Продукція > FF1
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FF1800R23IE7BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF1800R23IE7BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 1.8 kA, 1.8 V, 20 mW, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop] hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V Dauer-Kollektorstrom: 1.8kA usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Modul Produktpalette: PrimePACK 3+B Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.3kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| FF1800R23IE7BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules 2300 V, 1800 A dual IGBT module | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| FF1800R23IE7BPSA1 | Infineon Technologies | Description: PP IHM I XHP 2.3KV AG-PRIME3+-7 Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.26V @ 15V, 1.8kA NTC Thermistor: No Supplier Device Package: AG-PRIME3+ Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1800 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2300 V Current - Collector Cutoff (Max): 30 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 420 nF @ 25 V | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| FF1800R23IE7PBPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF1800R23IE7PBPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 1.8 kA, 1.8 V, 20 mW, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop] hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Modul Dauerkollektorstrom: 1.8kA Produktpalette: PrimePACK 3+B Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.3kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| FF1800R23IE7PBPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 2300V 1.42KA 14-Pin Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| FF1800R23IE7PBPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules PP IHM I | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| FF1800R23IE7PBPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE Packaging: Bulk Input Capacitance (Cies) @ Vce: 420 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 30 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2300 V Current - Collector (Ic) (Max): 1800 A Part Status: Active Supplier Device Package: PrimePACK™ 3+ NTC Thermistor: No Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.26V @ 15V, 1.8kA Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 Independent Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| FF1800R23IE7PBPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 2300V 1.42KA 14-Pin Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| FF1800XTR17T2P5BPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 1700V 1800A MODULE Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 1.8kA NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 1800 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 1800000 W Current - Collector Cutoff (Max): 10 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 84000 pF @ 25 V | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| FF1800XTR17T2P5BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 1.8KA 15-Pin Tray | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| FF1800XTR17T2P5BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 1.8KA 15-Pin Tray | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| FF1800XTR17T2P5BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF1800XTR17T2P5BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 1.8 kA, 1.8 V, 1800 kW, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte euEccn: NLR rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop] hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V IGBT-Anschluss: Schraubanschluss Verlustleistung: 1800kW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Modul Dauerkollektorstrom: 1.8kA Produktpalette: XHP 2 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| FF1800XTR17T2P5BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 1.8KA 15-Pin Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| FF1800XTR17T2P5BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1700 V, 1800 A dual IGBT module | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| FF1800XTR17T2P5PBPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 1.535KA 15-Pin Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| FF1800XTR17T2P5PBPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF1800XTR17T2P5PBPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 1.53 kA, 1.8 V, 1800 kW, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte euEccn: NLR rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop] hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V IGBT-Anschluss: Schraubanschluss Verlustleistung: 1800kW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Modul Dauerkollektorstrom: 1.53kA Produktpalette: XHP 2 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| FF1800XTR17T2P5PBPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1700 V, 1800 A dual IGBT module | на замовлення 19 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| FF1800XTR17T2P5PBPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 1700V 1800A MODULE Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 1.8kA NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 1800 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 1800000 W Current - Collector Cutoff (Max): 10 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 84000 pF @ 25 V | на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| FF1800XTR17T2P5PBPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 1.535KA 15-Pin Tray | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| FF1800XTR17T2P5PBPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 1.535KA 15-Pin Tray | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| FF18SG1-XP | Aptiv (formerly Delphi) | Automotive Connectors TERM FINCLICK FML | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 120000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| FF1J4L | на замовлення 82000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| FF1J4LTP\C | на замовлення 4100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| FF1MR12KM1HHPSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 390A 7-Pin Tray | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| FF1MR12KM1HHPSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET Packaging: Tray | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| FF1MR12KM1HHPSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 390A 7-Pin Tray | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| FF1MR12KM1HHPSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 390A 7-Pin Tray | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| FF1MR12KM1HHPSA1 | Infineon Technologies | Discrete Semiconductor Modules CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V | на замовлення 31 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| FF1MR12KM1HHPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF1MR12KM1HHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 390 A, 1.2 kV, 1470 µohm, Modul tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 390A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke Verlustleistung: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: 62mm C Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1470µohm | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| FF1MR12KM1HHPSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 390A 7-Pin Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| FF1MR12KM1HPHPSA1 | Infineon Technologies | Discrete Semiconductor Modules CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| FF1MR12KM1HPHPSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 475A 7-Pin Tray | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| FF1MR12KM1HPHPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF1MR12KM1HPHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 475 A, 1.2 kV, 1470 µohm, Modul tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 475A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke Verlustleistung: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: 62mm C Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1470µohm | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| FF1MR12KM1HPHPSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 475A 7-Pin Tray | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| FF1MR12KM1HPHPSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET Packaging: Tray | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| FF1MR12KM1HPHPSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 475A 7-Pin Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| FF1MR12KM1HSHPSA1 | Infineon Technologies | MOSFET Modules MEDIUM POWER 62MM | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| FF1MR12MM1HB11BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF1MR12MM1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 420 A, 1.2 kV, 0.00191 ohm, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 420A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 11Pin(s) Produktpalette: EconoDUAL 3 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00191ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| FF1MR12MM1HB11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 420A 11-Pin Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| FF1MR12MM1HB11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: FF1MR12MM1HB11BPSA1 Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 420A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48400pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.91mOhm @ 500A, 18V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1600nC @ 18V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 224mA Supplier Device Package: AG-ECONOD | на замовлення 53 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| FF1MR12MM1HB11BPSA1 | Infineon Technologies | MOSFET Modules EconoDUAL 3 CoolSiC MOSFET 1200 V module | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| FF1MR12MM1HB11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 420A 11-Pin Tray | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| FF1MR12MM1HB11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 420A 11-Pin Tray | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| FF1MR12MM1HPB11BPSA1 | Infineon Technologies | EconoDUAL 3 CoolSiC MOSFET 1200 V module | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| FF1MR12MM1HPB11BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF1MR12MM1HPB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 470 A, 1.2 kV, 0.00191 ohm, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 470A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 11Pin(s) Produktpalette: EconoDUAL 3 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00191ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| FF1MR12MM1HWB11BPSA1 | Infineon Technologies | EconoDUAL 3 CoolSiC MOSFET 1200 V module | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| FF1N30HS6 | WL | на замовлення 19 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||
| FF1N30HS60DD | onsemi | Description: DIODE MOD AVAL 600V 30A SOT-227 Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.4 V @ 30 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: SOT-227 Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A Diode Configuration: 2 Independent Technology: Avalanche Reverse Recovery Time (trr): 45 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 60 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| FF1U03LD | Belden Inc. | Description: FXU FRAME OM1 03P Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| FF1U03SD | Belden Inc. | Description: FXU FRAME OM1 03P Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| FF1U03SS | Belden Inc. | Description: FXU FRAME OM1 03P Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| FF1U06LD | Belden Inc. | Description: FXU FRAME OM1 06P Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| FF1U06SC | Belden Inc. | Description: FXU FRAME OM1 06P Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| FF1U06SD | Belden Inc. | Description: FXU FRAME OM1 06P Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| FF1U06SR | Belden Inc. | Description: FXU FRAME OM1 06P Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| FF1U12LD | Belden Inc. | Description: FXU FRAME OM1 12P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| FF1U12SC | Belden Inc. | Description: FXU FRAME OM1 12P Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| FF1X03SD | Belden Inc. | Description: FX ECX STRIP OM1 03P Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| FF1X08SC | Belden Inc. | Description: FX ECX STRIP OM1 08P Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| FF1X12MP | Belden Inc. | Description: FX ECX STRIP OM1 12P Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| FF1X16LD | Belden Inc. | Description: FX ECX STRIP OM1 16P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

