Продукція > IPI
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPI80N06S4L05AKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH TO262-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI80N06S4L07AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI80N06S4L07AKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA Supplier Device Package: PG-TO262-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5680 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 9817 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPI80N06S4L07AKSA2 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPI80N06S4L07AKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA Supplier Device Package: PG-TO262-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5680 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI80N07S4-05 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI80N07S405AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH TO262-3 Packaging: Tube Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Grade: Automotive Part Status: Obsolete Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 11000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPI80N07S405AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH TO262-3 Packaging: Tube Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Grade: Automotive Part Status: Obsolete Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI80N08S2-07 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 75V 80A I2PAK-3 OptiMOS | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI80N08S207AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO262-3 Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO262-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI80N08S406AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 80A TO262-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO262-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI80N08S406AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL 75/80V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI80N08S406AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 80A TO262-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO262-3-1 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPI80P03P4-05 | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -30V -80A I2PAK-3 | на замовлення 496 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI80P03P4-05AKSA1 | Infineon Technologies | Description: P-CHANNEL POWER MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO262-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 253µA Power Dissipation (Max): 137W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Packaging: Bulk | на замовлення 2596 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPI80P03P405AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 80A TO262-3 Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: PG-TO262-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 253µA Power Dissipation (Max): 137W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI80P03P4L-04 | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -30V -80A I2PAK-3 OptiMOS-P2 | на замовлення 386 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI80P03P4L-07 | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -30V -80A I2PAK-3 OptiMOS-P2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI80P03P4L04AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 80A TO262-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 137W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 253µA Supplier Device Package: PG-TO262-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +5V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI80P03P4L07AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 80A TO262-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA Supplier Device Package: PG-TO262-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +5V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI80P04P4-05 | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -40V -80A I2PAK-3 OptiMOS-P2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI80P04P4-07 | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -40V -80A I2PAK-3 OptiMOS-P2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI80P04P405AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH TO262-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI80P04P407AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH TO262-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI80P04P4L-04 | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -40V -80A I2PAK-3 OptiMOS-P2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI80P04P4L-06 | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -40V -80A I2PAK-3 OptiMOS-P2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI80P04P4L-08 | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -40V -80A I2PAK-3 OptiMOS-P2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI80P04P4L04AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH TO262-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI80P04P4L06AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH TO262-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI80P04P4L08AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH TO262-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI90N04S4-02 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 90A I2PAK-3 OptiMOS-T2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI90N04S402AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO262-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA Supplier Device Package: PG-TO262-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9430 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 439 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPI90N04S402BSAKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V TO263 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI90N04S402TATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI90N06S404AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO262-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI90N06S404AKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CHANNEL_55/60V Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO262-3-1 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPI90N06S4L-04 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 90A I2PAK-3 OptiMOS-T2 | на замовлення 488 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI90N06S4L04AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO262-3 Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI90N06S4L04AKSA2 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET | на замовлення 376 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPI90N06S4L04AKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO262-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Packaging: Tube Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI90N06S4L04AKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO262-3-1 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 46914 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPI90R1K0C3 | Rochester Electronics, LLC | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | на замовлення 11990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 276 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI90R1K0C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 900V 5.7A I2PAK-3 CoolMOS C3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI90R1K0C3XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 900V 5.7A TO262-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI90R1K2C3 | Infineon | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI90R1K2C3 Код товару: 101850
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні УКТЗЕД: 8541290010 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPI90R1K2C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 900V 5.1A I2PAK-3 CoolMOS C3 | на замовлення 847 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI90R1K2C3XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 900V 5.1A TO262-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO262-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 310µA Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Vgs (Max): ±20V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI90R1K2C3XKSA2 | Infineon Technologies | MOSFET LOW POWER_LEGACY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI90R1K2C3XKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IPI90R1K2C3XKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 5.1 A, 0.94 ohm, TO-262, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 900 Dauer-Drainstrom Id: 5.1 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 83 Bauform - Transistor: TO-262 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: CoolMOS C3 Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.94 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 3 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 446 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPI90R1K2C3XKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 900V 5.1A TO262-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 310µA Supplier Device Package: PG-TO262-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI90R1K2C3XKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 900V 5.1A TO262-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 310µA Supplier Device Package: PG-TO262-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V | на замовлення 1890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPI90R340C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 900V 15A I2PAK-3 CoolMOS C3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI90R340C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET LOW POWER_LEGACY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI90R340C3XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 900V 15A TO262-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI90R340C3XKSA1 | Infineon | MOSFET N-CH 900V 15A TO-262-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI90R340C3XKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 900V 15A TO262-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 9.2A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO262-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 100 V | на замовлення 494 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPI90R340C3XKSA2 | Infineon Technologies | Power Mosfet | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI90R340C3XKSA2 | Infineon Technologies | MOSFET LOW POWER_LEGACY | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI90R500C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 900V 11A I2PAK-3 CoolMOS C3 | на замовлення 344 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI90R500C3XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 900V 11A TO262-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI90R500C3XKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 900V 11A TO262-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 740µA Supplier Device Package: PG-TO262-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 100 V | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPI90R800C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 900V 6.9A I2PAK-3 CoolMOS C3 | на замовлення 496 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI90R800C3 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 900V 6.9A TO262-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO262-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 460µA Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI90R800C3XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4.4A; 104W; PG-TO262-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 4.4A Power dissipation: 104W Case: PG-TO262-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement | на замовлення 271 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPI90R800C3XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 900V 6.9A TO262-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO262-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 460µA Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPIC0107B | TI | 09+ SO-20 | на замовлення 1675 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |