Продукція > FDB

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDB3040LD08Eaton ElectricalCircuit Breakers FDB 3P 40A L&L TERM W/FCWTK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3040LW02Eaton ElectricalCircuit Breakers FDB BKR 3P 40A W/WALKING BEAM TERM L & L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3060A190405D11M04Eaton ElectricalCircuit Breakers FDB 3P 60A ACCESSORIES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3060LEaton ElectricalCircuit Breakers FDB 3P 60A TRIP, 600V CLASS, LINE & LOAD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3060LA05Eaton ElectricalCircuit Breakers FDB BRK 3P 60A W/ Line & Load Terminals
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3060LA06Eaton ElectricalCircuit Breakers FDB 3P 60A W/AUX SW 1A1B RH PIGTAIL REAR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3060LD08Eaton ElectricalCircuit Breakers FDB 3P 60AMP WITH CONTROL WIRE TERMINAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3060VS05Eaton ElectricalCircuit Breakers FDB 3P 60A TRIP 600V 50C 48-127 SHUNT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3060VS05Bussmann / Eaton FDB 3P 60A TRIP 600V 50C 48-127 SHUNT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3070Eaton ElectricalCircuit Breakers FDB 3P 70A TRIP 600V CL LOAD TERM ONLY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3070LEaton ElectricalCircuit Breakers FDB 3P 70A TRIP, 600V CLASS, LINE & LOAD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3070LA02Eaton ElectricalCircuit Breakers FDB 3P 70A 1A1B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3070LD08Eaton ElectricalCircuit Breakers FDB 3P 70AMP WITH CONTROL WIRE TERMINAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3070LU13Eaton ElectricalCircuit Breakers FDB 3P 70A W/UVR 110-127VAC LH TERM L&L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3070VEaton ElectricalCircuit Breakers SAME AS FDB3070 EXCEPT CALRTD 4 50C AMB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3070VLEaton ElectricalCircuit Breakers FDB 3P 70AMP L&L TERM 50 DEGREE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3070VWEaton ElectricalCircuit Breakers FDB 3P 70A 50 DEGREE W/O TERMS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3070WA02D11S1803Eaton ElectricalCircuit Breakers FDB CB 3P 70A w/o TERM W/
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3070WL11Eaton ElectricalCircuit Breakers F-FRAME MOLDED CASE CIRCUIT BREAKER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3125LA04Eaton ElectricalCircuit Breakers FDB 3P 125A W/AUX SW 1A1BTERM BLK LH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3125VEaton ElectricalCircuit Breakers SAME AS FDB3125 EXCEPT CALRTD 4 50C AMB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3125VLEaton ElectricalCircuit Breakers SAME AS FDB3125L EXCEPT CALRTD 4 50C AMB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3150A02S22Eaton ElectricalCircuit Breakers FDB 3P 150A W/AU SW 1A1B LH ST 48-127VAC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3150A06Eaton ElectricalCircuit Breakers FDB 3P 150A W/AUX SW 1A1B RH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3150LA10Eaton ElectricalCircuit Breakers FDB 3P 150A W/AUX SW 2A-2B LH TERM L&L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB32N12
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB33N25onsemi / FairchildMOSFETs UF 250V 94MOHM D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB33N25fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB33N25TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 22400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+93.29 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB33N25TMON-SemiconductorN-MOSFET 33A 250V 235W 0.094Ω FDB33N25TM TFDB33N25TM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+58.22 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB33N25TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 25 V
на замовлення 13600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+72.41 грн
1600+64.82 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB33N25TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 13600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+87.76 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB33N25TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 13600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+87.76 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB33N25TMONSEMIDescription: ONSEMI - FDB33N25TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 33 A, 0.094 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 235W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+203.77 грн
10+149.80 грн
100+101.48 грн
500+85.26 грн
1000+71.80 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB33N25TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+98.61 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB33N25TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 25 V
на замовлення 13937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+224.45 грн
10+140.15 грн
100+97.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB33N25TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 22400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+93.36 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB33N25TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB33N25TMonsemi / FairchildMOSFETs 250V N-Ch MOSFET
на замовлення 14329 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+168.33 грн
10+124.64 грн
100+80.08 грн
500+78.01 грн
800+63.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3502ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB3502 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+69.43 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3502onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 6A/14A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 815 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3502ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 75V 6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3502onsemi / FairchildMOSFETs 75V N-Channel PowerTrench
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+169.94 грн
10+111.14 грн
100+67.58 грн
800+47.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3502ON Semiconductor
на замовлення 790 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3502onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 6A/14A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 815 pF @ 40 V
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+158.43 грн
10+97.97 грн
100+66.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3502ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 75V 6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
на замовлення 5618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+292.01 грн
10+184.65 грн
100+130.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632onsemiMOSFETs N-Channel PowerTrench
на замовлення 10562 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+285.92 грн
10+185.77 грн
100+113.91 грн
500+95.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+338.69 грн
10+226.33 грн
25+224.06 грн
100+166.39 грн
250+153.14 грн
500+122.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632ONS/FAIMOSFET N-CH 100V 80A 310W D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+130.93 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+98.51 грн
1600+89.83 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+163.43 грн
1600+162.31 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632onsemi / FairchildMOSFETs N-Channel PowerTrench
на замовлення 6936 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+259.34 грн
10+188.15 грн
25+152.57 грн
100+118.74 грн
500+109.07 грн
800+91.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+338.69 грн
63+226.33 грн
64+224.06 грн
100+166.39 грн
250+153.14 грн
500+122.96 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB3632 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 9000 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+287.53 грн
10+193.30 грн
100+149.00 грн
500+130.13 грн
1000+109.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+129.98 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
145+244.52 грн
500+233.89 грн
1000+220.89 грн
Мінімальне замовлення: 145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 12A TO263AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 100V N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 12A TO263AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
145+244.52 грн
Мінімальне замовлення: 145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632.ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB3632. - MOSFET, FULL REEL
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 80
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 310
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 310
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009
SVHC: Lead
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632_F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632_Qonsemi / FairchildMOSFET N-Channel PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632_SB82115onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3652onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 9A/61A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 61A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
на замовлення 904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+207.36 грн
10+129.23 грн
100+89.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3652ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3652
Код товару: 155755
1 Додати до обраних Обраний товар
VBSemiТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Напруга сток-витік Uds, V: 100 V
Струм стоку Idd, A: 61 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,016 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 2880/41
Монтаж: SMD
у наявності: 14 шт
  • 4 шт - склад
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+75.00 грн
10+69.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3652ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+88.76 грн
1600+87.98 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3652onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 9A/61A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 61A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+66.23 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3652onsemi / FairchildMOSFETs N-Channel PowerTrench
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3652ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3652ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB3652 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 61 A, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+101.48 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3652ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+88.63 грн
1600+87.85 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3652ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3652ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB3652 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 61 A, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+226.32 грн
10+146.58 грн
100+101.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3652-F085onsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench Trench Mos.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3652-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB3652-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 61 A, 0.6 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
220+131.28 грн
Мінімальне замовлення: 220 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3652-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 9A/61A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 61A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3652-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 9A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3652SB82059Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
102+194.71 грн
Мінімальне замовлення: 102 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3652SB82059ON SemiconductorFDB3652SB82059
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
134+264.60 грн
500+250.42 грн
Мінімальне замовлення: 134 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3652SB82059ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB3652SB82059 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
138+282.69 грн
Мінімальне замовлення: 138 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3652_Qonsemi / FairchildMOSFET N-Channel PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3672ON Semiconductor / FairchildMOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3672fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3672Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 7.2A/44A TO263
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
137+144.56 грн
Мінімальне замовлення: 137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3672-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 7.2A/44A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+213.57 грн
10+133.87 грн
100+93.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3672-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB3672-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.024 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 44
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3672-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 7.2A/44A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3672-F085onsemi / FairchildMOSFET 100V 44A N-Channel PowerTrench
на замовлення 1157 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+199.74 грн
10+177.83 грн
25+146.35 грн
100+124.26 грн
500+102.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3672_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
на замовлення 10213200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3672_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3672_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
на замовлення 1021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3672_F085/BKNonsemiDescription: FDB3672_F085/BKN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3682onsemi / FairchildMOSFET 100V N-Channel Pwr Trench
на замовлення 7224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+170.74 грн
10+140.52 грн
100+96.65 грн
500+95.96 грн
800+69.03 грн
2400+65.51 грн
4800+63.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3682fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3682onsemiMOSFETs 100V N-Channel Pwr Trench
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+215.04 грн
10+137.34 грн
100+82.84 грн
500+78.70 грн
800+65.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19  [ Наступна Сторінка >> ]