Продукція > NDS

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NDS8858HON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 6.3A/4.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
446+79.40 грн
500+71.46 грн
1000+65.91 грн
Мінімальне замовлення: 446 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8858H_L86Zonsemi / Fairchildonsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8858H_NLonsemi / FairchildMOSFET 30V 1/2 BR N/P, 0.035/0.065 O,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8859NS09+ SOP8
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8859HFAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8863AmphenolArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8926FAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8926onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8928FAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8928AFSCSOP
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8929FAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8934ONSEMIDescription: ONSEMI - NDS8934 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 583 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8934ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
413+85.62 грн
500+77.07 грн
1000+71.08 грн
Мінімальне замовлення: 413 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8934onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8934ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
413+85.62 грн
500+77.07 грн
1000+71.08 грн
Мінімальне замовлення: 413 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8934Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+61.15 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8936onsemi / FairchildMOSFET Dual N-Ch FET Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8936ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+107.44 грн
500+96.69 грн
1000+89.18 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8936onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8936ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+107.44 грн
500+96.69 грн
1000+89.18 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8936Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 6818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
263+76.61 грн
Мінімальне замовлення: 263 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8936 SOP8NATIONAL
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8936-NL
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8936MXFSC
на замовлення 1259 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8936SOP8FAIRCHILD
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8936_NLonsemi / FairchildMOSFET RECOMMEND: FDS6912A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8947ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+144.97 грн
500+130.83 грн
1000+120.22 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8947Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 4A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 6899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
195+103.48 грн
Мінімальне замовлення: 195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8947ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+144.97 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8947onsemi / FairchildMOSFET Dual P-Ch FET Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8947ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+144.97 грн
500+130.83 грн
1000+120.22 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8947ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+144.97 грн
500+130.83 грн
1000+120.22 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8947onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 30V 4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8947-NLFairchild
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8947_NLonsemi / FairchildMOSFET -30V DMOS P-CHNL DUAL SO8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8947_Qonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8956FAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8958onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V 5.3A/4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A, 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8958FAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8958-NL
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8958AFSC00+ SOP
на замовлення 918 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8958_NLFairchild
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8961FAIRCHILD9830 SOP8
на замовлення 19873 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8961Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8961AFAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8961_NLFAIRCHILD
на замовлення 51800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8963FAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9400Fairchild SemiconductorDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Power Dissipation (Max): 2W
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
577+40.76 грн
Мінімальне замовлення: 577 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9400 SOP8NATIONAL
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9400AON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 3.4A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9400AFAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9400AON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 3.4A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9400SOP8
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9401AFAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9405FAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9405Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 4.3A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9405Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 4.3A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9405_D84ZON Semiconductor / FairchildMOSFET DISC BY MFG 2/02
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9407ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+66.46 грн
219+64.70 грн
250+62.95 грн
500+59.01 грн
1000+53.07 грн
3000+49.45 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9407ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+59.89 грн
500+46.47 грн
1000+46.01 грн
2500+36.31 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9407onsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 732 pF @ 30 V
на замовлення 8933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.79 грн
10+53.14 грн
50+39.45 грн
100+32.85 грн
500+25.53 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9407ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+33.51 грн
25+30.46 грн
50+29.22 грн
100+25.79 грн
500+21.15 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9407ONSEMIDescription: ONSEMI - NDS9407 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.15 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
на замовлення 2758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9407ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+57.12 грн
17+44.48 грн
50+40.37 грн
100+32.08 грн
500+23.46 грн
2500+20.50 грн
5000+19.61 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9407ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9407onsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 732 pF @ 30 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.82 грн
5000+20.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9407ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 130245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
923+38.33 грн
1001+35.35 грн
10000+31.52 грн
100000+25.46 грн
Мінімальне замовлення: 923 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9407ONS/FAIMOSFET P-CH 60V 3A 8-SOIC Транзистори
на замовлення 1 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
1+780.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9407onsemiMOSFETs Single P-Ch MOSFET Power Trench
на замовлення 7320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9407ONSEMIDescription: ONSEMI - NDS9407 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.15 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
на замовлення 2758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9407ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
318+44.48 грн
351+40.37 грн
426+33.27 грн
539+25.34 грн
2500+21.35 грн
5000+19.61 грн
Мінімальне замовлення: 318 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9407ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+105.81 грн
12+68.20 грн
25+66.46 грн
100+62.39 грн
250+56.20 грн
500+52.45 грн
1000+50.95 грн
3000+49.45 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9407-NL
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9407_GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 732 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9407_NLFAIRCHILD
на замовлення 51800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9407_Qonsemi / FairchildMOSFETs Single P-Ch MOSFET Power Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9410NS05+ SOP
на замовлення 1188 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9410AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9410AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
410+54.27 грн
Мінімальне замовлення: 410 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9410Aonsemi / FairchildMOSFET Single N-Ch FET Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9410AONSEMIDescription: ONSEMI - NDS9410A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 493 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9410AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9410A-NL
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9410A2500X1.A8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9410A_NLFSC09+
на замовлення 3528 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9410A_Qonsemi / FairchildMOSFET Single N-Ch FET Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9410BFAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9410SFAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9412NSSOP-8
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS941OA
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9430ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
399+88.76 грн
500+79.89 грн
Мінімальне замовлення: 399 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9430onsemi / FairchildMOSFETs 30V P-Ch PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9430onsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 528 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9430ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 42500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
399+88.76 грн
500+79.89 грн
1000+73.68 грн
10000+63.34 грн
Мінімальне замовлення: 399 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9430ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 34900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
399+88.76 грн
500+79.89 грн
1000+73.68 грн
10000+63.34 грн
Мінімальне замовлення: 399 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9430ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
399+88.76 грн
500+79.89 грн
1000+73.68 грн
Мінімальне замовлення: 399 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9430Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 528 pF @ 15 V
на замовлення 112979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
319+63.20 грн
Мінімальне замовлення: 319 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9430ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
399+88.76 грн
500+79.89 грн
1000+73.68 грн
10000+63.34 грн
Мінімальне замовлення: 399 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9430-NLFairchild
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9430AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
413+85.62 грн
500+77.06 грн
1000+71.08 грн
Мінімальне замовлення: 413 шт
В кошику  од. на суму  грн.