Продукція > IPI

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPI80N06S4-07Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 80A I2PAK-3 OptiMOS-T2
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80N06S405AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80N06S405AKSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL_55/60V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+109.24 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80N06S405AKSA2Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET
на замовлення 839 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80N06S405AKSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL_55/60V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80N06S407AKSA1Rochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 582 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80N06S407AKSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+203.79 грн
50+97.11 грн
100+87.44 грн
500+66.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80N06S407AKSA2InfineonTrans MOSFET N-CH 60V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 IPI80N06S407AKSA2 TIPI80N06S4-07
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+58.01 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80N06S407AKSA2InfineonIPI80N06S407AKSA2 IPI80N06S4-07 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80N06S407AKSA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80N06S4L-05Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 80A I2PAK-3 OptiMOS-T2
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80N06S4L-07Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 80A I2PAK-3 OptiMOS-T2
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80N06S4L05AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8180 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+81.76 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80N06S4L05AKSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH TO262-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80N06S4L07AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80N06S4L07AKSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5680 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+87.25 грн
Мінімальне замовлення: 235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80N06S4L07AKSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5680 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80N06S4L07AKSA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80N07S4-05Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80N07S405AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH TO262-3
Packaging: Tube
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80N07S405AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH TO262-3
Packaging: Tube
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
156+132.27 грн
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80N08S2-07Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 75V 80A I2PAK-3 OptiMOS
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80N08S207AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 80A TO262-3
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80N08S406AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80N08S406AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 80A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+244.68 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80N08S406AKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CHANNEL 75/80V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80P03P4-05Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -30V -80A I2PAK-3
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80P03P4-05AKSA1Infineon TechnologiesDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 253µA
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Bulk
на замовлення 2596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
378+61.92 грн
Мінімальне замовлення: 378 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80P03P405AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 80A TO262-3
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 253µA
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80P03P4L-04Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -30V -80A I2PAK-3 OptiMOS-P2
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80P03P4L-07Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -30V -80A I2PAK-3 OptiMOS-P2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80P03P4L04AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 253µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80P03P4L07AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80P04P4-05Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -40V -80A I2PAK-3 OptiMOS-P2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80P04P4-07Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -40V -80A I2PAK-3 OptiMOS-P2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80P04P405AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH TO262-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80P04P407AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH TO262-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80P04P4L-04Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -40V -80A I2PAK-3 OptiMOS-P2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80P04P4L-06Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -40V -80A I2PAK-3 OptiMOS-P2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80P04P4L-08Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -40V -80A I2PAK-3 OptiMOS-P2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80P04P4L04AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH TO262-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80P04P4L06AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH TO262-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80P04P4L08AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH TO262-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPI90N04S4-02Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 90A I2PAK-3 OptiMOS-T2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI90N04S402AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 90A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9430 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+229.66 грн
50+110.74 грн
100+100.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPI90N04S402BSAKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI90N04S402TATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI90N06S404AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI90N06S404AKSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL_55/60V
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
156+132.60 грн
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPI90N06S4L-04Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 90A I2PAK-3 OptiMOS-T2
на замовлення 488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPI90N06S4L04AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI90N06S4L04AKSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI90N06S4L04AKSA2Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPI90N06S4L04AKSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 46814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
183+112.67 грн
Мінімальне замовлення: 183 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPI90R1K0C3Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 900V 5.7A I2PAK-3 CoolMOS C3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI90R1K0C3Rochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 11990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 276 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPI90R1K0C3XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 900V 5.7A TO262-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPI90R1K2C3
Код товару: 101850
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
УКТЗЕД: 8541290010
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI90R1K2C3Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 900V 5.1A I2PAK-3 CoolMOS C3
на замовлення 847 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPI90R1K2C3InfineonТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI90R1K2C3XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 900V 5.1A TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 310µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI90R1K2C3XKSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 900V 5.1A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 310µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPI90R1K2C3XKSA2Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_LEGACY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI90R1K2C3XKSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 900V 5.1A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 310µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
на замовлення 11805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
233+88.63 грн
Мінімальне замовлення: 233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPI90R1K2C3XKSA2INFINEONDescription: INFINEON - IPI90R1K2C3XKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 5.1 A, 0.94 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 5.1
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 83
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS C3
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.94
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPI90R340C3Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 900V 15A I2PAK-3 CoolMOS C3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI90R340C3XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 900V 15A TO262-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI90R340C3XKSA1InfineonMOSFET N-CH 900V 15A TO-262-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI90R340C3XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_LEGACY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI90R340C3XKSA2Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_LEGACY
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPI90R340C3XKSA2Infineon TechnologiesPower Mosfet
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPI90R340C3XKSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 900V 15A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 100 V
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+448.34 грн
50+228.74 грн
100+209.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPI90R500C3Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 900V 11A I2PAK-3 CoolMOS C3
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPI90R500C3XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 900V 11A TO262-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI90R500C3XKSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 900V 11A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 740µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 100 V
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+307.26 грн
10+194.73 грн
50+151.29 грн
100+128.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPI90R800C3Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 900V 6.9A I2PAK-3 CoolMOS C3
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPI90R800C3Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 900V 6.9A TO262-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 460µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI90R800C3XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 900V 6.9A TO262-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 460µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI90R800C3XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4.4A; 104W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4.4A
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 104W
Technology: CoolMOS™
на замовлення 271 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+50.32 грн
10+48.64 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPIC0107BTI09+ SO-20
на замовлення 1675 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6