Продукція > HUF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
HUF76139S3STONSEMIDescription: ONSEMI - HUF76139S3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
729+42.35 грн
Мінімальне замовлення: 729 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76139S3STKON SemiconductorHUF76139S3STK
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
574+61.67 грн
1000+56.87 грн
10000+50.71 грн
Мінімальне замовлення: 574 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76139S3STKFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
606+36.13 грн
Мінімальне замовлення: 606 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76139S3STKONSEMIDescription: ONSEMI - HUF76139S3STK - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+42.35 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76143PINTELSIL2001
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76143P3
на замовлення 537 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76143P3Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 225W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
на замовлення 108627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
430+54.24 грн
Мінімальне замовлення: 430 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76143S
на замовлення 4600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76143S3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 30V 75A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
398+58.12 грн
Мінімальне замовлення: 398 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76143S309+
на замовлення 165 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76143S3SFAIRCHILDSOT-263
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76143S3STFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 225W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
на замовлення 1364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
423+55.02 грн
Мінімальне замовлення: 423 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76145P3onsemi / FairchildMOSFET 75a 30V 0.0045 Ohm Logic Level N-Ch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76145S3onsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76145S3Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76145S3Sonsemi / FairchildMOSFET 75a 30V 0.0045 Ohm Logic Level N-Ch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76145S3SFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V
на замовлення 9980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
146+159.63 грн
Мінімальне замовлення: 146 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76145S3SINTERSIL
на замовлення 64800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76145S3STONSEMIDescription: ONSEMI - HUF76145S3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
348+112.51 грн
Мінімальне замовлення: 348 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76145S3STonsemi / FairchildMOSFET 75a 30V 0.0045 Ohm Logic Level N-Ch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76145S3STFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V
на замовлення 1706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
290+80.59 грн
Мінімальне замовлення: 290 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76407DFairchild04+05+ TO-251(IPAK)
на замовлення 147 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76407D3onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76407D3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
на замовлення 22053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
802+29.08 грн
Мінімальне замовлення: 802 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76407D3FAIRCHILDSOT-252
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76407D3SFAIRCHILDSOT-252
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76407D3SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 12A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 19076 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1401+14.99 грн
Мінімальне замовлення: 1401 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76407D3SONSEMIDescription: ONSEMI - HUF76407D3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 19076 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1686+23.30 грн
Мінімальне замовлення: 1686 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76407D3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.49 грн
5000+27.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76407D3STONSEMIDescription: ONSEMI - HUF76407D3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 11 A, 0.077 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.84 грн
500+36.71 грн
1000+31.34 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76407D3STONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6A; 38W; DPAK
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 92mΩ
Drain current: 6A
Gate-source voltage: ±16V
Power dissipation: 38W
Drain-source voltage: 60V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76407D3STonsemiMOSFETs 11a 60V 0.107 Ohm Logic Level N-Ch
на замовлення 4199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76407D3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76407D3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76407D3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.81 грн
10+67.98 грн
100+45.49 грн
500+33.62 грн
1000+30.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76407D3STONSEMIDescription: ONSEMI - HUF76407D3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 11 A, 0.077 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+63.65 грн
16+52.31 грн
100+44.84 грн
500+36.71 грн
1000+31.34 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76407DK8onsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76407DK8FAIRCHILDSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76407DK8TonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2.5W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76407DK8TFAIRCHILDSO-8
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76407DK8TR4810Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL LOGIC LEVEL ULTRAFET P
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76407P3ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 13A TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76409D3Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
592+37.63 грн
Мінімальне замовлення: 592 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76409D3FAIRCHILDSOT-252
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76409D3onsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76409D3Sonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76409D3SFAIRCHILDSOT-252
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76409D3STonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76409D3STFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V
на замовлення 663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
663+37.11 грн
Мінімальне замовлення: 663 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76409D3ST-S2457onsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76409D3ST-SB82270onsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76409D3ST_S2457onsemi / Fairchildonsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76409D3ST_SB82270onsemi / Fairchildonsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76409D3ST_SN00065onsemi / Fairchildonsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76409D3ST_SN00066onsemi / Fairchildonsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76413D3Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
606+35.78 грн
Мінімальне замовлення: 606 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76413D3ONSEMIDescription: ONSEMI - HUF76413D3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
728+53.84 грн
Мінімальне замовлення: 728 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76413D3FAIRCHILDSOT-252
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76413D3SFAIRCHILDSOT-252
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76413P3FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76419D3FAIRCHILDSOT-252
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76419D3onsemi / FairchildMOSFETs 20a 60V 0.043 Ohm Logic Level N-Ch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76419D3onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: I-PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76419D3SON Semiconductor / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76419D3SFAIRCHILDSOT-252
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76419D3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1244+28.43 грн
Мінімальне замовлення: 1244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76419D3STON Semiconductor / FairchildMOSFET 20a 60V 0.043 Ohm Logic Level N-Ch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76419D3STFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
на замовлення 4274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1211+18.47 грн
Мінімальне замовлення: 1211 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76419D3STR4921ONSEMIDescription: ONSEMI - HUF76419D3STR4921 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
654+60.27 грн
Мінімальне замовлення: 654 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76419D3STR4921Fairchild SemiconductorDescription: 20A, 60V, 0.043OHM, N CHANNEL ,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
544+39.35 грн
Мінімальне замовлення: 544 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76419D3STR4921ON SemiconductorHUF76419D3STR4921
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
464+76.29 грн
515+68.67 грн
1000+63.33 грн
Мінімальне замовлення: 464 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76419D3ST_NLON Semiconductor / FairchildMOSFET PWR MOS ULTRAFET 60V/20A/0.044 OHMS N-CH LL TO-252AA T&R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76419P3FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76419P3onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 29A TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76419S3SFAIRCHILDSOT-263
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76419S3SON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76419S3STFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK
на замовлення 42556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
451+50.90 грн
Мінімальне замовлення: 451 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76419S3STFAIRCHILD
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76419S3STON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76419S3ST-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 29A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76419S3ST-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 29A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76419S3ST-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 60V, 29A, 35mOhm N-Channel Mosfet
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76419S3ST-QFSC05+;
на замовлення 2045 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76419S3ST_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76423D3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
на замовлення 6794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 740 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76423D3ONSEMIDescription: ONSEMI - HUF76423D3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
822+37.53 грн
Мінімальне замовлення: 822 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76423D3FAIRCHILDSOT-252
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76423D3SFAIRCHILDSOT-252
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76423D3SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA
на замовлення 8936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 740 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76423D3ST
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76423P3Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76423P3ONSEMIDescription: ONSEMI - HUF76423P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 33 A, 0.03 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 33
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 85
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76423P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76423P3ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 35A TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76423P3FairchildTrans MOSFET N-CH 60V 35A HUF76423P3 THUF76423p3
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+32.93 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76423P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76423P3onsemi / FairchildMOSFETs 20a 60V N-Channel 0.037Ohm
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76423S3SFAIRCHILDSOT-263
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76423S3Sonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76423S3STFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
417+55.79 грн
Мінімальне замовлення: 417 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12  [ Наступна Сторінка >> ]