Продукція > PJQ
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PJQ5839E-AU_R2_002A1 | Panjit International Inc. | Description: MOSFET 2P-CH 30V 9A 8DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W (Ta), 30W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 31A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1012pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DFN5060B-8 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| PJQ5844-AU_R2_000A1 | Panjit International Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 40V 10A/45A 8DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta), 38.5W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 45A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1759pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DFN5060B-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PJQ5844-AU_R2_000A1 | Panjit International Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 40V 10A/45A 8DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta), 38.5W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 45A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1759pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DFN5060B-8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PJQ5844_R2_00001 | Panjit International Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 40V 10A 8DFN Supplier Device Package: DFN5060B-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1759pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 45A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Power - Max: 1.7W (Ta), 32W (Tc) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PJQ5844_R2_00001 | Panjit International Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 40V 10A 8DFN Supplier Device Package: DFN5060B-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1759pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 45A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Power - Max: 1.7W (Ta), 32W (Tc) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PJQ5846-AU_R2_000A1 | Panjit | MOSFET 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PJQ5846_R2_00001 | Panjit | MOSFET 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PJQ5848_R2_00001 | Panjit | MOSFET PJ/Q5848/TR/13"/HF/3K/DFN5060B-8L/MOS/DFN/NFET-40FKMN//PJ/DFN5060B8L-AS07/PJQ5848-ASP3/DFN50608L-AS01 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PJQ5850-AU_R2_000A1 | Panjit | MOSFETs 40V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PJQ5850_R2_00001 | Panjit International Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 40V 5A 8DFN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Supplier Device Package: DFN5060B-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 8A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 14A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Power - Max: 1.7W (Ta), 12W (Tc) Technology: MOSFET (Metal Oxide) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PJQ5866A-AU_R2_000A1 | Panjit International Inc. | Description: 60V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT M Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta), 68.2W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 40A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DFN5060B-8 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5428 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| PJQ5866A-AU_R2_000A1 | Panjit International Inc. | Description: 60V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT M Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta), 68.2W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 40A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DFN5060B-8 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| PJQ5866A_R2_00001 | Panjit International Inc. | Description: 60V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT M Part Status: Active Supplier Device Package: DFN5060B-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 40A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Power - Max: 1.7W (Ta), 56W (Tc) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2728 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| PJQ5866A_R2_00001 | Panjit International Inc. | Description: 60V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT M Part Status: Active Supplier Device Package: DFN5060B-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 40A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Power - Max: 1.7W (Ta), 56W (Tc) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PJQ5944S6V-AU_R2_002A1 | Panjit International Inc. | Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W (Ta), 65W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 80A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DFN5060B-8 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| PJQ5944S6V-AU_R2_002A1 | Panjit International Inc. | Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W (Ta), 65W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 80A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DFN5060B-8 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| PJQ5948-AU_R2_002A1 | Panjit | MOSFETs 40V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET | на замовлення 2348 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PJQ5948-AU_R2_002A1 | Panjit International Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 40V 10.6A 8DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W (Ta), 30W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 37A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 778pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA Supplier Device Package: DFN5060B-8 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PJQ5948-AU_R2_002A1 | Panjit International Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 40V 10.6A 8DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W (Ta), 30W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 37A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 778pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA Supplier Device Package: DFN5060B-8 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1976 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| PJQ5948V-AU_R2_002A1 | Panjit International Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 40V 10.5A 8DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.4W (Ta), 32W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 35A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 673pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 10V FET Feature: Standard Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA Supplier Device Package: DFN5060B-8 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| PJQ5948V-AU_R2_002A1 | Panjit International Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 40V 10.5A 8DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.4W (Ta), 32W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 35A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 673pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 10V FET Feature: Standard Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA Supplier Device Package: DFN5060B-8 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| PJQ5948V-AU_R2_002A1 | Panjit | MOSFETs 40V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET | на замовлення 2874 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PJQ5968A-AU_R2_002A1 | Panjit International Inc. | Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| PJQ5968A-AU_R2_002A1 | Panjit International Inc. | Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PJQA5V6 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PJQA5V6C | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PJQA6V2 | на замовлення 81000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PJQMF05LC | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PJQMF05LCT/R | на замовлення 90200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PJQMF05LCT/R/FA | JIT | на замовлення 104000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| PJQMS05 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

