Продукція > DS1
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DS1230W-100 | Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 256KBIT 100NS 28EDIP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230W-100+ | Analog Devices / Maxim Integrated | NVRAM 3.3V 256k Nonvolatile SRAM | на замовлення 22 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230W-100+ | Maxim | MOD/CIVIL/3.3V 256K NONVOLATILE SRAM DS1230 кількість в упаковці: 12 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230W-100+ | Analog Devices, Inc. | NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 3.3V 28-Pin EDIP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230W-100+ | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 32K x 8 Access Time: 100 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 100ns Part Status: Active Supplier Device Package: 28-EDIP Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 256Kbit Mounting Type: Through Hole Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230W-100IND | DALLAS | 09+ SOP | на замовлення 770 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230W-100IND | Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 256KBIT 100NS 28EDIP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230W-100IND+ | Analog Devices / Maxim Integrated | NVRAM 3.3V 256k Nonvolatile SRAM | на замовлення 21 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230W-100IND+ | Analog Devices, Inc. | NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 3.3V 28-Pin EDIP Tube | на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DS1230W-100IND+ | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP Access Time: 100 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 100ns Part Status: Active Supplier Device Package: 28-EDIP Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 256Kbit Mounting Type: Through Hole Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Packaging: Tube DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 32K x 8 | на замовлення 264 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DS1230W-100IND+ | Analog Devices, Inc. | NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 3.3V 28-Pin EDIP Tube | на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DS1230W-100IND+ | MAXIM INTEGRATED / ANALOG DEVICES | Description: MAXIM INTEGRATED / ANALOG DEVICES - DS1230W-100IND+ - NVRAM IC MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230W-150 | DALLAS | 01+ DIP | на замовлення 176 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230W-150 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 256Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Part Status: Obsolete Write Cycle Time - Word, Page: 150ns Memory Interface: Parallel Access Time: 150 ns Memory Organization: 32K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230W-150+ | MAXIM INTEGRATED / ANALOG DEVICES | Description: MAXIM INTEGRATED / ANALOG DEVICES - DS1230W-150+ - NVRAM IC MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230W-150+ | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 32K x 8 Access Time: 150 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 150ns Part Status: Active Supplier Device Package: 28-EDIP Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 256Kbit Mounting Type: Through Hole Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Packaging: Tube | на замовлення 65 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DS1230W-150+ | Maxim | 256K Nonvolatile SRAM DS1230W DLSDS1230W150 кількість в упаковці: 12 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230W-150+ | Analog Devices / Maxim Integrated | NVRAM 3.3V 256k Nonvolatile SRAM | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230W-150+ | Analog Devices, Inc. | NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 3.3V 28-Pin EDIP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230WP-100+ | Maxim | PWRCP 34/C°/3.3V 256K NONVOLATILE SRAM DS1230PWRCP кількість в упаковці: 40 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230WP-100+ | Analog Devices / Maxim Integrated | NVRAM 3.3V 256k Nonvolatile SRAM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230WP-100+ | Analog Devices, Inc. | NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 3.3V 34-Pin PowerCap Module Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230WP-100+ | MAXIM INTEGRATED / ANALOG DEVICES | Description: MAXIM INTEGRATED / ANALOG DEVICES - DS1230WP-100+ - NVRAM IC MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230WP-100+ | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 256Kbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 34-PowerCap™ Module Packaging: Tube DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 32K x 8 Access Time: 100 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 100ns Part Status: Active Supplier Device Package: 34-PowerCap Module Memory Format: NVSRAM | на замовлення 440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DS1230WP-100IND | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP Packaging: Bulk Package / Case: 34-PowerCap™ Module Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 256Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 34-PowerCap Module Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 100ns Memory Interface: Parallel Access Time: 100 ns Memory Organization: 32K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230WP-100IND+ | Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 256KBIT 100NS 34PCM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230WP-150 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP Packaging: Tube Package / Case: 34-PowerCap™ Module Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 256Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 34-PowerCap Module Part Status: Obsolete Write Cycle Time - Word, Page: 150ns Memory Interface: Parallel Access Time: 150 ns Memory Organization: 32K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230WP-150+ | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 32K x 8 Access Time: 150 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 150ns Part Status: Active Supplier Device Package: 34-PowerCap Module Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 256Kbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 34-PowerCap™ Module Packaging: Tube | на замовлення 840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DS1230WP-150+ | MAXIM INTEGRATED / ANALOG DEVICES | Description: MAXIM INTEGRATED / ANALOG DEVICES - DS1230WP-150+ - NVRAM IC MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230WP-150+ | Maxim | PWRCP/CIVIL/3.3V 256K NONVOLATILE SRAM DS1230 кількість в упаковці: 40 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230WP-150+ | Analog Devices / Maxim Integrated | NVRAM 3.3V 256k Nonvolatile SRAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230WP-150+ | Analog Devices, Inc. | NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 3.3V 34-Pin PowerCap Module Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230Y | DALLAS | 0545+ | на замовлення 85 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230Y-100 | Analog Devices / Maxim Integrated | NVRAM 256k Nonvolatile SRAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230Y-100 | Maxim Integrated | SRAM 256 Kb 5 V +-10% 100 нсек расческа 28 PIN Мікросхеми пам'яті | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230Y-100 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 32K x 8 Access Time: 100 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 100ns Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 28-EDIP Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 256Kbit Mounting Type: Through Hole Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230Y-100 | DALLAS | DIP | на замовлення 19224 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230Y-100+ | Analog Devices, Inc. | NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230Y-100+ | Maxim | 256K Nonvolatile SRAM DS1230 кількість в упаковці: 12 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230Y-100+ Код товару: 30908
Додати до обраних
Обраний товар
| DS | Мікросхеми > Пам'ять | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230Y-100+ | Analog Devices, Inc. | NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230Y-100+ | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 256Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 100ns Memory Interface: Parallel Access Time: 100 ns Memory Organization: 32K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 1073 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DS1230Y-100+ | Analog Devices, Inc. | NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230Y-100+ | Maxim Integrated | SRAM 256 Kb 5 V +-10% 100 нсек расческа 28 PIN Мікросхеми пам'яті | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230Y-100+ | ANALOG DEVICES | Description: ANALOG DEVICES - DS1230Y-100+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, Parallel, 100 ns, DIP tariffCode: 85423245 euEccn: NLR Bauform - Speicherbaustein: DIP rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: - Zugriffszeit: 100ns Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit IC-Schnittstelle: Parallel Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 28Pin(s) Speichergröße: 256Kbit Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicher: SRAM | на замовлення 498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DS1230Y-100+ | Analog Devices / Maxim Integrated | NVRAM 256k Nonvolatile SRAM | на замовлення 186 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230Y-100IND | DALLAS | DIP-28 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230Y-100IND+ | DALLAS | 09+ | на замовлення 384 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230Y-120 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 32K x 8 Access Time: 120 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 120ns Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 28-EDIP Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 256Kbit Mounting Type: Through Hole Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230Y-120 | DALLAS | DIP | на замовлення 1113 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230Y-120 | Analog Devices / Maxim Integrated | NVRAM 256k Nonvolatile SRAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230Y-120+ | Analog Devices, Inc. | NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230Y-120+ | Analog Devices (MAXIM INTEGRATED) | Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 256bSRAM; 32kx8bit; 4.5÷5.5V; 120ns; DIP28 Mounting: THT Case: DIP28 Operating voltage: 4.5...5.5V Kind of memory: NV SRAM Kind of interface: parallel Access time: 120ns Memory: 256b SRAM Memory organisation: 32kx8bit Type of integrated circuit: SRAM memory | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230Y-120+ | Maxim | 256K Nonvolatile SRAM DS1230 кількість в упаковці: 12 шт | на замовлення 161 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230Y-120+ | Analog Devices / Maxim Integrated | NVRAM 256k Nonvolatile SRAM | на замовлення 619 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230Y-120+ | Analog Devices, Inc. | NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230Y-120+ | Analog Devices, Inc. | NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230Y-120+ | ANALOG DEVICES | Description: ANALOG DEVICES - DS1230Y-120+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, 120 ns, EDIP tariffCode: 85423245 euEccn: NLR Bauform - Speicherbaustein: EDIP rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Zugriffszeit: 120ns Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 28Pin(s) Speichergröße: 256Kbit Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicher: SRAM | на замовлення 139 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DS1230Y-120+ | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 256Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 120ns Memory Interface: Parallel Access Time: 120 ns Memory Organization: 32K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 441 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DS1230Y-120+ | Analog Devices, Inc. | NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230Y-120IND | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 32K x 8 Access Time: 120 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 120ns Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 28-EDIP Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 256Kbit Mounting Type: Through Hole Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230Y-120IND | DALLAS | DIP-28 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230Y-120IND | Analog Devices / Maxim Integrated | NVRAM 256k Nonvolatile SRAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230Y-120IND Код товару: 176779
Додати до обраних
Обраний товар
| Мікросхеми > Пам'ять | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| DS1230Y-120IND+ | ANALOG DEVICES | Description: ANALOG DEVICES - DS1230Y-120IND+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, 120 ns, EDIP tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: EDIP rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Zugriffszeit: 120ns Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Speichergröße: 256Kbit Anzahl der Pins: 28Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicher: SRAM SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026) | на замовлення 76 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DS1230Y-120IND+ | Maxim | 256K Nonvolatile SRAM DS1230 DLSDS1230Y120IND кількість в упаковці: 12 шт | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230Y-120IND+ | Analog Devices / Maxim Integrated | NVRAM 256k Nonvolatile SRAM | на замовлення 22 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230Y-120IND+ | Analog Devices, Inc. | NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230Y-120IND+ | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 256Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 120ns Memory Interface: Parallel Access Time: 120 ns Memory Organization: 32K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 86 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DS1230Y-120IND+ | Maxim Integrated | NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP Мікросхеми пам'яті | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230Y-150 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 256Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Part Status: Obsolete Write Cycle Time - Word, Page: 150ns Memory Interface: Parallel Access Time: 150 ns Memory Organization: 32K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230Y-150 | DALLAS | DIP-28 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230Y-150 Код товару: 49317
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| DS1230Y-150 | Analog Devices / Maxim Integrated | NVRAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230Y-150+ | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 256Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 150ns Memory Interface: Parallel Access Time: 150 ns Memory Organization: 32K x 8 DigiKey Programmable: Verified | на замовлення 351 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DS1230Y-150+ | Maxim | 256K Nonvolatile SRAM DS1230 кількість в упаковці: 12 шт | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230Y-150+ | Analog Devices, Inc. | NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230Y-150+ | Analog Devices / Maxim Integrated | NVRAM 256k Nonvolatile SRAM | на замовлення 420 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230Y-150+ | ANALOG DEVICES | Description: ANALOG DEVICES - DS1230Y-150+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, 150 ns, EDIP tariffCode: 85423245 euEccn: NLR Bauform - Speicherbaustein: EDIP rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Zugriffszeit: 150ns Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 28Pin(s) Speichergröße: 256Kbit Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicher: SRAM | на замовлення 111 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DS1230Y-150+ | Maxim Integrated | Мікросхеми пам'яті | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230Y-150+ | на замовлення 1080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DS1230Y-150IND | DALLAS | DIP-28 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230Y-200 | Analog Devices / Maxim Integrated | NVRAM 256k Nonvolatile SRAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230Y-200 | DALLAS | DIP-28 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230Y-200 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 32K x 8 Access Time: 200 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 200ns Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 28-EDIP Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 256Kbit Mounting Type: Through Hole Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230Y-200+ | Maxim | 256K Nonvolatile SRAM DS1230 кількість в упаковці: 12 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230Y-200+ Код товару: 211347
Додати до обраних
Обраний товар
| Мікросхеми > Інші мікросхеми | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| DS1230Y-200+ | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 256Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 200ns Memory Interface: Parallel Access Time: 200 ns Memory Organization: 32K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 203 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DS1230Y-200+ | ANALOG DEVICES | Description: ANALOG DEVICES - DS1230Y-200+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, 200 ns, EDIP tariffCode: 85423245 euEccn: NLR Bauform - Speicherbaustein: EDIP rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Zugriffszeit: 200ns Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 28Pin(s) Speichergröße: 256Kbit Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicher: SRAM | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DS1230Y-200+ | Analog Devices / Maxim Integrated | NVRAM 256k Nonvolatile SRAM | на замовлення 142 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230Y-200+ | Analog Devices, Inc. | NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230Y-200IND | Analog Devices / Maxim Integrated | NVRAM 256k Nonvolatile SRAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230Y-200IND | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 32K x 8 Access Time: 200 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 200ns Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 28-EDIP Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 256Kbit Mounting Type: Through Hole Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230Y-200IND | DALLAS | DIP-28 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230Y-200IND | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 256Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Part Status: Obsolete Write Cycle Time - Word, Page: 200ns Memory Interface: Parallel Access Time: 200 ns Memory Organization: 32K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 373 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DS1230Y-200IND+ | Maxim | MOD 28/I°/256K NONVOLATILE SRAM DS1230MOD кількість в упаковці: 12 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230Y-200IND+ | Analog Devices, Inc. | NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230Y-200IND+ | ANALOG DEVICES | Description: ANALOG DEVICES - DS1230Y-200IND+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, 200 ns, EDIP tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: EDIP rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Zugriffszeit: 200ns Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Speichergröße: 256Kbit Anzahl der Pins: 28Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicher: SRAM SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026) | на замовлення 201 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DS1230Y-200IND+ | Analog Devices / Maxim Integrated | NVRAM 256k Nonvolatile SRAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230Y-200IND+ | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 256Kbit Mounting Type: Through Hole Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Packaging: Tube DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 32K x 8 Access Time: 200 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 200ns Part Status: Active Supplier Device Package: 28-EDIP Memory Format: NVSRAM | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

