Продукція > DFE

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DFE252010P-4R7M=P2MURATADescription: MURATA - DFE252010P-4R7M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 4.7 µH, Geschirmt, 1.3 A, DFE252010P Series, 1008 [Metrisch 2520]
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1mm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Induktivität: 4.7µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1008 [Metrisch 2520]
DC-Widerstand, max.: 0.27ohm
Bauform - Leistungsinduktivität: 1008 [Metrisch 2520]
isCanonical: Y
RMS-Strom Irms: -
Sättigungsstrom (Isat): 1.3A
Produktlänge: 2.5mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: DFE252010P Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Produktbreite: 2mm
на замовлення 8280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252010P-4R7M=P2MurataInductor Power Shielded Wirewound 4.7uH 20% 1MHz Metal 1.1A 0.27Ohm DCR 1008 Standard
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252010P-4R7M=P2MurataDFE252010P-4R7M=P2 4,7 мкГн 1008 (2520) 20% 1.1 A 270mOhm Індуктивності
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252010P-R33M=P2Murata ElectronicsDescription: FIXED IND 330NH 3.8A 29 MOHM SMD
на замовлення 1601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252010P-R33M=P2Murata ElectronicsPower Inductors - SMD
на замовлення 2898 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252010P-R33M=P2Murata ElectronicsDescription: FIXED IND 330NH 3.8A 29 MOHM SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252010P-R47M=P2MURATADescription: MURATA - DFE252010P-R47M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 0.47 µH, 3.5 A, Geschirmt, 5 A, DFE252010P Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1mm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Induktivität: 0.47µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1008 [Metrisch 2520]
DC-Widerstand, max.: 0.035ohm
isCanonical: Y
RMS-Strom Irms: 3.5A
Sättigungsstrom (Isat): 5A
Produktlänge: 2.5mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: DFE252010P Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Produktbreite: 2mm
на замовлення 3860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252010P-R47M=P2Murata ElectronicsPower Inductors - SMD 47 UH 20%
на замовлення 3312 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252010P-R47M=P2Murata ElectronicsDescription: FIXED IND 470NH 3.5A 35 MOHM SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±20%
Features: Flat Wire
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 35mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 5A
Material - Core: Iron Powder
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 2520
Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 470 nH
Current Rating (Amps): 3.5 A
на замовлення 42995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.46 грн
24+12.91 грн
100+10.58 грн
1000+8.17 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252010P-R47M=P2MurataDFE252010P-R47M=P2 0,47 мкГн 1008 (2520) 20% 5A 35 MOHM Індуктивності
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252010P-R47M=P2MURATADescription: MURATA - DFE252010P-R47M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 0.47 µH, 3.5 A, Geschirmt, 5 A, DFE252010P Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1mm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Induktivität: 0.47µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1008 [Metrisch 2520]
DC-Widerstand, max.: 0.035ohm
isCanonical: N
RMS-Strom Irms: 3.5A
Sättigungsstrom (Isat): 5A
Produktlänge: 2.5mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: DFE252010P Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Produktbreite: 2mm
на замовлення 3860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252010P-R47M=P2Murata ElectronicsDescription: FIXED IND 470NH 3.5A 35 MOHM SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Features: Flat Wire
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 35mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 5A
Material - Core: Iron Powder
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 2520
Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 470 nH
Current Rating (Amps): 3.5 A
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.07 грн
6000+7.33 грн
9000+7.08 грн
15000+6.37 грн
21000+6.19 грн
30000+6.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252010P-R68M=P2Murata ElectronicsDescription: FIXED IND 680NH 3A 48 MOHM SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252010P-R68M=P2Murata ElectronicsDescription: FIXED IND 680NH 3A 48 MOHM SMD
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252010P-R68M=P2Murata ElectronicsPower Inductors - SMD
на замовлення 2755 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252010R-H-1R0M=P2Murata ElectronicsDescription: FIXED IND 1UH 2.7A 0.068OHM SMD
Current Rating (Amps): 2.7 A
Inductance: 1 µH
Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm)
Supplier Device Package: 2520
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Material - Core: Iron Powder
Current - Saturation (Isat): 3A
DC Resistance (DCR): 68mOhm Max
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Type: Drum Core, Wirewound
Shielding: Shielded
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Features: Flat Wire
Tolerance: ±20%
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252010R-H-1R0M=P2Murata ElectronicsFixed Inductors 1.0uH 68mOhms 3A +/-20%
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252010R-H-1R0M=P2Murata ElectronicsDescription: FIXED IND 1UH 2.7A 0.068OHM SMD
DC Resistance (DCR): 68mOhm Max
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Type: Drum Core, Wirewound
Shielding: Shielded
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Features: Flat Wire
Tolerance: ±20%
Packaging: Cut Tape (CT)
Current Rating (Amps): 2.7 A
Inductance: 1 µH
Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm)
Supplier Device Package: 2520
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Material - Core: Iron Powder
Current - Saturation (Isat): 3A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252010R-H-1R5M=P2Murata ElectronicsFixed Inductors 1.5uH 90mOhms 2.3A +/-20%
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252010R-H-2R2M=P2Murata ElectronicsFixed Inductors 2.2uH 126mOhms 2.1A +/-20%
на замовлення 2379 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252010R-H-4R7M=P2Murata ElectronicsDescription: FIXED IND 4.7UH 1.1A 276MOHM SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252010R-H-4R7M=P2Murata ElectronicsFixed Inductors 4.7uH 276mOhms 1.4A +/-20%
на замовлення 2304 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252010R-H-4R7M=P2Murata ElectronicsDescription: FIXED IND 4.7UH 1.1A 276MOHM SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-100M=P2MURATADescription: MURATA - DFE252012F-100M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 10 µH, Geschirmt, 1.4 A, DFE252012F Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1.2mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 10µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.48ohm
isCanonical: N
usEccn: EAR99
RMS-Strom Irms: -
Sättigungsstrom (Isat): 1.4A
Produktlänge: 2.5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: DFE252012F Series
productTraceability: No
Produktbreite: 2mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-100M=P2MurataInductor Power Chip Shielded Wirewound 10uH 20% 1MHz Metal 0.95A 0.48Ohm DCR 1008 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.09 грн
6000+10.53 грн
9000+9.89 грн
15000+9.44 грн
21000+8.65 грн
30000+8.20 грн
75000+8.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-100M=P2Murata ElectronicsDescription: FIXED IND 10UH 950MA 480 MOHM
Tolerance: ±20%
Features: Flat Wire
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 480mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 1.4A
Material - Core: Iron Powder
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 2520
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
Inductance: 10 µH
Current Rating (Amps): 950 mA
на замовлення 58891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.46 грн
23+13.44 грн
100+11.06 грн
1000+8.53 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-100M=P2MURATADescription: MURATA - DFE252012F-100M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 10 µH, Geschirmt, 1.4 A, DFE252012F Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1.2mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 10µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.48ohm
Bauform - Induktivität: 2.5mm x 2mm x 1.2mm
Eigenresonanzfrequenz: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kernmaterial: Eisen
DC-Nennstrom: 950mA
RMS-Strom Irms: -
Sättigungsstrom (Isat): 1.4A
Produktlänge: 2.5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: DFE252012F Series
productTraceability: No
Produktbreite: 2mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-100M=P2MurataInductor Power Chip Shielded Wirewound 10uH 20% 1MHz Metal 0.95A 0.48Ohm DCR 1008 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.09 грн
6000+10.53 грн
9000+9.89 грн
15000+9.44 грн
21000+8.65 грн
30000+8.20 грн
75000+8.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-100M=P2Murata ElectronicsDescription: FIXED IND 10UH 950MA 480 MOHM
Tolerance: ±20%
Features: Flat Wire
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 480mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 1.4A
Material - Core: Iron Powder
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 2520
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
Inductance: 10 µH
Current Rating (Amps): 950 mA
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.44 грн
6000+7.66 грн
9000+7.40 грн
15000+6.65 грн
21000+6.46 грн
30000+6.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-100M=P2MurataInductor Power Chip Shielded Wirewound 10uH 20% 1MHz Metal 0.95A 0.48Ohm DCR 1008 T/R
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
774+18.27 грн
944+14.99 грн
953+14.84 грн
964+14.16 грн
1263+10.00 грн
Мінімальне замовлення: 774 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-100M=P2Murata ElectronicsPower Inductors - SMD 10 UH 20%
на замовлення 81155 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-100M=P2MurataInductor Power Chip Shielded Wirewound 10uH 20% 1MHz Metal 0.95A 0.48Ohm DCR 1008 T/R
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+22.63 грн
40+18.86 грн
42+18.27 грн
100+14.46 грн
250+13.25 грн
500+12.58 грн
1000+9.60 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-1R0M=P2MurataInductor Power Chip Shielded Wirewound 1uH 20% 1MHz Metal 3.3A 0.04Ohm DCR 1008 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.82 грн
6000+10.35 грн
9000+9.99 грн
15000+9.54 грн
21000+8.46 грн
30000+8.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-1R0M=P2MurataDFE252012F-1R0M=P2 1,0 мкГн 1008 (2520) 20% Індуктивності
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-1R0M=P2MURATADescription: MURATA - DFE252012F-1R0M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 1 µH, Geschirmt, 4.7 A, DFE252012F Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1.2mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 1µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.04ohm
isCanonical: N
usEccn: EAR99
RMS-Strom Irms: -
Sättigungsstrom (Isat): 4.7A
Produktlänge: 2.5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: DFE252012F Series
productTraceability: No
Produktbreite: 2mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-1R0M=P2MurataInductor Power Chip Shielded Wirewound 1uH 20% 1MHz Metal 3.3A 0.04Ohm DCR 1008 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.02 грн
6000+10.17 грн
9000+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-1R0M=P2MurataInductor Power Chip Shielded Wirewound 1uH 20% 1MHz Metal 3.3A 0.04Ohm DCR 1008 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-1R0M=P2Murata ElectronicsPower Inductors - SMD 1.0 UH 20%
на замовлення 163761 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-1R0M=P2Murata ElectronicsDescription: FIXED IND 1UH 3.3A 40 MOHM SMD
Tolerance: ±20%
Features: Flat Wire
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 40mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 4.7A
Material - Core: Iron Powder
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 2520
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Inductance: 1 µH
Current Rating (Amps): 3.3 A
на замовлення 356242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.46 грн
23+13.44 грн
100+11.06 грн
1000+8.53 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-1R0M=P2MurataInductor Power Chip Shielded Wirewound 1uH 20% 1MHz Metal 3.3A 0.04Ohm DCR 1008 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.02 грн
6000+10.17 грн
9000+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-1R0M=P2MURATACategory: Inductors
Description: Inductor: wire
на замовлення 342000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3000+9.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-1R0M=P2MURATADescription: MURATA - DFE252012F-1R0M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 1 µH, Geschirmt, 4.7 A, DFE252012F Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1.2mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 1µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.04ohm
Bauform - Induktivität: 2.5mm x 2mm x 1.2mm
Eigenresonanzfrequenz: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kernmaterial: Eisen
DC-Nennstrom: 3.3A
RMS-Strom Irms: -
Sättigungsstrom (Isat): 4.7A
Produktlänge: 2.5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: DFE252012F Series
productTraceability: No
Produktbreite: 2mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-1R0M=P2MurataInductor Power Chip Shielded Wirewound 1uH 20% 1MHz Metal 3.3A 0.04Ohm DCR 1008 T/R
на замовлення 3082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
628+22.54 грн
754+18.76 грн
1087+13.01 грн
3000+11.55 грн
Мінімальне замовлення: 628 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-1R0M=P2MURATADescription: MURATA - DFE252012F-1R0M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 1 µH, Geschirmt, 4.7 A, DFE252012F Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1.2mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 1µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.04ohm
usEccn: EAR99
RMS-Strom Irms: -
Sättigungsstrom (Isat): 4.7A
Produktlänge: 2.5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: DFE252012F Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktbreite: 2mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-1R0M=P2Murata ElectronicsDescription: FIXED IND 1UH 3.3A 40 MOHM SMD
Tolerance: ±20%
Features: Flat Wire
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 40mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 4.7A
Material - Core: Iron Powder
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 2520
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Inductance: 1 µH
Current Rating (Amps): 3.3 A
на замовлення 355984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.44 грн
6000+7.66 грн
9000+7.40 грн
15000+6.65 грн
21000+6.46 грн
30000+6.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-1R0M=P2MurataInductor Power Chip Shielded Wirewound 1uH 20% 1MHz Metal 3.3A 0.04Ohm DCR 1008 T/R
на замовлення 942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
628+22.54 грн
754+18.76 грн
Мінімальне замовлення: 628 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-1R0M=P2MurataInductor Power Chip Shielded Wirewound 1uH 20% 1MHz Metal 3.3A 0.04Ohm DCR 1008 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-1R5M=P2Murata ElectronicsDescription: FIXED IND 1.5UH 2.7A 58 MOHM SMD
Tolerance: ±20%
Features: Flat Wire
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 58mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 3.8A
Material - Core: Iron Powder
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 2520
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Inductance: 1.5 µH
Current Rating (Amps): 2.7 A
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.62 грн
6000+7.82 грн
9000+7.56 грн
15000+6.79 грн
21000+6.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-1R5M=P2MurataInductor Power Chip Shielded Wirewound 1.5uH 20% 1MHz Metal 2.7A 0.058Ohm DCR 1008 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-1R5M=P2MURATADescription: MURATA - DFE252012F-1R5M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 1.5 µH, Geschirmt, 3.8 A, DFE252012F Series, 1008 [Metrisch 2520]
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1.2mm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Induktivität: 1.5µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1008 [Metrisch 2520]
DC-Widerstand, max.: 0.058ohm
Bauform - Induktivität: 2.5mm x 2mm x 1.2mm
Eigenresonanzfrequenz: -
isCanonical: Y
Kernmaterial: Eisen
DC-Nennstrom: 2.7A
RMS-Strom Irms: -
Sättigungsstrom (Isat): 3.8A
Produktlänge: 2.5mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: DFE252012F Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Produktbreite: 2mm
на замовлення 3068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-1R5M=P2MurataInductor Power Chip Shielded Wirewound 1.5uH 20% 1MHz Metal 2.7A 0.058Ohm DCR 1008 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-1R5M=P2Murata ElectronicsDescription: FIXED IND 1.5UH 2.7A 58 MOHM SMD
Tolerance: ±20%
Features: Flat Wire
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 58mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 3.8A
Material - Core: Iron Powder
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 2520
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Inductance: 1.5 µH
Current Rating (Amps): 2.7 A
на замовлення 23747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.24 грн
22+13.74 грн
100+11.29 грн
1000+8.71 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-1R5M=P2Murata ElectronicsPower Inductors - SMD 1.5 UH 20%
на замовлення 11523 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-1R5M=P2MURATADescription: MURATA - DFE252012F-1R5M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 1.5 µH, Geschirmt, 3.8 A, DFE252012F Series, 1008 [Metrisch 2520]
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1.2mm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Induktivität: 1.5µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1008 [Metrisch 2520]
DC-Widerstand, max.: 0.058ohm
isCanonical: N
RMS-Strom Irms: -
Sättigungsstrom (Isat): 3.8A
Produktlänge: 2.5mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: DFE252012F Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Produktbreite: 2mm
на замовлення 3068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-2R2M=P2MURATACategory: Inductors
Description: Inductor: wire
на замовлення 315000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3000+9.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-2R2M=P2MURATADescription: MURATA - DFE252012F-2R2M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 2.2 µH, Geschirmt, 3.3 A, DFE252012F Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1.2mm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Induktivität: 2.2µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.082ohm
isCanonical: N
RMS-Strom Irms: -
Sättigungsstrom (Isat): 3.3A
Produktlänge: 2.5mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: DFE252012F Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Produktbreite: 2mm
на замовлення 13915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-2R2M=P2Murata ElectronicsDescription: FIXED IND 2.2UH 2.3A 82 MOHM SMD
Tolerance: ±20%
Features: Flat Wire
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 82mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 3.3A
Material - Core: Iron Powder
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 2520
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
Inductance: 2.2 µH
Current Rating (Amps): 2.3 A
на замовлення 177000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.44 грн
6000+7.66 грн
9000+7.40 грн
15000+6.65 грн
21000+6.46 грн
30000+6.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-2R2M=P2MurataInductor Power Chip Shielded Wirewound 2.2uH 20% 1MHz Metal 2.3A 0.082Ohm DCR 1008 T/R
на замовлення 9635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
761+18.60 грн
930+15.22 грн
1437+9.84 грн
Мінімальне замовлення: 761 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-2R2M=P2Murata Elektronik GmbHPower inductor; SMD1008; inductance: 2.2uH; 20%; current: 3.3A; resistance: 0.082R; Automotive; AEC-Q200; operating temperature: -40°C ~ 125°C DFE252012F-2R2M=P2 Murata Power inductor D1008S0002.20/3.300A/0.082Rm A
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+7.08 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-2R2M=P2Murata ElectronicsPower Inductors - SMD 2.2 UH 20%
на замовлення 99511 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-2R2M=P2MURATADescription: MURATA - DFE252012F-2R2M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 2.2 µH, Geschirmt, 3.3 A, DFE252012F Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1.2mm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Induktivität: 2.2µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.082ohm
Bauform - Induktivität: 2.5mm x 2mm x 1.2mm
Eigenresonanzfrequenz: -
isCanonical: Y
Kernmaterial: Eisen
DC-Nennstrom: 2.3A
RMS-Strom Irms: -
Sättigungsstrom (Isat): 3.3A
Produktlänge: 2.5mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: DFE252012F Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Produktbreite: 2mm
на замовлення 13915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-2R2M=P2MurataInductor Power Chip Shielded Wirewound 2.2uH 20% 1MHz Metal 2.3A 0.082Ohm DCR 1008 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-2R2M=P2MurataDFE252012F-2R2M=P2 2,2 мкГн FIXED IND 2.2UH 2.3A 82 MOHM 1008 SMD Індуктивності
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-2R2M=P2Murata ElectronicsDescription: FIXED IND 2.2UH 2.3A 82 MOHM SMD
Tolerance: ±20%
Features: Flat Wire
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 82mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 3.3A
Material - Core: Iron Powder
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 2520
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
Inductance: 2.2 µH
Current Rating (Amps): 2.3 A
на замовлення 181092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.46 грн
23+13.44 грн
100+11.06 грн
1000+8.53 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-2R2M=P2MurataInductor Power Chip Shielded Wirewound 2.2uH 20% 1MHz Metal 2.3A 0.082Ohm DCR 1008 T/R
на замовлення 9635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+18.60 грн
100+15.22 грн
1000+9.84 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-3R3M=P2MurataInductor Power Chip Shielded Wirewound 3.3uH 20% 1MHz Metal 1.8A 0.135Ohm DCR 1008 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-3R3M=P2Murata ElectronicsPower Inductors - SMD 3.3 UH 20%
на замовлення 7174 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-3R3M=P2MURATADescription: MURATA - DFE252012F-3R3M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 3.3 µH, Geschirmt, 2.5 A, DFE252012F Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1.2mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 3.3µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.135ohm
isCanonical: N
usEccn: EAR99
RMS-Strom Irms: -
Sättigungsstrom (Isat): 2.5A
Produktlänge: 2.5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: DFE252012F Series
productTraceability: No
Produktbreite: 2mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-3R3M=P2Murata ElectronicsDescription: FIXED IND 3.3UH 1.8A 135 MOHM
Tolerance: ±20%
Features: Flat Wire
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 135mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 2.5A
Material - Core: Iron Powder
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 2520
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
Inductance: 3.3 µH
Current Rating (Amps): 1.8 A
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.64 грн
6000+7.84 грн
9000+7.58 грн
15000+6.81 грн
21000+6.62 грн
30000+6.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-3R3M=P2MurataInductor Power Chip Shielded Wirewound 3.3uH 20% 1MHz Metal 1.8A 0.135Ohm DCR 1008 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-3R3M=P2MurataInductor Power Chip Shielded Wirewound 3.3uH 20% 1MHz Metal 1.8A 0.135Ohm DCR 1008 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-3R3M=P2MURATADescription: MURATA - DFE252012F-3R3M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 3.3 µH, Geschirmt, 2.5 A, DFE252012F Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1.2mm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Induktivität: 3.3µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.135ohm
Bauform - Induktivität: 2.5mm x 2mm x 1.2mm
Eigenresonanzfrequenz: -
isCanonical: Y
Kernmaterial: Eisen
DC-Nennstrom: 1.8A
RMS-Strom Irms: -
Sättigungsstrom (Isat): 2.5A
Produktlänge: 2.5mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: DFE252012F Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Produktbreite: 2mm
на замовлення 7353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-3R3M=P2Murata ElectronicsDescription: FIXED IND 3.3UH 1.8A 135 MOHM
Tolerance: ±20%
Features: Flat Wire
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 135mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 2.5A
Material - Core: Iron Powder
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 2520
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
Inductance: 3.3 µH
Current Rating (Amps): 1.8 A
на замовлення 37320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.24 грн
22+13.74 грн
100+11.32 грн
1000+8.73 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-4R7M=P2Murata ElectronicsDescription: FIXED IND 4.7UH 1.5A 190 MOHM
Tolerance: ±20%
Features: Flat Wire
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 190mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 2.1A
Material - Core: Iron Powder
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 2520
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
Inductance: 4.7 µH
Current Rating (Amps): 1.5 A
на замовлення 65480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.03 грн
22+14.27 грн
100+11.72 грн
1000+9.04 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-4R7M=P2MurataInductor Power Chip Shielded Wirewound 4.7uH 20% 1MHz Metal 1.5A 0.19Ohm DCR 1008 T/R
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-4R7M=P2MURATADescription: MURATA - DFE252012F-4R7M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 4.7 µH, Geschirmt, 2.1 A, DFE252012F Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1.2mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 4.7µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.19ohm
isCanonical: N
usEccn: EAR99
RMS-Strom Irms: -
Sättigungsstrom (Isat): 2.1A
Produktlänge: 2.5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: DFE252012F Series
productTraceability: No
Produktbreite: 2mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-4R7M=P2Murata ElectronicsDescription: FIXED IND 4.7UH 1.5A 190 MOHM
Tolerance: ±20%
Features: Flat Wire
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 190mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 2.1A
Material - Core: Iron Powder
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 2520
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
Inductance: 4.7 µH
Current Rating (Amps): 1.5 A
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.94 грн
6000+8.12 грн
9000+7.85 грн
15000+7.05 грн
21000+6.85 грн
30000+6.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-4R7M=P2Murata ElectronicsPower Inductors - SMD 4.7 UH 20%
на замовлення 29051 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-4R7M=P2MurataInductor Power Chip Shielded Wirewound 4.7uH 20% 1MHz Metal 1.5A 0.19Ohm DCR 1008 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-4R7M=P2MURATADescription: MURATA - DFE252012F-4R7M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 4.7 µH, Geschirmt, 2.1 A, DFE252012F Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1.2mm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Induktivität: 4.7µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.19ohm
Bauform - Induktivität: 2.5mm x 2mm x 1.2mm
Eigenresonanzfrequenz: -
isCanonical: Y
Kernmaterial: Eisen
DC-Nennstrom: 1.5A
RMS-Strom Irms: -
Sättigungsstrom (Isat): 2.1A
Produktlänge: 2.5mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: DFE252012F Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Produktbreite: 2mm
на замовлення 7158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-6R8M=P2MurataInductor Power Chip Shielded Wirewound 6.8uH 20% 1MHz Metal 1.2A 0.33Ohm DCR 1008 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-6R8M=P2MURATADescription: MURATA - DFE252012F-6R8M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 6.8 µH, Geschirmt, 1.7 A, DFE252012F Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1.2mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 6.8µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.33ohm
Bauform - Induktivität: 2.5mm x 2mm x 1.2mm
Eigenresonanzfrequenz: -
usEccn: EAR99
Kernmaterial: Eisen
DC-Nennstrom: 1.2A
RMS-Strom Irms: -
Sättigungsstrom (Isat): 1.7A
Produktlänge: 2.5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: DFE252012F Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktbreite: 2mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-6R8M=P2Murata ElectronicsPower Inductors - SMD 6.8 UH 20%
на замовлення 25184 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-6R8M=P2Murata ElectronicsDescription: FIXED IND 6.8UH 1.2A 330 MOHM
Tolerance: ±20%
Features: Flat Wire
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 330mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 1.7A
Material - Core: Iron Powder
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 2520
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
Inductance: 6.8 µH
Current Rating (Amps): 1.2 A
на замовлення 9520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.03 грн
22+14.27 грн
100+11.72 грн
1000+9.04 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-6R8M=P2MurataInductor Power Chip Shielded Wirewound 6.8uH 20% 1MHz Metal 1.2A 0.33Ohm DCR 1008 T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-6R8M=P2MurataInductor Power Chip Shielded Wirewound 6.8uH 20% 1MHz Metal 1.2A 0.33Ohm DCR 1008 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-6R8M=P2MURATADescription: MURATA - DFE252012F-6R8M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 6.8 µH, Geschirmt, 1.7 A, DFE252012F Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1.2mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 6.8µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.33ohm
isCanonical: N
usEccn: EAR99
RMS-Strom Irms: -
Sättigungsstrom (Isat): 1.7A
Produktlänge: 2.5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: DFE252012F Series
productTraceability: No
Produktbreite: 2mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-6R8M=P2Murata ElectronicsDescription: FIXED IND 6.8UH 1.2A 330 MOHM
Tolerance: ±20%
Features: Flat Wire
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 330mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 1.7A
Material - Core: Iron Powder
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 2520
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
Inductance: 6.8 µH
Current Rating (Amps): 1.2 A
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.94 грн
6000+8.12 грн
9000+7.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-8R2M=P2MurataInductor Power Chip Shielded Wirewound 8.2uH 20% 1MHz Metal 1.1A 0.41Ohm DCR 1008 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-8R2M=P2MURATADescription: MURATA - DFE252012F-8R2M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 8.2 µH, Geschirmt, DFE252012F, 1008 [Metrisch 2520]
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1.2mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 8.2µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1008 [Metrisch 2520]
DC-Widerstand, max.: 0.41ohm
Bauform - Induktivität: 2.5mm x 2mm x 1.2mm
Eigenresonanzfrequenz: -
usEccn: EAR99
Kernmaterial: Eisen
DC-Nennstrom: 1.1A
Produktlänge: 2.5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: DFE252012F
productTraceability: No
Produktbreite: 2mm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-8R2M=P2Murata ElectronicsDescription: FIXED IND 8.2UH 1.1A 410 MOHM
Tolerance: ±20%
Features: Flat Wire
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 410mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 1.5A
Material - Core: Iron Powder
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 2520
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
Inductance: 8.2 µH
Current Rating (Amps): 1.1 A
на замовлення 9682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.24 грн
22+13.74 грн
100+11.32 грн
1000+8.73 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-8R2M=P2MURATADescription: MURATA - DFE252012F-8R2M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 8.2 µH, Geschirmt, DFE252012F, 1008 [Metrisch 2520]
tariffCode: 85045000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Produkthöhe: 1.2mm
euEccn: NLR
Produktlänge: 2.5mm
hazardous: false
Produktbreite: 2mm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1008 [Metrisch 2520]
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-8R2M=P2Murata ElectronicsPower Inductors - SMD 8.2 UH 20%
на замовлення 3955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-8R2M=P2MurataDFE252012F-8R2M=P2 8,2 мкГн 1008 (2520) 20% Індуктивності
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-8R2M=P2Murata ElectronicsDescription: FIXED IND 8.2UH 1.1A 410 MOHM
Tolerance: ±20%
Features: Flat Wire
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 410mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 1.5A
Material - Core: Iron Powder
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 2520
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
Inductance: 8.2 µH
Current Rating (Amps): 1.1 A
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.64 грн
6000+7.84 грн
9000+7.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-R33M=P2Murata ElectronicsDescription: FIXED IND 330NH 5.1A 19 MOHM SMD
Tolerance: ±20%
Features: Flat Wire
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 19mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 7.6A
Material - Core: Iron Powder
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 2520
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
Inductance: 330 nH
Current Rating (Amps): 5.1 A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-R33M=P2MurataInductor Power Chip Shielded Wirewound 0.33uH 20% 1MHz Metal 5.1A 0.019Ohm DCR 1008 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-R33M=P2Murata ElectronicsPower Inductors - SMD 330 NH 20%
на замовлення 2293 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-R33M=P2Murata ElectronicsDescription: FIXED IND 330NH 5.1A 19 MOHM SMD
Tolerance: ±20%
Features: Flat Wire
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 19mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 7.6A
Material - Core: Iron Powder
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 2520
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
Inductance: 330 nH
Current Rating (Amps): 5.1 A
на замовлення 2834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.46 грн
23+13.44 грн
100+11.06 грн
1000+8.53 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-R33M=P2MurataInductor Power Chip Shielded Wirewound 0.33uH 20% 1MHz Metal 5.1A 0.019Ohm DCR 1008 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.