Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 88 110 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRF7759L2TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7759L2TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 160 A, 0.0018 ohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7762TRLPBFRochester Electronics, LLCDescription: HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+77.77 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7769L1TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 1605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
154+229.32 грн
500+217.56 грн
1000+204.62 грн
Мінімальне замовлення: 154 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7769L1TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+202.08 грн
10+201.80 грн
25+201.52 грн
100+193.96 грн
250+179.34 грн
500+171.92 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7769L1TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7769L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 375 A, 3500 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 1576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7769L1TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7769L1TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+448.62 грн
33+429.34 грн
50+412.99 грн
100+384.73 грн
250+345.42 грн
500+322.58 грн
1000+314.69 грн
2500+307.75 грн
5000+301.62 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7769L1TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 100V N-CH 142A 3.5 mOhm 200nC
на замовлення 13070 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7769L1TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 2230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+228.61 грн
68+209.80 грн
100+201.33 грн
200+191.42 грн
500+171.13 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7769L1TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 20A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 74A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11560 pF @ 25 V
на замовлення 14517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+482.61 грн
10+312.59 грн
100+226.40 грн
500+199.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7769L1TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+257.23 грн
100+230.01 грн
500+211.60 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7769L1TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7769L1TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7769L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 375 A, 3500 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 1576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7769L1TRPBF
Код товару: 107945
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7769L1TRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsIRF7769L1TRPBF
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
154+229.32 грн
500+217.56 грн
1000+204.62 грн
10000+185.98 грн
Мінімальне замовлення: 154 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7769L1TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+201.80 грн
71+201.52 грн
100+193.96 грн
250+179.34 грн
500+171.92 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7769L1TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 20A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 74A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11560 pF @ 25 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+180.58 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7769L1TRPBFTRInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7769L2TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 74A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11560 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7769L2TR1PBF транзистори
Код товару: 103126
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7769L2TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11560 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 74A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7769L2TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7769L2TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11560 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 74A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7769L2TRPBFInfineon / IRMOSFET 100V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET L8
на замовлення 2792 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7769L2TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7779L2TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 150V 375A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7779L2TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 150V 375A DIRECTFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7779L2TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 150V 375A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7779L2TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 67A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+410.85 грн
10+373.03 грн
25+368.14 грн
100+275.52 грн
250+228.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7779L2TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 375A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6660 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7779L2TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7779L2TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 67 A, 0.011 ohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 3069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7779L2TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 7.7mOhms 11nC
на замовлення 6082 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7779L2TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 67A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7779L2TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 375A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6660 pF @ 25 V
на замовлення 2765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+427.23 грн
10+276.02 грн
100+199.41 грн
500+186.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7779L2TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7779L2TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 67 A, 0.011 ohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 3069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7780MTRPBFInfineon / IRMOSFET 75V, 89A, DirectFET 5.7mOhm, 124nC Og
на замовлення 2823 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7780MTRPBFInfineon TechnologiesIRF7780MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 75V 89A 10-Pin Direct-FET ME T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7780MTRPBFInfineon
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7780MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 89A DIRECTFET
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 53A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric ME
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6504 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7780MTRPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF7780MTRPBF - IRF7780 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 193 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7780MTRPBFInfineon TechnologiesIRF7780MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 75V 89A 10-Pin Direct-FET ME T/R - Arrow.com
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+280.09 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7780MTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 75V, 89A, DirectFET 5.7mOhm, 124nC Og
на замовлення 1367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7780MTRPBFInfineon TechnologiesIRF7780MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 75V 89A 10-Pin Direct-FET ME T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7780MTRPBFInfineon TechnologiesIRF7780MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 75V 89A 10-Pin Direct-FET ME T/R - Arrow.com
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+261.02 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7799L2TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 250V 375A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7799L2TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 250V 375A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7799L2TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 250V 375A DIRECTFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7799L2TRPBFInfineon / IRMOSFET 250V N-CH HEXFET 38mOhms 110nC
на замовлення 3465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7799L2TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 375A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6714 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7803International RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7803
на замовлення 28500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7803D2IOR
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7805IRSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7805AInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7805AIRSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7805APBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7805ATRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7805ATRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7805ATRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+12.35 грн
62+12.16 грн
63+11.96 грн
100+11.34 грн
250+10.32 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7805ATRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7805ATRPBFIOR
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7805HRInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7805PBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF7805PBF - IRF7805 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 625 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7805PBFInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7805PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7805PBFInfineon TechnologiesMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 11mOhms 22nC
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7805PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC Tube
на замовлення 817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
616+57.35 грн
Мінімальне замовлення: 616 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7805PBF
Код товару: 79757
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 10 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 11 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: /22
Примітка: -
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+22.50 грн
10+19.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7805QTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7805QTRPBFInfineon / IRMOSFET 30V 13A 11 mOhm Automotive MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7805TRIR0501+ SOP8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7805TR-TIR00+ SOP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7805TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 30V 13A 11mOhm 22nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7805TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7805TRPBFInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7805TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7805TRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
575+61.37 грн
1000+56.59 грн
Мінімальне замовлення: 575 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7805TRPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF7805TRPBF - IRF7805 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 133276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 585 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7805TRPBFInternational RectifierDescription: PFET, 30V, 0.011OHM, 1OXIDE SEMI
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
414+49.81 грн
Мінімальне замовлення: 414 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7805ZIR07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7805Z-TR-PBFIR7
на замовлення 2005 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7805ZGPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7805ZGTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 16A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7805ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 16A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7805ZPBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 6.8mOhms 18nC
на замовлення 1101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7805ZTRIR06+
на замовлення 673 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7805ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
641+55.12 грн
1000+50.84 грн
Мінімальне замовлення: 641 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7805ZTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 30V 16A 6.8mOhm 18nC
на замовлення 3694 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7805ZTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7805ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0055 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7805ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 9113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+85.58 грн
12+66.48 грн
25+58.95 грн
100+50.91 грн
500+44.38 грн
1000+39.36 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7805ZTRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7805ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 9113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
427+33.10 грн
Мінімальне замовлення: 427 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7805ZTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7805ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0055 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 83 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7805ZTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 16A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7805ZTRPBF-1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 16A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7805ZTRPBFXTMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7805ZTRPBFXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7805ZTRPBFXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SO T/R
на замовлення 4545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
639+55.26 грн
1000+50.95 грн
Мінімальне замовлення: 639 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807IRSO-8
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 88 110 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]