Продукція > irf
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF7755TRPBF | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.9A 8TSSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF7755TRPBF | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.9A 8TSSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF7756 | IR | TSSOP-8 | на замовлення 32000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF7756 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8-TSSOP Packaging: Tube Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.3A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 8-TSSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF7756GTRPBF | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF7756GTRPBF | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF7756GTRPBF | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF7756TR | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8-TSSOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF7756TRPBF | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF7756TRPBF | IOR | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRF7756TRPBF | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF7756TRPBF | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF7757 | IR | TSSOP-8 | на замовлення 44000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF7757TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.8A TSSOP-8 Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-TSSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.8A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 1.2W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF7757TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.8A 8TSSOP Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-TSSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.8A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 1.2W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF7757TRPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT DUAL NCh 20V 4.8A | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF7757TRPBF | IOR | на замовлення 37500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRF7759L2TR1PBF | Infineon | на замовлення 120 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRF7759L2TR1PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 26A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric L8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 375A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 96A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12222 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF7759L2TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF7759L2TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 160 A, 0.0018 ohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES Verlustleistung: 125W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 1231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF7759L2TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 2.3mOhms 200nC | на замовлення 3745 шт: термін постачання 420-429 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF7759L2TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 26A 15-Pin Direct-FET L8 T/R | на замовлення 358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF7759L2TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF7759L2TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 160 A, 0.0018 ohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 125W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: DirectFET L8 Anzahl der Pins: 15Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 1231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF7759L2TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 26A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric L8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 375A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 96A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8 Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12222 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF7759L2TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 26A 15-Pin Direct-FET L8 T/R | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF7759L2TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 26A 15-Pin Direct-FET L8 T/R | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF7762TRLPBF | Rochester Electronics, LLC | Description: HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET | на замовлення 760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF7769L1TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R | на замовлення 1605 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF7769L1TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R | на замовлення 715 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF7769L1TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF7769L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 375 A, 3500 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 375A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: DirectFET L8 Anzahl der Pins: 15Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 3116 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF7769L1TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 20A DIRECTFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric L8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 124A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 74A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11560 pF @ 25 V | на замовлення 10541 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF7769L1TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF7769L1TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF7769L1TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R | на замовлення 2230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF7769L1TRPBF Код товару: 107945
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRF7769L1TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF7769L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 375 A, 3500 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 375A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: DirectFET L8 Anzahl der Pins: 15Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 3116 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF7769L1TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 20A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric L8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 124A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 74A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11560 pF @ 25 V | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF7769L1TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R | на замовлення 855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF7769L1TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF7769L1TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 100V N-CH 142A 3.5 mOhm 200nC | на замовлення 15791 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF7769L1TRPBF | International Rectifier HiRel Products | IRF7769L1TRPBF | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF7769L1TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R | на замовлення 715 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF7769L1TRPBFTR | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 71 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF7769L2TR1PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric L8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 74A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11560 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF7769L2TR1PBF транзистори Код товару: 103126
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRF7769L2TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11560 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 74A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric L8 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF7769L2TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF7769L2TRPBF | Infineon / IR | MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET L8 | на замовлення 2792 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF7769L2TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF7769L2TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11560 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 74A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric L8 Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF7779L2TR1PBF | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET N-CH 150V 375A DIRECTFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF7779L2TR1PBF | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET N-CH 150V 375A DIRECTFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF7779L2TR1PBF | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET N-CH 150V 375A DIRECTFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF7779L2TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 375A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric L8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6660 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF7779L2TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 150V 67A 15-Pin Direct-FET L8 T/R | на замовлення 426 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF7779L2TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF7779L2TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 67 A, 0.011 ohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 67A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: DirectFET L8 Anzahl der Pins: 15Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 4157 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF7779L2TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 375A DIRECTFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric L8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6660 pF @ 25 V | на замовлення 2765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF7779L2TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 150V 67A 15-Pin Direct-FET L8 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF7779L2TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF7779L2TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 67 A, 0.011 ohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 67A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: DirectFET L8 Anzahl der Pins: 15Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 4157 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF7779L2TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 7.7mOhms 11nC | на замовлення 6082 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF7780MTRPBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF7780MTRPBF - IRF7780 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1757 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 193 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF7780MTRPBF | Infineon Technologies | IRF7780MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 75V 89A 10-Pin Direct-FET ME T/R - Arrow.com | на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF7780MTRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 75V, 89A, DirectFET 5.7mOhm, 124nC Og | на замовлення 1367 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF7780MTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 89A DIRECTFET Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 53A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric ME Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6504 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF7780MTRPBF | Infineon Technologies | IRF7780MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 75V 89A 10-Pin Direct-FET ME T/R - Arrow.com | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF7780MTRPBF | Infineon / IR | MOSFET 75V, 89A, DirectFET 5.7mOhm, 124nC Og | на замовлення 2823 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF7780MTRPBF | Infineon Technologies | IRF7780MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 75V 89A 10-Pin Direct-FET ME T/R - Arrow.com | на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF7780MTRPBF | Infineon | на замовлення 4800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRF7780MTRPBF | Infineon Technologies | IRF7780MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 75V 89A 10-Pin Direct-FET ME T/R - Arrow.com | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF7799L2TR1PBF | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET N-CH 250V 375A DIRECTFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF7799L2TR1PBF | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET N-CH 250V 375A DIRECTFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF7799L2TR1PBF | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET N-CH 250V 375A DIRECTFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF7799L2TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 250V 375A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric L8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 4.3W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6714 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF7799L2TRPBF | Infineon / IR | MOSFET 250V N-CH HEXFET 38mOhms 110nC | на замовлення 3465 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF7803 | International Rectifier | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF7803 | на замовлення 28500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| IRF7803D2 | IOR | на замовлення 45 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRF7805 | IR | SO-8 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF7805A | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 95 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF7805A | IR | SO-8 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF7805APBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF7805ATR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF7805ATRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 348 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF7805ATRPBF | IOR | на замовлення 80000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRF7805ATRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 348 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 53 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF7805ATRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF7805HR | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 62 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF7805PBF | International Rectifier | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF7805PBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC Tube | на замовлення 8414 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF7805PBF | Infineon Technologies | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 11mOhms 22nC | на замовлення 2978 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF7805PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF7805PBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF7805PBF - IRF7805 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 9453 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 625 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF7805PBF Код товару: 79757
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SO-8 Напруга сток-витік Uds, В: 30 В Струм стоку Idd, А: 10 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 11 мОм Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: /22 Примітка: - Монтаж: SMD | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||||||
| IRF7805QTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 7A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF7805QTRPBF | Infineon / IR | MOSFET 30V 13A 11 mOhm Automotive MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF7805TR | IR | 0501+ SOP8 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF7805TR-T | IR | 00+ SOP | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF7805TRPBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF7805TRPBF - IRF7805 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 133276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 585 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF7805TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 30V 13A 11mOhm 22nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF7805TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 1900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

