Продукція > 2SA

Обрати Сторінку: [ << Попередня Сторінка ] 1 6 12 18 24 30 36 42 48 54 58 59 60 61 62 63 64 65 [ Наступна Сторінка >> ]

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

2SAR553P5T100

ROHM Semiconductor

Bipolar Transistors - BJT PNP -50V Vceo -2A Ic MPT3

на замовлення 2737 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

2SAR553P5T100

Description: ROHM - 2SAR553P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 175 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

2SAR553P5T100

Description: ROHM - 2SAR553P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 175 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

2SAR553PFRAT100

Rohm Semiconductor

Description: TRANS PNP 50V 2A MPT3

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

2SAR553PFRAT100

Description: ROHM - 2SAR553PFRAT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), AEC-Q101, PNP, 50 V, 2 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 220 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

2SAR553PFRAT100

Rohm Semiconductor

Description: TRANS PNP 50V 2A MPT3

на замовлення 962 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	38.66 грн
10+	30.01 грн
100+	20.42 грн
500+	14.37 грн

Мінімальне замовлення: 8 шт

В кошику од. на суму грн.

2SAR553PFRAT100

ROHM Semiconductor

Bipolar Transistors - BJT PNP SOT-89 -2A 180 to 450hFE -50V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

2SAR553PFRAT100

Description: ROHM - 2SAR553PFRAT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), AEC-Q101, PNP, 50 V, 2 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 220 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

2SAR553PHZGT100

Description: ROHM - 2SAR553PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 180hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 2W
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 2A
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 158 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

2SAR553PHZGT100

Rohm Semiconductor

Description: TRANS PNP 50V 2A SOT-89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 35mA, 700mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

2SAR553PHZGT100

ROHM Semiconductor

Bipolar Transistors - BJT 50V 2A SOT89 BJT TRANS

на замовлення 6193 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

2SAR553PHZGT100

Description: ROHM - 2SAR553PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 158 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

2SAR553PHZGT100

Rohm Semiconductor

Description: TRANS PNP 50V 2A SOT-89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 35mA, 700mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

2SAR553PT100

Rohm Semiconductor

Description: TRANS PNP 50V 2A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 35mA, 700mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 2 W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

2SAR553PT100

Rohm Semiconductor

Trans GP BJT PNP 50V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R

на замовлення 345 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

174+	81.42 грн

Мінімальне замовлення: 174 шт

В кошику од. на суму грн.

2SAR553PT100

Rohm Semiconductor

Description: TRANS PNP 50V 2A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 35mA, 700mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 2 W

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

2SAR553PT100

Rohm Semiconductor

Trans GP BJT PNP 50V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

643+	21.98 грн
667+	21.18 грн
1000+	20.49 грн

Мінімальне замовлення: 643 шт

В кошику од. на суму грн.

2SAR553PT100

Rohm Semiconductor

Trans GP BJT PNP 50V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R

на замовлення 345 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	81.42 грн

Мінімальне замовлення: 18 шт

В кошику од. на суму грн.

2SAR553PT100

ROHM Semiconductor

Bipolar Transistors - BJT PNP 50V 3A Transistor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

2SAR553PT100

Rohm Semiconductor

Trans GP BJT PNP 50V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R

на замовлення 47 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 47 шт

В кошику од. на суму грн.

2SAR553RHZGTL

Description: ROHM - 2SAR553RHZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 1 W, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346T
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

2SAR553RHZGTL

ROHM Semiconductor

Bipolar Transistors - BJT PNP, SOT-346T, -20V -50A, Middle Power Transistor for Automotive

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

2SAR553RHZGTL

Description: ROHM - 2SAR553RHZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 1 W, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung: 1W
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

2SAR553RTL

ROHM Semiconductor

Bipolar Transistors - BJT Load Switch ICs for Portable Equipment

на замовлення 5074 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

2SAR553RTL

Rohm Semiconductor

Description: TRANS PNP 50V 2A TSMT3
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: TSMT3
Frequency - Transition: 320MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 35mA, 700mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

2SAR553RTL

Rohm Semiconductor

Description: TRANS PNP 50V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 35mA, 700mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: TSMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W

на замовлення 2289 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	63.40 грн
10+	37.75 грн
100+	24.46 грн
500+	17.58 грн
1000+	15.85 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

2SAR554P5T100

ROHM Semiconductor

Bipolar Transistors - BJT PNP -50V Vceo -2A Ic MPT3

на замовлення 2780 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

2SAR554PFRAT100

ROHM Semiconductor

Bipolar Transistors - BJT PNP SOT-89 -1.5A 120 to 390hFE -80V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

2SAR554PFRAT100

Rohm Semiconductor

Description: TRANS PNP 80V 1.5A MPT3
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 340MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 1735 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	32.47 грн
12+	26.95 грн
100+	20.11 грн
500+	14.83 грн

Мінімальне замовлення: 10 шт

В кошику од. на суму грн.

2SAR554PFRAT100

Rohm Semiconductor

Description: TRANS PNP 80V 1.5A MPT3
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 340MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	12.68 грн

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

2SAR554PHZGT100

Description: ROHM - 2SAR554PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1.5 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 1.5A
Übergangsfrequenz: 340MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 826 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

2SAR554PHZGT100

Rohm Semiconductor

Description: TRANS PNP 80V 1.5A SOT-89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 340MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

2SAR554PHZGT100

Description: ROHM - 2SAR554PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1.5 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 340MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 826 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

2SAR554PHZGT100

Rohm Semiconductor

Description: TRANS PNP 80V 1.5A SOT-89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 340MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

2SAR554PHZGT100

ROHM Semiconductor

Bipolar Transistors - BJT PNP, SOT-89, -80V -1.5A, Medium Power Transistor

на замовлення 785 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

2SAR554PT100

Rohm Semiconductor

Description: TRANS PNP 80V 1.5A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 340MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

2SAR554PT100

ROHM Semiconductor

Bipolar Transistors - BJT TRANS GP BJT PNP 80V 1.5A 4PIN MPT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

2SAR554RTL

ROHM Semiconductor

Bipolar Transistors - BJT PNP Digital Transtr Driver

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

2SAR554RTL

Rohm Semiconductor

Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1000mW 3-Pin TSMT T/R

на замовлення 951 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	53.19 грн
100+	33.94 грн
500+	24.94 грн

Мінімальне замовлення: 15 шт

В кошику од. на суму грн.

2SAR554RTL

Rohm Semiconductor

Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 3-Pin TSMT T/R

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1128+	12.51 грн
1167+	12.10 грн

Мінімальне замовлення: 1128 шт

В кошику од. на суму грн.

2SAR554RTL

Rohm Semiconductor

Description: TRANS PNP 80V 1.5A TSMT3

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

2SAR554RTL

Rohm Semiconductor

Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1000mW 3-Pin TSMT T/R

на замовлення 951 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

266+	53.19 грн
416+	33.94 грн
546+	25.86 грн

Мінімальне замовлення: 266 шт

В кошику од. на суму грн.

2SAR554RTL

Rohm Semiconductor

Description: TRANS PNP 80V 1.5A TSMT3

на замовлення 2497 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	51.80 грн
10+	42.22 грн
100+	31.55 грн
500+	23.26 грн
1000+	17.97 грн

Мінімальне замовлення: 6 шт

В кошику од. на суму грн.

2SAR554RTL

Rohm Semiconductor

Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 3-Pin TSMT T/R

на замовлення 4311 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

889+	15.88 грн
896+	15.76 грн
1053+	13.41 грн
1122+	12.14 грн
2000+	11.13 грн
3000+	10.28 грн

Мінімальне замовлення: 889 шт

В кошику од. на суму грн.

2SAR562F3TR

Rohm Semiconductor

Description: TRANS PNP 30V 6A HUML2020L3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: HUML2020L3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1 W

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

2SAR562F3TR

Rohm Semiconductor

Trans GP BJT PNP 30V 6A 3-Pin HUML EP T/R

на замовлення 442 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

170+	83.31 грн
178+	79.58 грн
250+	76.38 грн

Мінімальне замовлення: 170 шт

В кошику од. на суму грн.

2SAR562F3TR

Rohm Semiconductor

Description: TRANS PNP 30V 6A HUML2020L3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: HUML2020L3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1 W

на замовлення 2309 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	82.73 грн
10+	50.18 грн
100+	33.05 грн
500+	24.12 грн
1000+	21.90 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

2SAR562F3TR

Rohm Semiconductor

Trans GP BJT PNP 30V 6A 3-Pin HUML EP T/R

на замовлення 2320 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

170+	83.31 грн
178+	79.58 грн
250+	76.38 грн
500+	71.00 грн
1000+	63.60 грн

Мінімальне замовлення: 170 шт

В кошику од. на суму грн.

2SAR562F3TR

ROHM Semiconductor

Bipolar Transistors - BJT PNP -6A Ic -30V Vceo HUML2020L3

на замовлення 3510 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

2SAR563F3TR

Rohm Semiconductor

Description: TRANS PNP 50V 6A HUML2020L3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L3
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

2SAR563F3TR

ROHM Semiconductor

Bipolar Transistors - BJT Small and Excellent Thermal Conductivity, PNP -6A -50V Middle Power Transistor

на замовлення 4870 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

2SAR563F3TR

Rohm Semiconductor

Description: TRANS PNP 50V 6A HUML2020L3
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L3
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

2SAR564F3TR

Rohm Semiconductor

Description: TRANS PNP 80V 4A HUML2020L3
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L3
Frequency - Transition: 220MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 734 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	99.74 грн
10+	60.53 грн
100+	40.15 грн
500+	29.48 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

2SAR564F3TR

Rohm Semiconductor

Trans GP BJT PNP 80V 4A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R

на замовлення 95 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	101.07 грн
11+	71.15 грн

Мінімальне замовлення: 8 шт

В кошику од. на суму грн.

2SAR564F3TR

Description: ROHM - 2SAR564F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4 A, 2.1 W, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 2.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 220MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 2933 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

2SAR564F3TR

Rohm Semiconductor

Description: TRANS PNP 80V 4A HUML2020L3
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L3
Frequency - Transition: 220MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

2SAR564F3TR

Rohm Semiconductor

Trans GP BJT PNP 80V 4A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R

на замовлення 2985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

182+	135.53 грн

Мінімальне замовлення: 182 шт

В кошику од. на суму грн.

2SAR564F3TR

Description: ROHM - 2SAR564F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4 A, 2.1 W, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 2.1W
Verlustleistung: 2.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 4A
Übergangsfrequenz: 220MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 2933 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

2SAR564F3TR

Rohm Semiconductor

Trans GP BJT PNP 80V 4A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R

на замовлення 95 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 8 шт

В кошику од. на суму грн.

2SAR564F3TR

ROHM Semiconductor

Bipolar Transistors - BJT PNP 80V 4A MID-PWR

на замовлення 5103 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

2SAR567F3TR

Rohm Semiconductor

Description: TRANS PNP 120V 2.5A HUML2020L3
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L3
Frequency - Transition: 220MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 80mA, 800mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 2880 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	105.15 грн
10+	63.88 грн
100+	42.51 грн
500+	31.28 грн
1000+	28.51 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

2SAR567F3TR

Description: ROHM - 2SAR567F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 2.5 A, 1 W, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: DFN2020
Dauerkollektorstrom: 2.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 220MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2880 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

2SAR567F3TR

ROHM Semiconductor

Bipolar Transistors - BJT 120V 2.5A DF2020 BJT PNP TRA

на замовлення 5645 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

2SAR567F3TR

Rohm Semiconductor

Description: TRANS PNP 120V 2.5A HUML2020L3
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L3
Frequency - Transition: 220MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 80mA, 800mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

2SAR567F3TR

Description: ROHM - 2SAR567F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 2.5 A, 1 W, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: DFN2020
Dauerkollektorstrom: 2.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 220MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2880 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

2SAR572D3FRATL

Description: ROHM - 2SAR572D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 5 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 1075 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

2SAR572D3FRATL

ROHM Semiconductor

Bipolar Transistors - BJT PNP, TO-252 (DPAK), -30V -5A, Power Transistor

на замовлення 3999 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

2SAR572D3FRATL

Rohm Semiconductor

Trans GP BJT PNP 30V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 22 шт

В кошику од. на суму грн.

2SAR572D3FRATL

Rohm Semiconductor

Description: TRANS PNP 30V 5A TO252
Qualification: AEC-Q101
Power - Max: 10 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-252
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

2SAR572D3FRATL

Description: ROHM - 2SAR572D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 5 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 10W
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 5A
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 1075 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

2SAR572D3FRATL

Rohm Semiconductor

Trans GP BJT PNP 30V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 4924 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

142+	99.57 грн

Мінімальне замовлення: 142 шт

В кошику од. на суму грн.

2SAR572D3FRATL
Код товару: 172761

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

2SAR572D3FRATL

Rohm Semiconductor

Description: TRANS PNP 30V 5A TO252
Qualification: AEC-Q101
Power - Max: 10 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-252
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

2SAR572D3TL1

Description: ROHM - 2SAR572D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 5 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 10W
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 5A
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 1508 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

2SAR572D3TL1

Rohm Semiconductor

Trans GP BJT PNP 30V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1609 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

253+	55.87 грн

Мінімальне замовлення: 253 шт

В кошику од. на суму грн.

2SAR572D3TL1

Rohm Semiconductor

Description: TRANS PNP 30V 5A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 10 W

на замовлення 6583 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	88.14 грн
10+	53.31 грн
100+	35.28 грн
500+	25.82 грн
1000+	23.47 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

2SAR572D3TL1

ROHM Semiconductor

Bipolar Transistors - BJT PNP -30V -5A 10W Pwr trnstr Low VCE

на замовлення 3058 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

2SAR572D3TL1

Description: ROHM - 2SAR572D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 5 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 1508 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

2SAR572D3TL1

Rohm Semiconductor

Trans GP BJT PNP 30V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2419 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

110+	129.36 грн
173+	81.73 грн
411+	34.34 грн
414+	32.89 грн
500+	26.57 грн
1000+	24.30 грн
2000+	23.99 грн

Мінімальне замовлення: 110 шт

В кошику од. на суму грн.

2SAR572D3TL1

Rohm Semiconductor

Description: TRANS PNP 30V 5A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 10 W

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	23.17 грн
5000+	20.64 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

2SAR572DGTL

Rohm Semiconductor

Description: TRANS PNP 30V 5A CPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: CPT3
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 10 W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

2SAR572DGTL

ROHM Semiconductor

Bipolar Transistors - BJT I2C BUS 8Kbit EEPROM

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

2SAR572DGTL

Rohm Semiconductor

Description: TRANS PNP 30V 5A CPT3
Power - Max: 10 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: CPT3
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

2SAR573D3FRATL

Description: ROHM - 2SAR573D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 180hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 10W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 3A
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 2265 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

2SAR573D3FRATL

Rohm Semiconductor

Trans GP BJT PNP 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 470 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

114+	187.22 грн

Мінімальне замовлення: 114 шт

В кошику од. на суму грн.

2SAR573D3FRATL

Rohm Semiconductor

Trans GP BJT PNP 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

2SAR573D3FRATL
Код товару: 176446

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

2SAR573D3FRATL

Rohm Semiconductor

Description: TRANS PNP 50V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 10 W
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

2SAR573D3FRATL

Description: ROHM - 2SAR573D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 2265 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

2SAR573D3FRATL

Rohm Semiconductor

Trans GP BJT PNP 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

123+	115.25 грн
158+	89.87 грн
250+	86.27 грн
500+	80.19 грн
1000+	71.82 грн

Мінімальне замовлення: 123 шт

В кошику од. на суму грн.

2SAR573D3FRATL

ROHM Semiconductor

Bipolar Transistors - BJT PNP, TO-252 (DPAK), -50V -3A, Power Transistor

на замовлення 6739 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

2SAR573D3FRATL

Rohm Semiconductor

Description: TRANS PNP 50V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 10 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 82 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	150.77 грн
10+	92.99 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

2SAR573D3TL1

Rohm Semiconductor

Trans GP BJT PNP 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	30.13 грн
5000+	28.21 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

2SAR573D3TL1

Rohm Semiconductor

Description: TRANS PNP 50V 3A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-252
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 10 W

на замовлення 2671 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	87.37 грн
10+	52.94 грн
100+	34.96 грн
500+	25.57 грн
1000+	23.25 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

2SAR573D3TL1

Rohm Semiconductor

Trans GP BJT PNP 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2404 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

213+	66.38 грн
299+	47.24 грн
500+	37.84 грн
1000+	33.26 грн

Мінімальне замовлення: 213 шт

В кошику од. на суму грн.

2SAR573D3TL1

Description: ROHM - 2SAR573D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 1814 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

2SAR573D3TL1

Rohm Semiconductor

Trans GP BJT PNP 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 3018 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

461+	30.67 грн

Мінімальне замовлення: 461 шт

В кошику од. на суму грн.

2SAR573D3TL1

ROHM Semiconductor

Bipolar Transistors - BJT PNP -50V -3A 10W Pwr trnstr Low VCE

на замовлення 2450 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

2SAR573D3TL1

Rohm Semiconductor

Description: TRANS PNP 50V 3A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-252
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 10 W

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	22.93 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

2SAR573D3TL1

Rohm Semiconductor

Trans GP BJT PNP 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

Обрати Сторінку: [ << Попередня Сторінка ] 1 6 12 18 24 30 36 42 48 54 58 59 60 61 62 63 64 65 [ Наступна Сторінка >> ]