Продукція > GP3

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
GP3T016A120HSemiQDescription: GEN3 1200V, 16M SIC MOSFET, TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 132A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 484W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6779 pF @ 1000 V
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+917.06 грн
10+616.73 грн
100+466.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3T016A120HSemiQSiC MOSFETs Gen3 1200V, 16mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3T016A120TSSemiQDescription: GEN3 1200V 16M SIC MOSFET TSPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: TSPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6779 pF @ 1000 V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+917.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3T017A120HSemiQDescription: GEN3 1200V 17M SIC MOSFET TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 226 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5828 pF @ 1000 V
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+845.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3T020A120HSemiQSiC MOSFETs Gen3 1200V, 20mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+879.50 грн
10+520.00 грн
120+451.48 грн
510+389.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3T020A120HSemiQDescription: GEN3 1200V, 20M SIC MOSFET, TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6078 pF @ 1000 V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+837.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3T020A120TSSemiQDescription: GEN3 1200V 20M SIC MOSFET TSPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6078 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: TSPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 40A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), Variant
Packaging: Tube
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+796.36 грн
36+449.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3T034A120HSemiQDescription: GEN3 1200V 34M SIC MOSFET TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 246W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2584 pF @ 1000 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+566.70 грн
30+316.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3T040A120HSemiQSiC MOSFETs Gen3 1200V, 40mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+586.87 грн
10+392.60 грн
120+290.53 грн
510+229.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3T040A120HSemiQDescription: GEN3 1200V, 40M SIC MOSFET, TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 246W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2803 pF @ 1000 V
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+558.86 грн
10+365.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3T040A120TSSemiQDescription: GEN3 1200V 40M SIC MOSFET TSPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TSPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2803 pF @ 1000 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+558.86 грн
36+304.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3T080A120HSemiQSiC MOSFETs Gen3 1200V, 80mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+370.66 грн
10+264.41 грн
120+165.12 грн
510+151.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3T080A120HSemiQDescription: GEN3 1200V, 80M SIC MOSFET, TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1351 pF @ 1000 V
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+409.15 грн
10+263.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3T080A120JSemiQDescription: GEN3 1200V 80M SIC MOSFET TO-263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1351 pF @ 1000 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+409.15 грн
50+207.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3T080A120TSSemiQDescription: GEN3 1200V 80M SIC MOSFET TSPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1351 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: TSPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), Variant
Packaging: Tube
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+387.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3Y6003AK0FSharp MicroelectronicsDescription: OPTOELECTRONIC COMPONENT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP3YOD017KSHARP06+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6