Продукція > SI1

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 14 16 18 20 22  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI1031RVISHAY09+
на замовлення 108818 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1031R-T1VISHAY09+
на замовлення 42018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1031R-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 0.14A SC-75A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1031R-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 0.14A SC-75A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1031R-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 0.14A SC-75A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1031R-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 72018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1031R-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1031R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 140 mA, 8 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SC-75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 11992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+39.54 грн
28+29.57 грн
100+15.11 грн
500+10.82 грн
1000+7.03 грн
5000+6.89 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1031R-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 140MA SC75A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 19800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1031R-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V 150mA 280mW 8.0ohm @ 4.5V
на замовлення 4956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1031R-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1031R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 140 mA, 8 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SC-75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 11992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.11 грн
500+10.82 грн
1000+7.03 грн
5000+6.89 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1031R-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 140MA SC75A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 20366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.97 грн
11+29.25 грн
100+19.94 грн
500+14.03 грн
1000+10.52 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1031X
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1031X-T1VISHAYSOT416-H
на замовлення 117000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1031X-T1 SOT416-HVISHAY
на замовлення 240200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1031X-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 765018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1031X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 0.155A SC-75A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1031X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 0.155A SC-75A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1031X-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 150mA 340mW 8.0ohm @ 4.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1031X-T1SOT416-HVISHAY
на замовлення 234000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032-80LT
на замовлення 99 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032-A-GMSilicon LabsQFN 85/I°/32KB, 8KB RAM, +20DBM, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC BUCK SI1032
кількість в упаковці: 43 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032-A-GMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032-A-GMRSilicon LabsDescription: IC MCU 32KB 8KB RAM 85LGA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032-A-GMRSilicon LabsLGA 85/I°/32KB, 8KB RAM, +20DBM, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC BUCK SI1032
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032-B-GM3Silicon LabsRF Microcontrollers - MCU 32kB, 8kB RAM, +20dBm, programmable XCVR, DC-DC buck
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032-B-GM3Silicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85LGA
Packaging: Tray
Package / Case: 85-VFLGA Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 960MHz
Memory Size: 32kB Flash, 8.5kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.8V
Power - Output: 20dBm (Max)
Protocol: EZRadioPro
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 85mA
Supplier Device Package: 85-LGA (6x8)
GPIO: 53
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032-B-GM3RSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU 32kB, 8kB RAM, +20dBm, programmable XCVR, DC-DC buck
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032-B-GM3RSilicon LabsDescription: IC MCU 32KB 8KB RAM 85LGA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032E-70CT
на замовлення 99 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032RVISHAY
на замовлення 10080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032R-T1SI
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032R-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 140MA SC-75A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032R-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 69018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032R-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 140MA SC-75A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032R-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 140MA SC-75A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032R-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.14A 3-Pin SC-75A T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032R-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1032R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 140 mA, 5 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SC-75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+86.79 грн
50+60.03 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032R-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.14A 3-Pin SC-75A T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032R-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 140MA SC75A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V
на замовлення 21689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.42 грн
11+28.51 грн
100+19.42 грн
500+13.67 грн
1000+10.25 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032R-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1032R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 140 mA, 5 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SC-75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032R-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.14A 3-Pin SC-75A T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032R-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.14A 3-Pin SC-75A T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032R-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.14A 3-Pin SC-75A T/R
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032R-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V 200mA 280mW 5.0ohm @ 4.5V
на замовлення 102354 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032R-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 140MA SC75A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-75A
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140mA (Ta)
FET Type: N-Channel
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.40 грн
6000+9.41 грн
15000+8.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032R-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1032R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 140 mA, 5 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+102.06 грн
12+70.80 грн
100+44.84 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032R-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.14A 3-Pin SC-75A T/R
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+39.77 грн
22+34.76 грн
25+34.10 грн
100+25.02 грн
250+17.19 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032XVISHAY
на замовлення 58100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032X-T1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032X-T1-E3VISHAY
на замовлення 84200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032X-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1032X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 5 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 200
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 5
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+22.66 грн
45+18.00 грн
100+13.42 грн
500+10.75 грн
1000+7.44 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin SC-89 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032X-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V 200mA 340mW 5.0ohm @ 4.5V
на замовлення 78948 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V
на замовлення 2634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.22 грн
12+25.00 грн
100+17.37 грн
500+12.73 грн
1000+10.35 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin SC-89 T/R
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+43.33 грн
22+34.68 грн
25+34.33 грн
100+24.40 грн
250+22.21 грн
500+17.83 грн
1000+14.68 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032X-T1-GE3
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-89, SOT-490
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2634 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin SC-89 T/R
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
412+34.33 грн
559+25.31 грн
569+24.87 грн
680+20.06 грн
1000+15.30 грн
Мінімальне замовлення: 412 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1033-A-GMSilicon LabsQFN 85/I°/16KB, 4KB RAM, +20DBM, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC BUCK SI1033
кількість в упаковці: 43 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1033-A-GMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA
Packaging: Tray
Package / Case: 85-VFLGA Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 960MHz
Memory Size: 16kB Flash, 4.4kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.8V
Power - Output: 20dBm (Max)
Protocol: EZRadioPro
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 85mA
Supplier Device Package: 85-LGA (6x8)
GPIO: 53
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I²C, SPI, UART
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1033-A-GMRSilicon LabsDescription: IC MCU 16KB 4KB RAM 85LGA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1033-A-GMRSilicon LabsLGA 85/I°/16KB, 4KB RAM, +20DBM, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC BUCK SI1033
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1033-B-GM3Silicon LabsDescription: IC MCU 16KB 4KB RAM 85LGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1033-B-GM3Silicon LabsRF Microcontrollers - MCU 16kB, 4kB RAM, +20dBm, programmable XCVR, DC-DC buck
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1033-B-GM3RSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU 16kB, 4kB RAM, +20dBm, programmable XCVR, DC-DC buck
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1033-B-GM3RSilicon LabsDescription: IC MCU 16KB 4KB RAM 85LGA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1033X-T1VISHAY
на замовлення 6600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1033X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.145A SOT563F
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1033X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.145A SOT563F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1033X-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 54018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1033X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.145A SOT563F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1033X-T1-E3-E3VISHAY09+
на замовлення 9018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1033X-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 20V 150mA 280mW 8.0ohm @ 4.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1033X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.145A SC89
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1034-A-GMSilicon LabsQFN 85/I°/128KB, 8KB RAM, +13DBM, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC BUCK SI1034
кількість в упаковці: 43 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1034-A-GMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA
Part Status: Obsolete
Serial Interfaces: I²C, SPI, UART
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Modulation: FSK, GFSK, OOK
GPIO: 53
Supplier Device Package: 85-LGA (6x8)
Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Receiving: 18.5mA
Protocol: EZRadioPro
Power - Output: 13dBm (Max)
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.8V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Type: TxRx + MCU
Memory Size: 128kB Flash, 8.5kB RAM
Frequency: 240MHz ~ 960MHz
Mounting Type: Surface Mount
Sensitivity: -121dBm
Package / Case: 85-VFLGA Exposed Pad
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1034-A-GMRSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1034-A-GMRSilicon LabsLGA 85/I°/128KB, 8KB RAM, +13DBM, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC BUCK SI1034
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1034-B-GM3Silicon LabsRF Microcontrollers - MCU 128kB, 8kB RAM, +13dBm, programmable XCVR, DC-DC buck
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1034-B-GM3Silicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85LGA
Packaging: Tray
Package / Case: 85-VFLGA Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 960MHz
Memory Size: 128kB Flash, 8.5kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.8V
Power - Output: 13dBm (Max)
Protocol: EZRadioPro
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA
Supplier Device Package: 85-LGA (6x8)
GPIO: 53
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1034-B-GM3RSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU 128kB, 8kB RAM, +13dBm, programmable XCVR, DC-DC buck
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1034-B-GM3RSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1034CX-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.61A SC89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 220mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 610mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.87 грн
15+20.67 грн
100+13.12 грн
500+9.24 грн
1000+8.24 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1034CX-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.61A 6-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1034CX-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1034CX-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 610 mA, 610 mA, 0.33 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 610mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 610mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.33ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 220mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.33ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 220mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.71 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1034CX-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.61A 6-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1034CX-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1034CX-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 610 mA, 610 mA, 0.33 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 610mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 610mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.33ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 220mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.33ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 220mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+37.93 грн
50+23.14 грн
100+14.71 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1034CX-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.61A SC89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 220mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 610mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1034CX-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1034CX-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 610 mA, 610 mA, 0.33 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 610mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 610mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.33ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 220mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.33ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 220mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1034CX-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V Vds 8V Vgs SC89-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1034X-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 2738 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1034X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.18A SOT563F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1034X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.18A SOT563F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1034X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.18A SC89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
на замовлення 5211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.14 грн
10+30.67 грн
100+19.69 грн
500+14.05 грн
1000+12.62 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1034X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.18A 6-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1034X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.18A SC89
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 250mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 14 16 18 20 22  [ Наступна Сторінка >> ]