Продукція > FCB

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 14 16 18 20 22  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FCB20N60F-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FCB20N60F-F085 - FCB20N60F_F085 - N-CHANNEL MOSFET 600V
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 640 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60F-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60F-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 405W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2035 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60F-F085onsemiMOSFETs 600V, 20A SuperFET
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60FTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+533.59 грн
38+373.67 грн
39+369.90 грн
100+282.59 грн
250+212.15 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60FTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+176.70 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60FTMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; 208W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 695 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+386.55 грн
3+318.69 грн
10+266.69 грн
25+230.63 грн
50+208.82 грн
100+195.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60FTMonsemiMOSFETs 600V NCH FRFET
на замовлення 9210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60FTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+533.59 грн
10+373.67 грн
25+369.90 грн
100+282.59 грн
250+212.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60FTMVBSEMITrans MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60FTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60FTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
на замовлення 1685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+471.07 грн
10+305.23 грн
100+221.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+475.78 грн
10+308.78 грн
100+223.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+436.45 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60TMONSEMIDescription: ONSEMI - FCB20N60TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.15 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+473.89 грн
10+386.91 грн
25+328.39 грн
100+250.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+438.34 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60TMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; 208W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60TMonsemiMOSFETs HIGH POWER
на замовлення 4845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCB2100RJTE Connectivity / HolsworthyWirewound Resistors - Through Hole FCB2 100R 5% HP
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCB2100RJTE Connectivity Passive ProductDescription: RES 100 OHM 5% 2W RADIAL
Power (Watts): 2W
Tolerance: ±5%
Features: Flame Retardant Coating, Safety
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±20ppm/°C
Size / Dimension: 0.197" Dia x 0.756" L (5.00mm x 19.20mm)
Composition: Wirewound
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C
Number of Terminations: 2
Resistance: 100 Ohms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB210RJTE Connectivity Passive ProductDescription: RES 10 OHM 5% 2W RADIAL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB21K0JTE Connectivity / CGSWirewound Resistors - Through Hole FCB2 1K0 5% HP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB21K0JCGS - TE CONNECTIVITYDescription: CGS - TE CONNECTIVITY - FCB21K0J - Widerstand für Durchsteckmontage, 1 kohm, FC Series, 2 W, ± 5%, Radial bedrahtet, 44.7 V
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Widerstandstechnologie: Drahtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Widerstandstyp: Hochleistung
Nennleistung: 2W
Widerstand: 1kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Produktlänge: 19.2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: FC Series
productTraceability: No
Nennspannung: 44.7V
Produktdurchmesser: 5mm
Betriebstemperatur, max.: 350°C
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+64.54 грн
18+47.06 грн
50+41.62 грн
100+34.57 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB21K0JTE Connectivity Passive ProductDescription: RES 1K OHM 5% 2W RADIAL
Power (Watts): 2W
Tolerance: ±5%
Features: Flame Retardant Coating, Safety
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±20ppm/°C
Size / Dimension: 0.197" Dia x 0.756" L (5.00mm x 19.20mm)
Composition: Wirewound
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C
Number of Terminations: 2
Resistance: 1 kOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB21R0JTE Connectivity Passive ProductDescription: RES 1 OHM 5% 2W RADIAL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB21R0JTE Connectivity / AMPWirewound Resistors - Through Hole FCB2 1R0 5% HP
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCB21R0JCGS - TE CONNECTIVITYDescription: CGS - TE CONNECTIVITY - FCB21R0J - Widerstand für Durchsteckmontage, 1 ohm, FC Series, 2 W, ± 5%, Radial bedrahtet, 1.4 V
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Radial bedrahtet
Widerstandstechnologie: Drahtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 2W
Widerstandstyp: Hochleistung
Widerstand: 1ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 5%
Temperaturkoeffizient: -70ppm/°C bis +250ppm/°C
Produktlänge: 19.2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: FC Series
productTraceability: No
Nennspannung: 1.4V
Produktdurchmesser: 5mm
Betriebstemperatur, max.: 350°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+41.46 грн
24+34.87 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB2220RJTE Connectivity Passive ProductDescription: RES 220 OHM 5% 2W RADIAL
Power (Watts): 2W
Tolerance: ±5%
Features: Flame Retardant Coating, Safety
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±20ppm/°C
Size / Dimension: 0.197" Dia x 0.756" L (5.00mm x 19.20mm)
Composition: Wirewound
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C
Number of Terminations: 2
Resistance: 220 Ohms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB222RJTE Connectivity / CGSWirewound Resistors - Through Hole FCB2 22R 5% HP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB222RJTE Connectivity AMP ConnectorsDescription: RES 22.0 OHM 2W 5% RADIAL
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB22K2JTE Connectivity Passive ProductDescription: RES 2.2K OHM 5% 2W RADIAL
Power (Watts): 2W
Tolerance: ±5%
Features: Flame Retardant Coating, Safety
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±20ppm/°C
Size / Dimension: 0.197" Dia x 0.756" L (5.00mm x 19.20mm)
Composition: Wirewound
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C
Number of Terminations: 2
Resistance: 2.2 kOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB22K2JTE Connectivity / CGSWirewound Resistors - Through Hole FCB2 2K2 5% HP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB22R2JTE Connectivity / HolsworthyWirewound Resistors - Through Hole FCB2 2R2 5% HP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB22R2JTE Connectivity AMP ConnectorsDescription: RES 2.20 OHM 2W 5% RADIAL
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB2330RJTE Connectivity Passive ProductDescription: RES 330 OHM 5% 2W RADIAL
Power (Watts): 2W
Tolerance: ±5%
Features: Flame Retardant Coating, Safety
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±20ppm/°C
Size / Dimension: 0.197" Dia x 0.756" L (5.00mm x 19.20mm)
Composition: Wirewound
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C
Number of Terminations: 2
Resistance: 330 Ohms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB23R3KTE Connectivity Passive ProductDescription: RES 3.30 OHM 2W 10% RADIAL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB23R3KTE Connectivity / AMPWirewound Resistors - Through Hole FCB2 3R3 10% HP
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCB247RJTE Connectivity AMP ConnectorsDescription: RES 47.0 OHM 2W 5% RADIAL
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB247RJTE Connectivity / CGSWirewound Resistors - Through Hole FCB2 47R 5% HP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB24R7JTE Connectivity AMP ConnectorsDescription: RES 4.70 OHM 2W 5% RADIAL
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB24R7JTE Connectivity / CGSWirewound Resistors - Through Hole FCB2 4R7 5% HP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB260N65S3ON Semiconductor
на замовлення 1225 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCB260N65S3onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V
на замовлення 1060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+319.01 грн
10+202.81 грн
100+143.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB260N65S3ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 30A; 90W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.26Ω
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 90W
Gate charge: 24nC
на замовлення 761 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+275.46 грн
10+171.92 грн
25+150.96 грн
100+139.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB260N65S3onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+109.28 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB260N65S3onsemiMOSFETs SUPERFET3 650V D2PAK PKG
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCB290N80ONSEMIDescription: ONSEMI - FCB290N80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.259 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 17
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 212
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 212
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.259
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.259
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB290N80ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB290N80onsemi / FairchildMOSFET N-Channel SuperFET II MOSFET
на замовлення 672 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCB290N80ONSEMIDescription: ONSEMI - FCB290N80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.259 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 17
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 212
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 212
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.259
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.259
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB290N80onsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3205 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.7mA
Power Dissipation (Max): 212W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+464.80 грн
10+317.39 грн
100+242.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB290N80ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB290N80On SemiconductorMOSFET N-CH 800V 17A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB290N80onsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3205 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.7mA
Power Dissipation (Max): 212W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+239.48 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB290N80ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+275.80 грн
1600+265.90 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB2R22JTE Connectivity / HolsworthyWirewound Resistors - Through Hole FCB2 R22 5% HP
на замовлення 900 шт:
термін постачання 180-189 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCB2R22JTE Connectivity AMP ConnectorsDescription: RES 0.22 OHM 2W 5% RADIAL
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB2R33JTE Connectivity / CGSWirewound Resistors - Through Hole FCB2 R33 5% HP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB2R33JTE Connectivity AMP ConnectorsDescription: RES 0.33 OHM 2W 5% RADIAL
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB2R47JTE Connectivity / CGSWirewound Resistors - Through Hole FCB2 R47 5% HP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCB2R47JTE Connectivity AMP ConnectorsDescription: RES 0.47 OHM 2W 5% RADIAL
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB3216-310
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCB3216-700TTAIYO2006
на замовлення 4863 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCB3216K-260T05
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCB3216K-310NEC310-1206
на замовлення 11200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCB3216K-310 310-1206NEC
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCB3216K-420
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCB3216K-900T05
на замовлення 17996 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCB3612ST101S
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCB36N60Nonsemionsemi SM 600V 125MOHM F D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB36N60NTMON Semiconductor
на замовлення 7897 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCB36N60NTMONSEMIDescription: ONSEMI - FCB36N60NTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 36 A, 0.081 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.081ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 1784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+495.84 грн
500+412.11 грн
800+359.51 грн
1600+349.76 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB36N60NTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB36N60NTMonsemi / FairchildMOSFET 600V NChannel MOSFET SupreMOST
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCB36N60NTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 36A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4785 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB36N60NTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB36N60NTMONSEMIDescription: ONSEMI - FCB36N60NTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 36 A, 0.081 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.081ohm
на замовлення 519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+567.37 грн
5+536.48 грн
10+455.19 грн
50+403.05 грн
100+352.54 грн
250+351.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB36N60NTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+728.39 грн
10+554.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB36N60NTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 36A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4785 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB36N60NTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+515.29 грн
10+471.54 грн
100+390.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB4100RJTE Connectivity / HolsworthyWirewound Resistors - Through Hole FCB4 100R 5% HP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB4100RJTE Connectivity Passive ProductDescription: RES 100 OHM 5% 4W RADIAL
Resistance: 100 Ohms
Number of Terminations: 2
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C
Composition: Wirewound
Size / Dimension: 0.197" Dia x 0.953" L (5.00mm x 24.20mm)
Temperature Coefficient: ±20ppm/°C
Package / Case: Radial
Features: Flame Retardant Coating, Safety
Tolerance: ±5%
Power (Watts): 4W
Packaging: Bulk
на замовлення 1155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.73 грн
10+39.25 грн
25+35.66 грн
50+31.05 грн
100+28.84 грн
250+26.07 грн
500+23.82 грн
1000+22.51 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB4100RJCGS - TE CONNECTIVITYDescription: CGS - TE CONNECTIVITY - FCB4100RJ - Widerstand für Durchsteckmontage, 100 ohm, FC Series, 4 W, ± 5%, Radial bedrahtet, 20 V
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Radial bedrahtet
Widerstandstechnologie: Drahtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 4W
Widerstandstyp: Hochleistung
Widerstand: 100ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 20ppm/°C
Produktlänge: 24.2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: FC Series
productTraceability: No
Nennspannung: 20V
Produktdurchmesser: 5mm
Betriebstemperatur, max.: 350°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+58.04 грн
19+44.06 грн
50+41.37 грн
100+35.85 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB410KJTE CONNECTIVITY - CGSDescription: TE CONNECTIVITY - CGS - FCB410KJ - Widerstand für Durchsteckmontage, 10 kohm, FC Series, 4 W, ± 5%, Radial bedrahtet, 200 V
tariffCode: 85332100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Radial bedrahtet
Widerstandstechnologie: Drahtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 4W
Widerstandstyp: Hochleistung
isCanonical: Y
Widerstand: 10kohm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 20ppm/°C
Produktlänge: 24.2mm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produktpalette: FC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Nennspannung: 200V
Produktdurchmesser: 5mm
Betriebstemperatur, max.: 350°C
Produktbreite: -
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCB410KJTE Connectivity / HolsworthyThick Film Resistors - SMD SP17 (2817) 4W 1% 9.1R T/R-2000
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB410KJTE Connectivity Passive ProductDescription: FIXED RESISTOR, WIRE WOUND, 4W,
Packaging: Tray
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±5%
Features: Flame Retardant Coating, Safety
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±20ppm/°C
Size / Dimension: 0.197" Dia (5.00mm)
Composition: Wirewound
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: Radial
Height - Seated (Max): 0.953" (24.20mm)
Resistance: 10 kOhms
на замовлення 3486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+37.10 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB410RJTE CONNECTIVITY - CGSDescription: TE CONNECTIVITY - CGS - FCB410RJ - Widerstand für Durchsteckmontage, 10 ohm, FC Series, 4 W, ± 5%, Radial bedrahtet, 6.3 V
tariffCode: 85332100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Radial bedrahtet
Widerstandstechnologie: Drahtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 4W
Widerstandstyp: Hochleistung
isCanonical: Y
Widerstand: 10ohm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: -80ppm/°C bis +40ppm/°C
Produktlänge: 24.2mm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produktpalette: FC Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Nennspannung: 6.3V
Produktdurchmesser: 5mm
Betriebstemperatur, max.: 350°C
Produktbreite: -
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+72.42 грн
16+51.13 грн
17+48.77 грн
25+43.10 грн
50+36.44 грн
200+33.51 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB410RJTE Connectivity / HolsworthyWirewound Resistors - Through Hole 10 Ohms 4W 40PPM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB410RJTE Connectivity Passive ProductDescription: RES 10 OHM 5% 4W RADIAL
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±5%
Features: Flame Retardant Coating, Safety
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: -80/ +40ppm/°C
Size / Dimension: 0.197" Dia x 0.953" L (5.00mm x 24.20mm)
Composition: Wirewound
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C
Number of Terminations: 2
Resistance: 10 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB412RJTE Connectivity AMP ConnectorsDescription: RES 12.0 OHM 4W 5% RADIAL
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB4150RJTE Connectivity Passive ProductDescription: RES 150 OHM 5% 4W RADIAL
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±5%
Features: Flame Retardant Coating, Safety
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±20ppm/°C
Size / Dimension: 0.197" Dia x 0.953" L (5.00mm x 24.20mm)
Composition: Wirewound
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C
Number of Terminations: 2
Resistance: 150 Ohms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB4150RJCGS - TE CONNECTIVITYDescription: CGS - TE CONNECTIVITY - FCB4150RJ - Widerstand für Durchsteckmontage, 150 ohm, FC, 4 W, ± 5%, Radial bedrahtet, 24.5 V
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Radial bedrahtet
Widerstandstechnologie: Drahtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 4W
Widerstandstyp: Hochleistung
Widerstand: 150ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: -70ppm/°C bis +250ppm/°C
Produktlänge: 24.2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: FC
productTraceability: No
Nennspannung: 24.5V
Produktdurchmesser: 5mm
Betriebstemperatur, max.: 350°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+57.87 грн
17+49.75 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB4150RJTE Connectivity / HolsworthyLabels and Industrial Warning Signs TB Label 6.0mm Marking 41-50
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB415RJTE Connectivity Passive ProductDescription: RES 15 OHM 5% 4W RADIAL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB415RJTE Connectivity / CGSWirewound Resistors - Through Hole FCB4 15R 5% HP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB418RJTE Connectivity / CGSWirewound Resistors - Through Hole FCB4 18R 5% HP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB418RJTE Connectivity Passive ProductDescription: RES 18.0 OHM 4W 5% RADIAL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 14 16 18 20 22  [ Наступна Сторінка >> ]