Продукція > MMB
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MMBT2222AGSOT-523T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBT2222AH RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: SOT-23, 75V, 0.6A, NPN TRANSISTO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 350 mW | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2222AH RFG | Taiwan Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT SOT-23, 75V, 0.6A, NPN Transistor | на замовлення 5892 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2222AH RFG | Taiwan Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2222AH RFG | Taiwan Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2222AH RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: SOT-23, 75V, 0.6A, NPN TRANSISTO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 350 mW | на замовлення 4871 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2222AH RFG | Taiwan Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2222AHE3-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 350 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2222AHE3-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2222AHE3-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 350 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 48 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2222AHE3-TP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2222AHLT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2222AHLT1H | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2222AK | FAIRCHILD | 0550+ SOT-23 | на замовлення 24600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2222AK | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT-23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2222AL | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBT2222AL | onsemi | SS SOT23 GP XSTR NPN 30V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2222ALP4-7B | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 40V 0.6A X2-DFN1006-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: X2-DFN1006-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 460 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 248500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2222ALP4-7B | DIODES INCORPORATED | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 1W; X2-DFN1006-3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 1W Case: X2-DFN1006-3 Current gain: 35...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz Manufacturer standard package: 10000pcs. Pulsed collector current: 0.8A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2222ALP4-7B | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - MMBT2222ALP4-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 1 W, X2-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 1W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: X2-DFN1006 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 4415 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2222ALP4-7B | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2222ALP4-7B | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 40V 0.6A X2-DFN1006-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: X2-DFN1006-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 460 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 251210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2222ALP4-7B | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT General Purpose Tran X2-DFN1006-3 T&R 10 | на замовлення 41295 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2222ALP4-7B | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - MMBT2222ALP4-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 1 W, X2-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 1W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: X2-DFN1006 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 4415 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2222ALSOT-23T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBT2222ALT | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBT2222ALT1 | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3 Power - Max: 225 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Frequency - Transition: 300MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2222ALT1 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN 40V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2222ALT1 | INFINEON | TRANSISTOR SWITCHING 40V NPN SOT-23 | на замовлення 5 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2222ALT1 | On Semiconductor | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2222ALT1 1P | N/A | 09+ SOT-23 | на замовлення 58000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2222ALT1(1P) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBT2222ALT1(1P*) | на замовлення 6339 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBT2222ALT1/1P | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBT2222ALT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN 40V | на замовлення 1415452 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2222ALT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 156741 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2222ALT1G | ON Semiconductor | Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,3, Uceo, В = 40, Ic = 600 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 300, hFE = 100 @ 150 мA, 10 В, Icutoff-max = 10 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2222ALT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 600000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2222ALT1G | ON SEMICONDUCTOR | Транзистор ключевой 40 В NPN SOT-23 | на замовлення 10 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2222ALT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2004000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2222ALT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2222ALT1G | ON-Semiconductor | Transistor NPN; 300; 350mW; 40V; 1A; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: MMBT2222ALT1G; MMBT2222A-7-F; MMBT2222A RFG; MMBT2222A,215; MMBT22 MMBT2222ALT1G TMMBT2222alt1 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2222ALT1G | на замовлення 11000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBT2222ALT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2004000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2222ALT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 225 mW | на замовлення 150000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2222ALT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 156741 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2222ALT1G | On Semiconductor | TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2222ALT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 50869 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2222ALT1G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz | на замовлення 59818 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2222ALT1G | ON-Semiconductor | Transistor NPN; 300; 350mW; 40V; 1A; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: MMBT2222ALT1G; MMBT2222A-7-F; MMBT2222A RFG; MMBT2222A,215; MMBT22 MMBT2222ALT1G TMMBT2222alt1 кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 700 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2222ALT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 50869 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2222ALT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 225 mW | на замовлення 150000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2222ALT1G (ON) біполярний транзистор NPN Код товару: 35896
3
Додати до обраних
Обраний товар
| ON | Транзистори > Біполярні NPN Корпус: SOT-23 Гранична частота fT: 300 МГц Напруга колектор-емітер Uceo, В: 40 В Напруга колектор-база Ucbo, В: 75 В Струм колектора Ic, А: 0,6 А Монтаж: SMD | у наявності: 5970 шт
|
| ||||||||||||||||||
| MMBT2222ALT1H | onsemi | Description: SS SOT23 GP XSTR NPN 40V Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2222ALT1H | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMBT2222ALT1H - SS SOT23 GP XSTR NPN 40V tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 4950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4950 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2222ALT1H | onsemi | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2222ALT1HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 5495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2222ALT1HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2222ALT1HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2222ALT1HTSA1 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT AF TRANS GP BJT NPN 40V 0.6A | на замовлення 66358 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2222ALT1HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 45000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2222ALT1HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 315000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2222ALT1HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN 40V 0.6A PG-SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 330 mW | на замовлення 22783 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2222ALT1HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 5920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2222ALT1HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 258000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2222ALT1HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2222ALT1HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 126 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2222ALT1HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN 40V 0.6A PG-SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 330 mW | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2222ALT1HTSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - MMBT2222ALT1HTSA1 - MMBT2222 - NPN SWITCHING TRANSISTOR tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 11495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 7118 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2222ALT1HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2222ALT1HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 135000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2222ALT1XT | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT AF TRANS GP BJT NPN 40V 0.6A | на замовлення 89823 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2222ALT3G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMBT2222ALT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 63681 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2222ALT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 370000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2222ALT3G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN 30V | на замовлення 31198 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2222ALT3G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2222ALT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2222ALT3G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMBT2222ALT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 63681 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2222ALT3G | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 300 mW | на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2222ALT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2222ALT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2222ALT3G | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 300 mW | на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2222AM-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2222AM-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: NPN TRANSISTORS,SOT-723 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 150mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: SOT-723 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 100 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2222AM3T5G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R | на замовлення 37 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2222AM3T5G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R | на замовлення 419 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2222AM3T5G | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT-723 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-723 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 640 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2222AM3T5G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R | на замовлення 419 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 73 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2222AM3T5G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT SS SOT-723 GP TRANSISTOR | на замовлення 40311 шт: термін постачання 386-395 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2222AM3T5G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2222AM3T5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMBT2222AM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 265mW Bauform - Transistor: SOT-723 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | на замовлення 552471 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 16000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2222AM3T5G | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT-723 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-723 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 640 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2222AM3T5G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R | на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2222AM3T5G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R | на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 265 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2222AQ | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz Application: automotive industry | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2222AQ | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2222AQ | Yangjie Electronic Technology | NPN General Purpose Amplifier | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2222AQ | Yangjie Technology | Description: SOT-23 NPN 0.3W 0.6A 75V Transis Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2222AQ-7-F | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 310 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2222AQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 525000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

