Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRF7821TRPBF-1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7821TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7821TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+36.90 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7821TRPBFXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRF7821TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13.6 A, 0.007 ohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+51.32 грн
500+40.47 грн
1000+31.70 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7821TRPBFXTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13.6A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13.6A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7821TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7821TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7821TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs Y
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7821TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+36.69 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7821TRPBFXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRF7821TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13.6 A, 0.007 ohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+80.90 грн
13+65.99 грн
100+51.32 грн
500+40.47 грн
1000+31.70 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7821UTRPBFIRSOP8 0701+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7822Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7822
Код товару: 27356
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,005 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5500/44
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+38.00 грн
10+34.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7822IRSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7822HRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7822PBFInfineon TechnologiesMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 6.5mOhms 44nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7822PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальный ПТ (Vds=30V, Id=18A, 6.5 mOhms @ 15A, 10V, P=3.1W, 5500pF @ 16V, -55 to +155C).... Транзистори Корпус: SO-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 95 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7822PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Part Status: Obsolete
Packaging: Tube
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7822PBFInternational RectifierSO8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7822TRIR03+
на замовлення 4310 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7822TRInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7822TRHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7822TRLInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7822TRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7822TRLPBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7822TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 18A 6.5mOhm 44nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7822TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7822TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7822TRPBF-1Infineon / IRInfineon SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7822TRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7822TRRInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7822TRRPBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7823IOR09+
на замовлення 729 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7823TRPBFIOR
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7828Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7828IR07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7828HRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7828PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13.6A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 10A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7828PBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12.5mOhms 9.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7828TRHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7828TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 13.6A 12.5mOhm 9.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7828TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7828TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7831IR07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7831PBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF7831PBF - IRF7831 - HEXFET POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 81 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7831PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7831PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 3.6mOhms 40nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7831TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7831TRPBFInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7831TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 9287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
651+54.48 грн
1000+51.45 грн
Мінімальне замовлення: 651 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7831TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7831TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 30V 21A 3.6mOhm 40nC
на замовлення 923 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+114.87 грн
10+82.71 грн
100+49.37 грн
500+39.03 грн
1000+35.75 грн
2000+32.96 грн
4000+31.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7831TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7831TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+44.39 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7831TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7831TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 3600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+95.31 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7831TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7831TRPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 21 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 6240 @ 15, Qg, нКл = 60 @ 4,5 В, Rds = 3,6 мОм @ 20 A, 10 В, Ugs(th) = 2,35 @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
4000+112.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7831TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+44.14 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7831TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
323+43.94 грн
325+43.71 грн
Мінімальне замовлення: 323 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7831TRPBF
Код товару: 29859
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7831TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7831TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 3600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+149.90 грн
50+95.31 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832
Код товару: 30575
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,004 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4310/34
Монтаж: SMD
у наявності: 40 шт
  • 40 шт - склад
1+23.00 грн
10+20.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832HRInternational RectifierTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+129.46 грн
25+116.24 грн
100+67.10 грн
500+56.50 грн
1000+41.51 грн
2500+38.31 грн
5000+36.94 грн
10000+35.64 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 20 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4310 @ 15, Qg, нКл = 51 @ 4,5 В, Rds = 4 мОм @ 20 A, 10 В, Ugs(th) = 2,32 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+155, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3800 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3800+22.74 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 20A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.32V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832PBFInfineon TechnologiesMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 4mOhms 34nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.32V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,8mOhm; 20A; 2,5W; -55°C ~ 155°C; IRF7832 smd TIRF7832
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+38.89 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRIR0539+ SOP-8
на замовлення 67810 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBFInternational RectifierSO8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+31.90 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF
Код товару: 30646
1 Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 16 A
Rds(on), Ohm: 4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4310/34
Монтаж: SMD
у наявності: 10 шт
  • 10 шт - склад
1+28.00 грн
10+25.20 грн
100+22.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
602+58.92 грн
1000+54.34 грн
Мінімальне замовлення: 602 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+52.07 грн
1000+48.12 грн
2000+45.44 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7832TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 4000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.32V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
на замовлення 4801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+109.98 грн
12+72.18 грн
100+49.53 грн
500+36.16 грн
1000+30.86 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
247+57.47 грн
250+56.90 грн
295+48.19 грн
298+46.00 грн
500+31.31 грн
Мінімальне замовлення: 247 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+51.90 грн
1000+47.97 грн
2000+45.29 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+31.90 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 30V 20A 4mOhm 34nC
на замовлення 10710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+123.01 грн
10+78.70 грн
100+46.09 грн
500+36.24 грн
1000+33.52 грн
2000+30.58 грн
4000+28.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+67.01 грн
14+57.47 грн
25+56.90 грн
100+46.46 грн
250+42.59 грн
500+30.06 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
602+58.92 грн
1000+54.34 грн
Мінімальне замовлення: 602 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 20A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.32V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 15 V
на замовлення 16953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.19 грн
10+86.92 грн
100+58.18 грн
500+43.04 грн
1000+39.32 грн
2000+36.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+40.46 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 20 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4310 @ 15, Qg, нКл = 51 @ 4,5 В, Rds = 4 мОм @ 20 A, 10 В, Ugs(th) = 2,32 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+155, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
на замовлення 363 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
4000+28.22 грн
Мінімальне замовлення: 363 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
132+107.91 грн
138+103.08 грн
250+98.95 грн
500+91.97 грн
1000+82.38 грн
2500+76.75 грн
Мінімальне замовлення: 132 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 6235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
111+128.23 грн
166+85.81 грн
500+67.59 грн
1000+59.52 грн
2000+50.72 грн
4000+45.13 грн
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7832TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 4000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.32V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
на замовлення 4801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.53 грн
500+36.16 грн
1000+30.86 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3388 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+105.00 грн
10+66.48 грн
100+45.30 грн
250+40.34 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
602+58.92 грн
1000+54.34 грн
Мінімальне замовлення: 602 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 20A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.32V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 15 V
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+37.13 грн
8000+33.40 грн
12000+32.20 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+40.33 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF-1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
358+99.00 грн
500+89.10 грн
1000+82.17 грн
Мінімальне замовлення: 358 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832UTRPBFIR
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832ZInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3860 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832ZIOR09+
на замовлення 12963 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832ZPBFIOR09+
на замовлення 158 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832ZTRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3860 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832ZTRPBFIRSOP8
на замовлення 86200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]