Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 14 16 18 20 22  Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI1034X-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs Dual N-Ch MOSFET 20V 5.0 ohms @ 4.5V
на замовлення 100505 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1034X-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 0.19A; Idm: 0.65A
Mounting: SMD
Case: SC89; SOT563
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 0.65A
Drain current: 0.19A
Drain-source voltage: 20V
Gate-source voltage: ±5V
Gate charge: 0.75nC
On-state resistance: 10Ω
Power dissipation: 0.28W
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1034X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.18A 6-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1035-A-GMSilicon LabsDescription: IC MCU 64KB 8KB RAM 85LGA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1035-A-GMSilicon LabsLGA 85/I°/64KB, 8KB RAM, +13DBM, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC BUCK SI1035
кількість в упаковці: 43 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1035-A-GMRSilicon LabsDescription: IC MCU 64KB 8KB RAM 85LGA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1035-A-GMRSilicon LabsQFN 85/I°/64KB, 8KB RAM, +13DBM, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC BUCK SI1035
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1035-B-GM3Silicon LabsRF Microcontrollers - MCU 64kB, 8kB RAM, +13dBm, programmable XCVR, DC-DC buck
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1035-B-GM3Silicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85LGA
Packaging: Tray
Package / Case: 85-VFLGA Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 960MHz
Memory Size: 64kB Flash, 8.5kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.8V
Power - Output: 13dBm (Max)
Protocol: EZRadioPro
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA
Supplier Device Package: 85-LGA (6x8)
GPIO: 53
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1035-B-GM3RSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 85-VFLGA Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 960MHz
Memory Size: 64kB Flash, 8.5kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.8V
Power - Output: 13dBm (Max)
Protocol: EZRadioPro
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA
Supplier Device Package: 85-LGA (6x8)
GPIO: 53
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1035-B-GM3RSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU 64kB, 8kB RAM, +13dBm, programmable XCVR, DC-DC buck
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1035DL-T1-E3
на замовлення 1722 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1035X-T1VISHAYSOT-666 0347+
на замовлення 12321 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1035X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V SOT563F
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1035X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V SOT563F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1035X-T1-E3
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1035X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V SOT563F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1035X-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V 200/150mA 5.0/8.0ohm @ 4.5V
на замовлення 6661 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1035X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V SC89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA, 145mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 400mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Part Status: Active
на замовлення 5365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.77 грн
12+26.04 грн
100+18.09 грн
500+13.26 грн
1000+10.77 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1035X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V SC89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA, 145mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 400mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1036-A-GMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA
Current - Receiving: 18.5mA
Protocol: EZRadioPro
Power - Output: 13dBm (Max)
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.8V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Type: TxRx + MCU
Memory Size: 32kB Flash, 8.5kB RAM
Frequency: 240MHz ~ 960MHz
Mounting Type: Surface Mount
Sensitivity: -121dBm
Package / Case: 85-VFLGA Exposed Pad
Packaging: Tray
Part Status: Obsolete
Serial Interfaces: I²C, SPI, UART
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Modulation: FSK, GFSK, OOK
GPIO: 53
Supplier Device Package: 85-LGA (6x8)
Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA
Data Rate (Max): 256kbps
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1036-A-GMRSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1036-B-GM3Silicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1036-B-GM3Silicon LabsRF Microcontrollers - MCU 32kB, 8kB RAM, +13dBm, programmable XCVR, DC-DC buck
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1036-B-GM3RSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU 32kB, 8kB RAM, +13dBm, programmable XCVR, DC-DC buck
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1036-B-GM3RSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1036X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.61A SC89-6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-89-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 610mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 220mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.20 грн
14+21.64 грн
100+13.77 грн
500+9.73 грн
1000+8.70 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1036X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 0.61A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+40.04 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1036X-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1036X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 610 mA, 610 mA, 0.45 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 610mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 610mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 610mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.45ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 220mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 220mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.52 грн
500+12.24 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1036X-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V Vds 8V Vgs SC89-6
на замовлення 49079 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1036X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 0.61A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
354+40.04 грн
Мінімальне замовлення: 354 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1036X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.61A SC89-6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-89-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 610mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 220mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1950 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1036X-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1036X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 610 mA, 610 mA, 0.45 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 610mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 610mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.45ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 220mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 220mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+45.08 грн
30+27.48 грн
100+17.52 грн
500+12.24 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1036X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 0.61A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+40.31 грн
9000+39.91 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1036X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 0.61A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+40.83 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1037-A-GMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1037-A-GMRSilicon LabsDescription: IC MCU 16KB 4KB RAM 85LGA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1037-B-GM3Silicon LabsRF Microcontrollers - MCU 16kB, 4kB RAM, +13dBm, programmable XCVR, DC-DC buck
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1037-B-GM3Silicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1037-B-GM3RSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU 16kB, 4kB RAM, +13dBm, programmable XCVR, DC-DC buck
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1037-B-GM3RSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1037X-T1VISHAY
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1037X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 0.77A SC89
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1037X-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 123 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1037X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 0.77A SC89
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1039X-T1-E3VISHAY
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1039X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 0.87A SOT563F
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1039X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 0.87A SOT563F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1039X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 0.87A SOT563F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1039X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 0.87A SC89
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1039X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 0.87A SC89
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1039X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 0.87A SC89
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI104-221DELTA2005+
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1040X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC89-6
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Ratio - Input:Output: 1:1
Current - Output (Max): 430mA
Voltage - Load: 1.8V ~ 8V
Rds On (Typ): 500mOhm
Output Configuration: High Side
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Switch Type: General Purpose
Interface: On/Off
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: P-Channel
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1040X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC89-6
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 500mOhm
Voltage - Load: 1.8V ~ 8V
Current - Output (Max): 430mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1040X-T1-GE3
Код товару: 207696
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1040X-T1-GE3VishayPower Switch Hi Side 1-OUT 0.71Ohm 6-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1040X-T1-GE3VishayPower Switch Hi Side 1-OUT 0.71Ohm 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+33.11 грн
27+28.58 грн
100+26.91 грн
250+24.33 грн
500+22.78 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1040X-T1-GE3VishayPower Switch Hi Side 1-OUT 0.71Ohm 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1040X-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1040X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 8 V, 8 V, 430 mA, 430 mA, 0.5 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 430mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 8V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 430mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.5ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 174mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 8V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.5ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 174mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.06 грн
500+27.76 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1040X-T1-GE3VishayPower Switch Hi Side 1-OUT 0.71Ohm 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1040X-T1-GE3VishayPower Switch Hi Side 1-OUT 0.71Ohm 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1040X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC89-6
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 500mOhm
Voltage - Load: 1.8V ~ 8V
Current - Output (Max): 430mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Part Status: Active
на замовлення 6566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.82 грн
10+33.36 грн
25+29.94 грн
100+24.56 грн
250+22.86 грн
500+21.84 грн
1000+20.66 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1040X-T1-GE3VishayPower Switch Hi Side 1-OUT 0.71Ohm 6-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1040X-T1-GE3VishayPower Switch Hi Side 1-OUT 0.71Ohm 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
493+28.69 грн
495+28.58 грн
507+27.91 грн
520+26.28 грн
Мінімальне замовлення: 493 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1040X-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1040X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 8 V, 8 V, 430 mA, 430 mA, 0.5 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 430mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 8V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 430mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.5ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 174mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 8V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.5ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 174mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+57.54 грн
50+47.81 грн
100+39.06 грн
500+27.76 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1040X-T1-GE3VishayPower Switch Hi Side 1-OUT 0.71Ohm 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1040X-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -8V Vds V Vgs SC89-6
на замовлення 29162 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1040X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC89-6
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 500mOhm
Voltage - Load: 1.8V ~ 8V
Current - Output (Max): 430mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.10 грн
6000+20.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1041N/A
на замовлення 196 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1041A
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1041ADY
на замовлення 32200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1041DY-T1
на замовлення 4893 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1045AsiSOP-8
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1045ADY-T1
на замовлення 936 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1046R-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC75-3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1046R-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC75-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1046R-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC75-3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1046R-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC75-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1046X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC89-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1046X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC89-3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1046X-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 20V 606mA 0.25W 420mohm @ 4.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1046X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC89-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1047DL
на замовлення 12563 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1047DL-T1-E3
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1049SITSSOP-16
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1049AG
на замовлення 1225 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1050G
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1050GH
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1050GS
на замовлення 54380 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1050VISHAY
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1050X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 8V 1.34A SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.34A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 1.34A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585 pF @ 4 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1050X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 8V 1.34A SC89-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585 pF @ 4 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Vgs (Max): ±5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 1.34A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.34A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1050X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 8V 1.34A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1050X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 8V 1.34A SC89-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.34A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 1.34A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585 pF @ 4 V
на замовлення 34821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.02 грн
10+32.83 грн
100+21.17 грн
500+15.15 грн
1000+13.62 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1050X-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 8V Vds 5V Vgs SC89-6
на замовлення 5192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1050X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 8V 1.34A 6-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1050X-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 8V; 1.34A; Idm: 6A
Mounting: SMD
Case: SC89; SOT563
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 6A
Drain current: 1.34A
Drain-source voltage: 8V
Gate-source voltage: ±5V
Gate charge: 11.6nC
On-state resistance: 0.12Ω
Power dissipation: 0.236W
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1050X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 8V 1.34A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1050X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 8V 1.34A SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.34A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 1.34A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585 pF @ 4 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.93 грн
6000+11.41 грн
9000+10.88 грн
15000+9.66 грн
21000+9.33 грн
30000+9.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 14 16 18 20 22  Наступна Сторінка >> ]