
1000+4.34 грн
3000+3.56 грн
Мінімальне замовлення: 107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EEBTLROHMDescription: ROHM - DTC114EEBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EEBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 1729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.46 грн
32+9.74 грн
100+6.02 грн
500+4.14 грн
1000+3.65 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EEBTLROHM SemiconductorDigital Transistors TRANSISTOR
на замовлення 8924 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EEFRATLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500nA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 4795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.08 грн
21+14.49 грн
100+9.08 грн
500+6.31 грн
1000+5.60 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EEFRATLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW Automotive 3-Pin EMT T/R
на замовлення 1934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+18.51 грн
100+11.51 грн
500+8.13 грн
1000+6.60 грн
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EEFRATLROHMDescription: ROHM - DTC114EEFRATL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 4355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EEFRATLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500nA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EEFRATLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
758+18.67 грн
1192+11.87 грн
1615+8.76 грн
Мінімальне замовлення: 758 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EEFRATLROHM SemiconductorDigital Transistors Trans Digital BJT NPN 100mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EEFRATLROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SC75A,SOT416
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: SC75A; SOT416
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Power dissipation: 0.15W
Current gain: 30
Frequency: 250MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EEFRATLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+18.67 грн
100+11.87 грн
500+8.76 грн
1000+4.48 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EEFRATLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EEFRATLROHMDescription: ROHM - DTC114EEFRATL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 4355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EEPTCHENMKO05+ SOT-523
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EET1onsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EET1ON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 156000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6834+5.18 грн
10000+4.61 грн
100000+3.87 грн
Мінімальне замовлення: 6834 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EET1ON Semiconductor
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EET1ONSEMIDescription: ONSEMI - DTC114EET1 - DTC114EET1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 156000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EET1onsemiDescription: TRANS NPN BIAS RES 50V SC-75
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
на замовлення 156000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4537+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 4537 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 133 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EET1GON SemiconductorТранзистор цифровий, Тип стр. = NPN, Ic = 0,1, hFE = 35 @ 5 мA, 10 В, Icutoff-max = 500 нА, R1, кОм = 10, R2, кОм = 10, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 300 мкA, 10 мА, Uсe, B = 50, Р, Вт = 0,2 Вт, Тексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: SC75/SOT-416
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EET1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.12 грн
6000+1.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EET1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2/0.3W; SOT416; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: SOT416
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Power dissipation: 0.2/0.3W
Current gain: 35...60
на замовлення 163 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+9.93 грн
60+7.04 грн
90+4.68 грн
108+3.90 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4121+3.43 грн
Мінімальне замовлення: 4121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
132+9.10 грн
140+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 132 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EET1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 95780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EET1GOn SemiconductorTRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC75, SOT-416 Транзистори
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EET1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.76 грн
45+6.72 грн
100+4.15 грн
500+2.83 грн
1000+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EETLROHMDescription: ROHM - DTC114EETL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: EMT
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC114E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 20218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EETLROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50V 50MA SOT-416
на замовлення 47233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.99 грн
6000+3.45 грн
9000+3.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 25678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2632+5.37 грн
2713+5.21 грн
5000+5.07 грн
10000+4.77 грн
25000+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 2632 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 152041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+15.71 грн
100+9.77 грн
500+7.21 грн
1000+3.61 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EETLROHMDescription: ROHM - DTC114EETL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: EMT
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC114E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 20218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EETLROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SC75A,SOT416
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: SC75A; SOT416
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Power dissipation: 0.15W
Current gain: 30
Frequency: 250MHz
на замовлення 2540 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
24+18.97 грн
35+11.99 грн
51+8.25 грн
100+6.91 грн
500+4.41 грн
1000+3.78 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 152041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
901+15.71 грн
1448+9.77 грн
1961+7.21 грн
3779+3.61 грн
Мінімальне замовлення: 901 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 11414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.38 грн
25+12.08 грн
100+7.50 грн
500+5.19 грн
1000+4.59 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 77141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+25.36 грн
58+13.22 грн
100+8.98 грн
500+6.68 грн
1000+5.35 грн
3000+3.18 грн
6000+2.83 грн
9000+2.72 грн
15000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EKROHM09+
на замовлення 483038 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EKROHM SemiconductorROHM Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 16 20 24 28 32 36 40  [ Наступна Сторінка >> ]