Продукція > SI1

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI1035X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V SOT563F
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1035X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V SOT563F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1035X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V SOT563F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1035X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V SC89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA, 145mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 400mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1035X-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V 200/150mA 5.0/8.0ohm @ 4.5V
на замовлення 6661 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1035X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V SC89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA, 145mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 400mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Part Status: Active
на замовлення 5365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.14 грн
12+26.34 грн
100+18.30 грн
500+13.41 грн
1000+10.90 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1036-A-GMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA
Packaging: Tray
Package / Case: 85-VFLGA Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 960MHz
Memory Size: 32kB Flash, 8.5kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.8V
Power - Output: 13dBm (Max)
Protocol: EZRadioPro
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA
Supplier Device Package: 85-LGA (6x8)
GPIO: 53
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I²C, SPI, UART
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1036-A-GMRSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1036-B-GM3Silicon LabsRF Microcontrollers - MCU 32kB, 8kB RAM, +13dBm, programmable XCVR, DC-DC buck
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1036-B-GM3Silicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1036-B-GM3RSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1036-B-GM3RSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU 32kB, 8kB RAM, +13dBm, programmable XCVR, DC-DC buck
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1036X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 0.61A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+40.31 грн
9000+39.91 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1036X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.61A SC89-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 220mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 610mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-6
Part Status: Active
на замовлення 3412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.62 грн
14+21.89 грн
100+13.93 грн
500+9.84 грн
1000+8.80 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1036X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 0.61A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+40.83 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1036X-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V Vds 8V Vgs SC89-6
на замовлення 48834 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1036X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 0.61A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+40.04 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1036X-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1036X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 610 mA, 610 mA, 0.45 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 610mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 610mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 610mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.45ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 220mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 220mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1036X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.61A SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 220mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 610mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-6
Part Status: Active
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1950 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1036X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 0.61A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
354+40.04 грн
Мінімальне замовлення: 354 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1036X-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1036X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 610 mA, 610 mA, 0.45 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 610mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 610mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.45ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 220mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 220mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1037-A-GMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1037-A-GMRSilicon LabsDescription: IC MCU 16KB 4KB RAM 85LGA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1037-B-GM3Silicon LabsRF Microcontrollers - MCU 16kB, 4kB RAM, +13dBm, programmable XCVR, DC-DC buck
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1037-B-GM3Silicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1037-B-GM3RSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU 16kB, 4kB RAM, +13dBm, programmable XCVR, DC-DC buck
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1037-B-GM3RSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1037X-T1VISHAY
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1037X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 0.77A SC89
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1037X-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 123 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1037X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 0.77A SC89
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1039X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 0.87A SOT563F
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1039X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 0.87A SOT563F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1039X-T1-E3VISHAY
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1039X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 0.87A SOT563F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1039X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 0.87A SC89
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1039X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 0.87A SC89
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1039X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 0.87A SC89
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI104-221DELTA2005+
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1040X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC89-6
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 500mOhm
Voltage - Load: 1.8V ~ 8V
Current - Output (Max): 430mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1040X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC89-6
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 500mOhm
Voltage - Load: 1.8V ~ 8V
Current - Output (Max): 430mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1040X-T1-GE3VishayPower Switch Hi Side 1-OUT 0.71Ohm 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
493+28.69 грн
495+28.58 грн
507+27.91 грн
520+26.28 грн
Мінімальне замовлення: 493 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1040X-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1040X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 8 V, 8 V, 430 mA, 430 mA, 0.5 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 430mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 8V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 430mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.5ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 174mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 8V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.5ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 174mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1040X-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -8V Vds V Vgs SC89-6
на замовлення 29162 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1040X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC89-6
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 500mOhm
Voltage - Load: 1.8V ~ 8V
Current - Output (Max): 430mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.35 грн
6000+20.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1040X-T1-GE3
Код товару: 207696
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1040X-T1-GE3VishayPower Switch Hi Side 1-OUT 0.71Ohm 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1040X-T1-GE3VishayPower Switch Hi Side 1-OUT 0.71Ohm 6-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1040X-T1-GE3VishayPower Switch Hi Side 1-OUT 0.71Ohm 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+33.11 грн
27+28.58 грн
100+26.91 грн
250+24.33 грн
500+22.78 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1040X-T1-GE3VishayPower Switch Hi Side 1-OUT 0.71Ohm 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1040X-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1040X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 8 V, 8 V, 430 mA, 430 mA, 0.5 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 430mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 8V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 430mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.5ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 174mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 8V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.5ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 174mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1040X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC89-6
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 500mOhm
Voltage - Load: 1.8V ~ 8V
Current - Output (Max): 430mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Part Status: Active
на замовлення 6566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.38 грн
10+33.74 грн
25+30.28 грн
100+24.84 грн
250+23.13 грн
500+22.10 грн
1000+20.90 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1040X-T1-GE3VishayPower Switch Hi Side 1-OUT 0.71Ohm 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1040X-T1-GE3VishayPower Switch Hi Side 1-OUT 0.71Ohm 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1040X-T1-GE3VishayPower Switch Hi Side 1-OUT 0.71Ohm 6-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1041N/A
на замовлення 196 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1041A
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1041ADY
на замовлення 32200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1041DY-T1
на замовлення 4893 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1045AsiSOP-8
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1045ADY-T1
на замовлення 936 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1046R-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC75-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1046R-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC75-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1046R-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC75-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1046R-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC75-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1046X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V SC89-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1046X-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 20V 606mA 0.25W 420mohm @ 4.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1047DL
на замовлення 12563 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1047DL-T1-E3
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1049SITSSOP-16
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1049AG
на замовлення 1225 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1050G
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1050GH
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1050GS
на замовлення 54380 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1050VISHAY
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1050X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 8V 1.34A SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.34A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 1.34A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585 pF @ 4 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1050X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 8V 1.34A SC89-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.34A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 1.34A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585 pF @ 4 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1050X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 8V 1.34A SC89-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.34A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 1.34A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585 pF @ 4 V
на замовлення 34821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.65 грн
10+33.21 грн
100+21.41 грн
500+15.32 грн
1000+13.78 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1050X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 8V 1.34A 6-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1050X-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1050X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 1.34 A, 0.12 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 350mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 236mW
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 1.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1050X-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 8V Vds 5V Vgs SC89-6
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1050X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 8V 1.34A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1050X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 8V 1.34A SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.34A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 1.34A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585 pF @ 4 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.08 грн
6000+11.54 грн
9000+11.01 грн
15000+9.77 грн
21000+9.43 грн
30000+9.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1050X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 8V 1.34A 6-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1050X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 8V 1.34A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1050X-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1050X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 1.34 A, 0.12 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 236
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 16325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1051X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1051X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 4 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1054X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 1.32A SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.32A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 1.32A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.57 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 6 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1054X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 1.32A SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.32A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 1.32A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.57 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 6 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1056X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 1.32A SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.32A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 1.32A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1056X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.32A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 1.32A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1058X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 1.3A SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 1.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1058X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 1.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI106-101
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI106-220
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1060-A-GMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 36-WFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -126dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 175MHz, 425MHz ~ 525MHz, 850MHz ~ 1.05GHz
Memory Size: 64kB Flash 4kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm
Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 70mA ~ 85mA
Supplier Device Package: 36-QFN (5x6)
GPIO: 15
Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+894.33 грн
10+736.59 грн
25+694.16 грн
100+597.47 грн
490+543.82 грн
980+522.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI1060-A-GMSilicon LabsQFN 36/64kB, 4kB RAM, +20 dBm, programmable XCVR, Pro2 SI1060
кількість в упаковці: 60 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1060-A-GMSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25 MHz 16 kB +20 dBm
на замовлення 2409 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1060-A-GMSilicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2450 шт
В кошику  од. на суму  грн.