Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRF7726TRIR
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7726TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 7A MICRO8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7726TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 7A MICRO8
на замовлення 3249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3249 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7726TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT PCh -30V -7A 26mOhm 46nC Micro 8
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7726TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 7A 8-Pin Micro T/R
на замовлення 1208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+55.74 грн
25+47.60 грн
100+38.24 грн
250+31.57 грн
500+26.62 грн
1000+22.93 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7726TRPBF
Код товару: 60841
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7726TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 7A 8-Pin Micro T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+43.02 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7726TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 7A MICRO8
на замовлення 3249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7737L2TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 31A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 156A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 94A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET L6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5469 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7738L2TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 35A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 184A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 109A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET L6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 194 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7471 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7739L1TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 40V N-Ch 270A 1.0 mOhm 220nC
на замовлення 1317 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7739L1TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 46A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7739L1TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 46A DIRECTFET
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 270A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11880 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 160A, 10V
на замовлення 836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+424.66 грн
10+273.38 грн
100+196.54 грн
500+168.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7739L1TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7739L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 375 A, 1000 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7739L1TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 125W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 125W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7739L1TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 46A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7739L1TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 46A DIRECTFET
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 160A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 270A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11880 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7739L1TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7739L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 375 A, 1000 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7739L2TR1PBFInfineon / IRMOSFET 40V 270A 1.0mOhm 220nC Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7739L2TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 46A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 375A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 160A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11880 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7739L2TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 125W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 125W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7739L2TRPBFInfineon / IRMOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 1mOhm 220nC
на замовлення 878 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7739L2TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 46A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7739L2TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 46A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 375A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 160A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11880 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7739L2TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 46A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7748L1TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7748L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 148 A, 2200 µohm, DirectFET L6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 148A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: DirectFET L6
Anzahl der Pins: 13Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7748L1TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 28A 13-Pin Direct-FET L6 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+413.95 грн
41+350.45 грн
53+266.95 грн
200+241.54 грн
500+196.35 грн
1000+184.46 грн
2000+177.41 грн
4000+166.32 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7748L1TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 28A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8075 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: DIRECTFET L6
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 89A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 148A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric L6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Last Time Buy
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7748L1TRPBF
Код товару: 130779
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7748L1TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 28A 13-Pin Direct-FET L6 T/R
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
128+110.49 грн
134+105.54 грн
250+101.31 грн
Мінімальне замовлення: 128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7748L1TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7748L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 148 A, 2200 µohm, DirectFET L6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 148A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: DirectFET L6
Anzahl der Pins: 13Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7748L1TRPBFInfineon / IRMOSFET 60V N-Ch 139A 2.15 mOhm 147nC
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7749L1TRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 60V 33A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
139+255.19 грн
Мінімальне замовлення: 139 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7749L1TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 33A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 4888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
139+255.19 грн
500+241.08 грн
1000+228.14 грн
Мінімальне замовлення: 139 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7749L1TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7749L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 345 A, 1500 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 345A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7749L1TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 33A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 3490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+457.70 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7749L1TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 33A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 120A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12320 pF @ 25 V
на замовлення 22510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+513.82 грн
10+334.00 грн
100+243.04 грн
500+217.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7749L1TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 33A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+207.12 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7749L1TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 33A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7749L1TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 1.1mOhm 200nC 2.9V Hexfet
на замовлення 40120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7749L1TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 33A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
139+255.19 грн
Мінімальне замовлення: 139 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7749L1TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 33A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 42690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
139+255.19 грн
500+241.08 грн
1000+228.14 грн
10000+206.39 грн
Мінімальне замовлення: 139 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7749L1TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 33A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 5424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+221.09 грн
100+216.38 грн
500+196.86 грн
1000+163.80 грн
4000+148.38 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7749L1TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 33A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 120A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12320 pF @ 25 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+197.01 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7749L1TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 33A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 15532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
139+255.19 грн
500+241.08 грн
1000+228.14 грн
10000+206.39 грн
Мінімальне замовлення: 139 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7749L1TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7749L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 345 A, 1500 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 345A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7749L1TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 33A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+205.90 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7749L1TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 33A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 3380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+221.46 грн
100+213.01 грн
250+196.81 грн
500+188.46 грн
1000+188.05 грн
3000+187.57 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7749L1TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 33A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 3380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+222.50 грн
10+221.93 грн
25+221.46 грн
100+213.01 грн
250+196.81 грн
500+188.46 грн
1000+188.05 грн
3000+187.57 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7749L2TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 33A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 375A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 120A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12320 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7749L2TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 33A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 375A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 120A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12320 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7749L2TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 33A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+481.13 грн
10+407.18 грн
25+356.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7749L2TRPBF
Код товару: 168900
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7749L2TRPBFInfineon / IRMOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 1.5mOhms 200nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7750Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8-TSSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7750IRTSSOP-8
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7750International RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7750 7750IOR09+ TSSOP-8
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7750GTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8TSSOP
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.7A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7750GTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7750TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8-TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7750TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8-TSSOP
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.7A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7750TRIOR2000
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7750TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8TSSOP
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.7A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7750TRPBFInternational RectifierMOSFET P-CH DUAL, 20V, 4.7A, TSSOP-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7750TRPBFInternational Rectifier/Infineon2P-канальний ПТ, Udss, В = -20, Id = 4,7, Ptot, Вт = 1, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1700 @ -15, Qg, нКл = 26, Rds = 0,030 Ом, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = -0,8 В,... Транзистори Корпус: TSSOP-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
4000+22.91 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7750TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7751Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8TSSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1464pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7751IR07+ TSSOP-8
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7751GTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8TSSOP
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1464pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7751TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8-TSSOP
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1464pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7751TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8TSSOP
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1464pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7751TRPBFIOR
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7752Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7752GPBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7752GTRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 4.6A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7752GTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 8TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7752GTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 8TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7752HRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7752TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7752TRHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7752TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 8TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7752TRPBFIOR
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7752TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 4.6A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7752TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 8TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7754Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 12V 5.5A 8TSSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1984pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7754IRTSSOP-8
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7754GTRPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET 2P-CH 12V 5.5A 8TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7754GTRPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET 2P-CH 12V 5.5A 8TSSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7754GTRPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET 2P-CH 12V 5.5A 8TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7754TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 12V 5.5A 8-TSSOP
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.4A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1984pF @ 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7754TRPBFIOR
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7754TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 12V 5.5A 8TSSOP
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.4A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1984pF @ 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7755IRTSSOP-8
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7755Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.9A 8-TSSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 3.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7755GTRPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.9A 8TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7755GTRPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.9A 8TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7755TRInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.9A 8-TSSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7755TRPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.9A 8TSSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7755TRPBFIOR
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]