Продукція > MMB
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MMBT2484L | onsemi | SS SOT23 LN XSTR NPN 60V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2484L | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBT2484LT1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMBT2484LT1 - TRANSISTOR, NPN SOT-23 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 106034 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2484LT1 | ON | 07+; | на замовлення 45000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2484LT1 | onsemi | Description: TRANS SS GP NPN 60V SOT23 Packaging: Bulk | на замовлення 106530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2484LT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 60V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 100µA, 1mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 225 mW | на замовлення 3830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2484LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 135000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2484LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 114000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2484LT1G | On Semiconductor | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2484LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2484LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2484LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2484LT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 60V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 100µA, 1mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 225 mW | на замовлення 2008 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2008 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2484LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2484LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 20378 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2484LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 5130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2484LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2484LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMBT2484LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 21305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2484LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 20378 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2484LT1G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 0.1A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB Kind of package: reel; tape Polarisation: bipolar Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225/0.3W Collector-emitter voltage: 60V Current gain: 250...800 Type of transistor: NPN | на замовлення 3021 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2484LT1G | ON-Semiconductor | NPN 100mA 60V 225mW -MHz MMBT2484LT1G TMMBT2484lt1 кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2484LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2484LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 114000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2484LT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 600mA 60V NPN | на замовлення 83166 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2484LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2484LT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2484LT3G | onsemi | Description: TRANS NPN 60V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 100µA, 1mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 225 mW | на замовлення 31084 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2484LT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2484LT3G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT SS LN XSTR NPN 60V | на замовлення 22421 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2484LT3G | onsemi | Description: TRANS NPN 60V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 100µA, 1mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 225 mW | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2484LT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 170000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT269(1J) | на замовлення 67955 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBT28S-B | на замовлення 5637 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBT2904-7 | на замовлення 5 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBT2907 | ONS/FAI | MMBT2907 Series 40 V CE Breakdown .8 A PNP General Purpose Amplifier - SOT-23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2907 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2907 | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. | Description: 40V 250MW 100@150MA,10V 600MA PN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 250 mW Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 670mV @ 50mA, 500mA | на замовлення 1956 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907 | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 0.8A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 350 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2907 | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. | Description: 40V 250MW 100@150MA,10V 600MA PN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 250 mW Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 670mV @ 50mA, 500mA | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907 | Yangjie Electronic Technology | MMBT2907 | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907 | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: TRANS PNP 60V 600MA SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 15mA, 150mA Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 250 mW | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907-2F | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBT2907-7 | на замовлення 105000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBT2907-D87Z | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 0.8A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 171373 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907-D87Z | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS PNP 40V 0.8A SOT-23-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 350 mW | на замовлення 487145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907-D87Z | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMBT2907-D87Z - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 284119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907-D87Z | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 0.8A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 284399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907-D87Z | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 0.8A SOT-23-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 350 mW | на замовлення 284118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907-D87Z | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 0.8A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 110000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907-D87Z | ON Semiconductor / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Purp Amp | на замовлення 9744 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2907-D87Z | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 0.8A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 202746 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907-D87Z | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 0.8A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 350 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2907-GS08 | VISHAY | 09+ | на замовлення 3018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2907-ML | MOSLEADER | Description: 0.2W 10V 0.6A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907A | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT2907A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 800 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2737 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907A | Diotec | PNP, Uкэ=60V, Iк=0.8A, 200МГц, SOT-23 (SMD) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2907A | onsemi | Description: TRANS PNP 60V 0.8A SOT-23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2907A | Good-Ark | High DC Current Gain PNP Transistor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2907A | EVVO | Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT-23 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2907A | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1985 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2907A | Diotec Semiconductor | Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 250 mW | на замовлення 25811 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907A Код товару: 83731
Додати до обраних
Обраний товар
| ST | Транзистори > Біполярні PNP Корпус: SOT-23 fT: 200 MHz Uке, В: 60 V Uкб, В: 60 V Iк, А: 0,6 A | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907A | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT2907A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 800 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2737 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907A | LGE | PNP -600mA -60V 225mW 200MHz MMBT2907A-YAN; MMBT2907A China TMMBT2907a c кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907A | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1596 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 532 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2907A | Diotec Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 60V, 600mA, PNP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 43 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2907A | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 250mW; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23 Current gain: 50...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz | на замовлення 2430 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907A | MDD | Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT-23 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907A | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1901 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907A | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | Description: TRANS PNP 60V 0.8A SOT-23-3L | на замовлення 3173 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907A | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - MMBT2907A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 250mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Single Bipolar Transistors PNP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 15064 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907A | ONS/FAI | PNP, Uкэ=60V, Iк=0.8A, 200МГц, SOT-23 (SMD) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2907A | HY Electronic (Cayman) Limited | Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT-23 | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2907A | Microdiode Electronics (MDD) | Zener Diode | на замовлення 639000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907A | Good-Ark Semiconductor | Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT-23 | на замовлення 1086 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907A | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 192000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907A | Diotec Semiconductor | Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 250 mW | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907A | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT2907A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 800 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907A | LITE ON | PNP, Uкэ=60V, Iк=0.8A, 200МГц, SOT-23 (SMD) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2907A | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2907A | EVVO | Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT-23 | на замовлення 1157 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907A | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 192000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907A | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | Description: TRANS PNP 60V 0.8A SOT-23-3L | на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907A Код товару: 160581
Додати до обраних
Обраний товар
| Yangjie | Транзистори > Біполярні PNP Корпус: SOT-23 fT: 200 MHz Uке, В: 60 V Uкб, В: 60 V Iк, А: 0,6 A h21,max: 300 | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907A | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - MMBT2907A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Verlustleistung: 250mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Single Bipolar Transistors PNP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 15064 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907A | JSMicro Semiconductor | Transistor PNP; 300; 300mW; 60V; 600mA; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MMBT2907A-7-F; MMBT2907ALT1G; MMBT2907ALT3G; MMBT2907A-TP; MMBT2907A RFG; MMBT2907A JSMICRO TMMBT2907a JSM кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907A | LUGUANG ELECTRONIC | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Current gain: 100...300 Mounting: SMD Frequency: 200MHz | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2907A | STMicroelectronics | Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT-23-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 27000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2907A | HT Jinyu Semiconductor | Transistor (PNP) | на замовлення 2847000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907A | Good-Ark Semiconductor | Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT-23 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907A | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 201 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907A (DIOTEC) Код товару: 4351
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| MMBT2907A R2 10001 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT PAN-JIT AMERICAS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2907A RF | Taiwan Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT -60V, -0.6A, PNP Bipolar Transistor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2907A RF | Taiwan Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2907A RFG | Taiwan Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT -60V, -0.6A, PNP Bipolar Transistor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 23 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2907A RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 350 mW | на замовлення 1669 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907A RFG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.35W; SOT23-3 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23-3 Current gain: 50...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2907A RFG | Taiwan Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2907A RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 350 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |

