Продукція > irf
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF7700GTRPBF | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET P-CH 20V 8.6A 8-TSSOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF7700TR | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET P-CH 20V 8.6A 8-TSSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF7700TR | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF7700TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 8.6A 8TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-TSSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF7700TRPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT PCh -20V A mOhm 59nC | на замовлення 284 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF7700TRPBF | Infineon | MOSFET MOSFT PCh -20V A mOhm 59nC Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF7700TRPBF | IOR | на замовлення 32500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IRF7701 | International Rectifier | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF7701 | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF7701 | IR | на замовлення 4500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IRF7701GTRPBF | на замовлення 580 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7701GTRPBF | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF7701GTRPBF | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF7701GTRPBF | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF7701TR | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF7701TR | IOR | на замовлення 16000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IRF7701TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 12V 10A 8TSSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF7701TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 12V 10A 8TSSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF7702 | IR | TSSOP-8 | на замовлення 32000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF7702 | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET P-CH 12V 8A 8-TSSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF7702GTRPBF | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET P-CH 12V 8A 8-TSSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF7702GTRPBF | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET P-CH 12V 8A 8-TSSOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF7702GTRPBF | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET P-CH 12V 8A 8-TSSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF7702TR | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET P-CH 12V 8A 8-TSSOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF7702TR | IOR | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IRF7702TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 12V 8A 8TSSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF7702TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 12V 8A 8-TSSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF7703 | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET P-CH 40V 6A 8-TSSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF7703 | IR | TSSOP-8 | на замовлення 62000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF7703GTRPBF | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET P-CH 40V 6A 8-TSSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF7703GTRPBF | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET P-CH 40V 6A 8-TSSOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF7703GTRPBF | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET P-CH 40V 6A 8-TSSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF7703TR | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET P-CH 40V 6A 8-TSSOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF7703TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 40V 6A 8TSSOP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5220 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-TSSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF7703TRPBF | на замовлення 5120 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7704 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 40V 4.6A 8-TSSOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF7704 | IR | TSSOP-8 | на замовлення 32000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF7704GTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 40V 4.6A 8-TSSOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF7704GTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 40V 4.6A 8-TSSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF7704TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 40V 4.6A 8-TSSOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF7704TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 40V 4.6A 8TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-TSSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3150 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF7704TRPBF | IOR | на замовлення 32500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IRF7705 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 8A 8TSSOP Packaging: Tube Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-TSSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2774 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 95 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF7705 | IR | TSSOP-8 | на замовлення 32000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF7705GTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 8A 8TSSOP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2774 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-TSSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF7705GTRPBF | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF7705HR | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF7705TR | на замовлення 42500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7705TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 8A 8TSSOP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2774 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-TSSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF7705TRHR | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF7705TRPBF | International Rectifier | SO8-118-0.65 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF7705TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 8A 8TSSOP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2774 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-TSSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF7705TRPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT PCh -30V -8A 18mOhm 58nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF7706 | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET P-CH 30V 7A 8-TSSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF7706 | IR | TSSOP-8 | на замовлення 32000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF7706GTRPBF | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET P-CH 30V 7A 8-TSSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF7706GTRPBF | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET P-CH 30V 7A 8-TSSOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF7706GTRPBF | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET P-CH 30V 7A 8-TSSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF7706TR | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET P-CH 30V 7A 8-TSSOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF7706TRPBF | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET P-CH 30V 7A 8-TSSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF7706TRPBF | IOR | на замовлення 32500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IRF7706TRPBF | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET P-CH 30V 7A 8-TSSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF7706TRPBF | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET P-CH 30V 7A 8-TSSOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF7707 | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET P-CH 20V 7A 8-TSSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF7707 | IR | TSSOP-8 | на замовлення 32000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF7707GTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 7A 8TSSOP Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-TSSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2361 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF7707TR | на замовлення 12672 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7707TR | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET P-CH 20V 7A 8-TSSOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF7707TRPBF | IOR | на замовлення 40000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IRF7707TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 7A 8TSSOP Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-TSSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2361 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF7710 | IR | 07+ TSSOP-8 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF7715 | IR | 07+ TSSOP-8 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF7726 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 7A MICRO8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 960 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF7726 | IR | SO-8 | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF7726TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 7A MICRO8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF7726TR | IR | на замовлення 96000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IRF7726TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 7A MICRO8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF7726TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 30V 7A 8-Pin Micro T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRF7726TRPBF Код товару: 60841
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IRF7726TRPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT PCh -30V -7A 26mOhm 46nC Micro 8 | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF7726TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 7A MICRO8 | на замовлення 3249 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF7726TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 30V 7A 8-Pin Micro T/R | на замовлення 1208 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRF7726TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 7A MICRO8 | на замовлення 3249 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3249 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF7737L2TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 31A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric L6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 156A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 94A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: DIRECTFET L6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5469 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF7738L2TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 35A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric L6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 184A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 109A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DIRECTFET L6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 194 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7471 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF7739L1TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 125W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 270A Power dissipation: 125W Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF7739L1TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF7739L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 375 A, 1000 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 375A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: DirectFET L8 Anzahl der Pins: 15Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF7739L1TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 46A DIRECTFET Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 125W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 160A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 270A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric L8 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11880 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF7739L1TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 46A 15-Pin Direct-FET L8 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF7739L1TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF7739L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 375 A, 1000 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 375A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: DirectFET L8 Anzahl der Pins: 15Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF7739L1TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 40V N-Ch 270A 1.0 mOhm 220nC | на замовлення 1317 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF7739L1TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 46A DIRECTFET Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 270A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric L8 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11880 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 125W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 160A, 10V | на замовлення 736 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRF7739L1TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 46A 15-Pin Direct-FET L8 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF7739L2TR1PBF | Infineon / IR | MOSFET 40V 270A 1.0mOhm 220nC Qg | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF7739L2TR1PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 46A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric L8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 375A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 160A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11880 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF7739L2TRPBF | Infineon / IR | MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 1mOhm 220nC | на замовлення 878 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF7739L2TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 46A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric L8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 375A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 160A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11880 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF7739L2TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 46A 15-Pin Direct-FET L8 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF7739L2TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 46A 15-Pin Direct-FET L8 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF7739L2TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 125W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 270A Power dissipation: 125W Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. |

