Продукція > MUN
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MUN3CAD03-SE | Delta Electronics/Cyntec | Description: 3A 5VIN INDUCTOR-INTEGRATED DC-D Features: Adjustable Output, Remote On/Off Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 9-PowerLDFN Module Size / Dimension: 0.12" L x 0.11" W x 0.05" H (3.0mm x 2.8mm x 1.3mm) Mounting Type: Surface Mount Type: Non-Isolated PoL Module Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Applications: ITE (Commercial) Voltage - Input (Max): 5.5V Efficiency: 95% Current - Output (Max): 3A Supplier Device Package: 9-QFN (3x2.8) Voltage - Input (Min): 2.75V Voltage - Output 1: 0.6 ~ 3.3V Control Features: Enable, Active High Part Status: Active Number of Outputs: 1 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN3CAD03-SE | Delta Electronics | Non-Isolated DC/DC Converters 3A 5Vin inductor-integrated DC-DC converter | на замовлення 3794 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN3CAD03-SE | Delta Electronics | Category: DC/DC Converters Description: Converter: DC/DC; 9.9W; Iout: 3A; SMT; 3x2.8x1.3mm; Efficiency: 95% Type of converter: DC/DC Application: IT Additional functions: remote ON/OFF control Mounting: SMT Operating temperature: -40...125°C Body dimensions: 3x2.8x1.3mm Output current: 3A Output voltage: 0.6...3.3V Power: 9.9W Number of outputs: 1 Efficiency: 95% | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN3CAD03-SE | CYNTEC | Description: CYNTEC - MUN3CAD03-SE - Nicht isolierte POL-DC/DC-Wandler, ITE, Micro Module, 9.9 W, 600 mV, 3.3 V, 3 A tariffCode: 85044095 DC-Eingangsspannung, min.: 2.75V euEccn: NLR rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: 600mV Höhe: 1.3mm Ausgangsspannung, max.: 3.3V Tiefe: 3mm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Breite: 2.8mm DC/DC-Wandlerausgang: Einstellbar DC-Eingangsspannung, max.: 5.5V DC/DC-Wandler: Micro Module SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Ausgangsstrom, max.: 3A Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Anwendungen für das Netzteil: ITE Ausgangsleistung, max.: 9.9W | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN3CAD03-SE | Delta Electronics/Cyntec | Description: 3A 5VIN INDUCTOR-INTEGRATED DC-D Features: Adjustable Output, Remote On/Off Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 9-PowerLDFN Module Size / Dimension: 0.12" L x 0.11" W x 0.05" H (3.0mm x 2.8mm x 1.3mm) Mounting Type: Surface Mount Type: Non-Isolated PoL Module Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Applications: ITE (Commercial) Voltage - Input (Max): 5.5V Efficiency: 95% Current - Output (Max): 3A Supplier Device Package: 9-QFN (3x2.8) Voltage - Input (Min): 2.75V Voltage - Output 1: 0.6 ~ 3.3V Control Features: Enable, Active High Part Status: Active Number of Outputs: 1 | на замовлення 3606 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN3CAD03-SE | Cyntec | DC/DC Converters - SMD 3A 5Vin inductor-integrated DC-DC converter | на замовлення 2444 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN3CAD03-SE EVB | Delta Electronics/Cyntec | Description: EVAL BOARD FOR MUN3CAD03SE Packaging: Box Voltage - Output: 0.6V ~ 3.3V Voltage - Input: 2.75V ~ 5.5V Current - Output: 3A Contents: Board(s) Board Type: Fully Populated Utilized IC / Part: MUN3CAD03-SE Supplied Contents: Board(s) Main Purpose: DC/DC Converter Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN3CAD03-SE EVB | Delta Electronics | Power Management IC Development Tools Evaluation Board for MUN3CAD03-SE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN3CAD03-SF | Delta Electronics | Non-Isolated DC/DC Converters 3A 5Vin inductor-integrated DC-DC converter | на замовлення 1617 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN3CAD03-SF | CYNTEC | Description: CYNTEC - MUN3CAD03-SF - Nicht isolierte POL-DC/DC-Wandler, ITE, Micro Module, 9.9 W, 600 mV, 3.3 V, 3 A tariffCode: 85044095 DC-Eingangsspannung, min.: 2.75V euEccn: NLR rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: 600mV Höhe: 1.3mm Ausgangsspannung, max.: 3.3V Tiefe: 3mm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Breite: 3mm DC/DC-Wandlerausgang: Einstellbar DC-Eingangsspannung, max.: 5.5V DC/DC-Wandler: Micro Module SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Ausgangsstrom, max.: 3A Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Anwendungen für das Netzteil: ITE Ausgangsleistung, max.: 9.9W | на замовлення 1444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN3CAD03-SF | Delta Electronics/Cyntec | Description: DC DC CONVERTER 0.6-3.3V Features: Remote On/Off, OCP, OTP, UVLO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 10-LFQFN Exposed Pad, Module Size / Dimension: 0.12" L x 0.12" W x 0.05" H (3.0mm x 3.0mm x 1.3mm) Mounting Type: Surface Mount Type: Non-Isolated PoL Module Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Applications: ITE (Commercial) Voltage - Input (Max): 5.5V Efficiency: 94% Current - Output (Max): 3A Supplier Device Package: 10-QFN (3x3) Voltage - Input (Min): 2.75V Voltage - Output 1: 0.6 ~ 3.3V Number of Outputs: 1 | на замовлення 189378 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN3CAD03-SF | Cyntec | DC/DC Converters - SMD 3A 5Vin inductor-integrated DC-DC converter | на замовлення 1263 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN3CAD03-SF | Delta Electronics/Cyntec | Description: DC DC CONVERTER 0.6-3.3V Features: Remote On/Off, OCP, OTP, UVLO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-LFQFN Exposed Pad, Module Size / Dimension: 0.12" L x 0.12" W x 0.05" H (3.0mm x 3.0mm x 1.3mm) Mounting Type: Surface Mount Type: Non-Isolated PoL Module Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Applications: ITE (Commercial) Voltage - Input (Max): 5.5V Efficiency: 94% Current - Output (Max): 3A Supplier Device Package: 10-QFN (3x3) Voltage - Input (Min): 2.75V Voltage - Output 1: 0.6 ~ 3.3V Number of Outputs: 1 | на замовлення 188000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN3CAD05-JF | Delta Electronics/Cyntec | Description: POL 5A 5VIN DC-DC CONVERTER Packaging: Tape & Reel (TR) Features: Adjustable Output, Remote On/Off Package / Case: 10-PowerLFQFN Module Size / Dimension: 0.12" L x 0.12" W x 0.06" H (3.0mm x 3.0mm x 1.5mm) Mounting Type: Surface Mount Type: Non-Isolated PoL Module Operating Temperature: -40°C ~ 105°C Applications: ITE (Commercial) Voltage - Input (Max): 5.5V Efficiency: 95.8% Current - Output (Max): 5A Supplier Device Package: 10-QFN (3x3) Voltage - Input (Min): 2.7V Voltage - Output 1: 0.6 ~ 3.3V Power (Watts): 17 W Number of Outputs: 1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN3CAD05-JF | Delta Electronics | 5A 5Vin inductor-integrated DC-DC converter | на замовлення 1964 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN3CAD05-JF | Delta Electronics/Cyntec | Description: POL 5A 5VIN DC-DC CONVERTER Packaging: Cut Tape (CT) Features: Adjustable Output, Remote On/Off Package / Case: 10-PowerLFQFN Module Size / Dimension: 0.12" L x 0.12" W x 0.06" H (3.0mm x 3.0mm x 1.5mm) Mounting Type: Surface Mount Type: Non-Isolated PoL Module Operating Temperature: -40°C ~ 105°C Applications: ITE (Commercial) Voltage - Input (Max): 5.5V Efficiency: 95.8% Current - Output (Max): 5A Supplier Device Package: 10-QFN (3x3) Voltage - Input (Min): 2.7V Voltage - Output 1: 0.6 ~ 3.3V Power (Watts): 17 W Number of Outputs: 1 | на замовлення 1980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN3CAD05-JF | Cyntec | DC/DC Converters - SMD 5A 5Vin inductor-integrated DC-DC converter | на замовлення 1957 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN3CAD05-JF | CYNTEC | Description: CYNTEC - MUN3CAD05-JF - Nicht isolierte POL-DC/DC-Wandler, ITE, Micro Module, 16.5 W, 600 mV, 3.3 V, 5 A tariffCode: 85044095 DC-Eingangsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: 600mV Höhe: 1.5mm Ausgangsspannung, max.: 3.3V Tiefe: 3mm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Breite: 3mm DC/DC-Wandlerausgang: Einstellbar DC-Eingangsspannung, max.: 5.5V DC/DC-Wandler: Micro Module SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Ausgangsstrom, max.: 5A Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Anwendungen für das Netzteil: ITE Ausgangsleistung, max.: 16.5W | на замовлення 1990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5111DW1T1 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN5111DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 81000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5111DW1T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5111DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 385mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach pnp usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | на замовлення 30062 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5111DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 81000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5111DW1T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-363 Part Status: Active Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Resistor - Base (R1): 10kOhms DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 250mW Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5111DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 78000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5111DW1T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5111DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 385mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach pnp usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | на замовлення 30062 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5111DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5111DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 78000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5111DW1T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-363 Part Status: Active Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Resistor - Base (R1): 10kOhms DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 250mW Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 35376 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5111DW1T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT Dual PNP | на замовлення 59426 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5111RT1 | на замовлення 186000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN5111T1 | ON | 07+; | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5111T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 315000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5111T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3 Resistors Included: R1 and R2 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 10 kOhms Power - Max: 202 mW | на замовлення 20640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5111T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5111T1G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.202W; SC70,SOT323 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.202W Case: SC70; SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Current gain: 35...60 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5111T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 315000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5111T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) Resistors Included: R1 and R2 Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 10 kOhms Power - Max: 202 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5111T1G | onsemi | Digital Transistors SS BR XSTR PNP 50V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5111T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 9046 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5111T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 9046 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5112 | onsemi | SS SC70 BR XSTR PNP 50V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5112DW1 | onsemi | SS SC88 BR XSTR PNP 50V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5112DW1T1 | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT Dual | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5112DW1T1 | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN5112DW1T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5112DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5112DW1T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5112DW1T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 81000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 9000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5112DW1T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5112DW1T1G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 22kΩ Type of transistor: PNP x2 Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.187W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 22kΩ Base-emitter resistor: 22kΩ | на замовлення 2279 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5112DW1T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-363 Packaging: Bulk Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5112DW1T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT Dual PNP | на замовлення 475 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5112T1 | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 774000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5112T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5112T1 - TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3 tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 774000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 9000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5112T1 | onsemi | Description: TRANS BRT PNP 100MA 50V SOT-323 Packaging: Bulk | на замовлення 774000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5112T1/6B | MOTO | на замовлення 108000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| MUN5112T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 934 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5112T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Resistor - Base (R1): 22 kOhms Power - Max: 202 mW | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5112T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5112T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5112T1G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 310mW; SC70,SOT323 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.31W Case: SC70; SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 22kΩ Base-emitter resistor: 22kΩ Manufacturer standard package: 3000pcs. Current gain: 60...100 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5112T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP | на замовлення 11390 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5112T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 934 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 447 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5112T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 202 mW Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms | на замовлення 13240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5112T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5112T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5112T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 467900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5113 | MOT | SOT-323 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5113 | onsemi | SS SC70 BR XSTR PNP 50V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5113DW1T1 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-363 Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhm Resistor - Base (R1): 47kOhm DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 187mW Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Bulk | на замовлення 7788 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5113DW1T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5113DW1T1 - MUN5113DW1T1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5113DW1T1 | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT Dual | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5113DW1T1G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 47kΩ Type of transistor: PNP x2 Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.187W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 47kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ | на замовлення 80 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5113DW1T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-363 | на замовлення 101 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5113DW1T1G | onsemi | Digital Transistors SS BR XSTR PNP 50V | на замовлення 187 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5113DW1T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 187mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhm Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhm Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5113DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5113DW1T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-363 Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhm Resistor - Base (R1): 47kOhm DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 187mW Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5113DW1T1G-NC | onsemi | Description: SS SC88 BR XSTR PNP 50V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5113DW1T1G-NC | onsemi | Description: SS SC88 BR XSTR PNP 50V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5113DW1T1G-NC | onsemi | Digital Transistors SS SC88 BR XSTR PNP 50V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5113T1 | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5113T1 | ON | SOT323 | на замовлення 5944 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5113T1 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3 Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 47 kOhms Power - Max: 202 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5113T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3 Packaging: Bulk Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 202 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 42559 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5113T1G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR PNP 50V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5113T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5113T1G - DIGITAL TRANSISTOR, 50V, 0.1A tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 190000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 21000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5113T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 1630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5113T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 202 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5113T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 1630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 676 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5113T3 | ON | 0403+ SOT23-5 | на замовлення 16100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5113T3G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5113T3G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5113T3G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 202 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5113T3G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP | на замовлення 16528 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5113T3G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5113T3G - DIGITAL TRANSISTOR, 50V, 0.1A tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 209850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 20000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5114 | на замовлення 2930 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN5114DW1T1 | onsemi | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 Packaging: Bulk Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 | на замовлення 105000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5114DW1T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5114DW1T1 - TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5114DW1T1 | onsemi | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5114DW1T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5114DW1T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 366379 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5114DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 24250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

