Продукція > BFR
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BFR505 T/R | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors TAPE7 TNS-RFSS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFR505,215 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 15V 0.018A 150mW 3-Pin TO-236AB T/R | на замовлення 6178 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFR505,215 | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 175°C (TJ) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 18mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 6V Frequency - Transition: 9GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2.1dB @ 900MHz Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFR505,215 | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFR505,215 | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN 15V 9GHZ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFR505/C,215 | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFR505215 | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT-23 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 175°C (TJ) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 18mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 6V Frequency - Transition: 9GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2.1dB @ 900MHz Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFR505215 | NXP | Description: NXP - BFR505215 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 euEccn: NLR hazardous: false rohsCompliant: YES productTraceability: No rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 14177 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2289 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFR505T | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors NPN 9 GHz wideband transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFR505T | PHILIPS | SOT423 | на замовлення 846000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFR505T T/R | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors TAPE-7 TNS-RFSS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFR505T,115 | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFR505T,115 | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 15V 9GHZ SC-75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 18mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 6V Frequency - Transition: 9GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2.1dB @ 900MHz Supplier Device Package: SC-75 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFR505T,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 15V 0.018A 150mW 3-Pin SC-75 T/R | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFR505T,115 | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors TAPE-7 TNS-RFSS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFR505T115 | NXP USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFR505TSOT416-NOPB-FREE | PHILIPS | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BFR520 | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN 9 GHz wideband transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFR520 | SLKOR | 1.1dB 16dB SOT-23 RF Amplifiers Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFR520 | NXP | Description: NXP - BFR520 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 15 V, 9 GHz, 300 mW, 70 mA, SOT-23 Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 120 Verlustleistung Pd: 300 Übergangsfrequenz ft: 9 Bauform - HF-Transistor: SOT-23 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 15 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 70 Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFR520 | NXP | Description: NXP - BFR520 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 15 V, 9 GHz, 300 mW, 70 mA, SOT-23 Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 120 Verlustleistung Pd: 300 Übergangsfrequenz ft: 9 Bauform - HF-Transistor: SOT-23 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 15 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 70 Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFR520 T/R | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFR520 T/R | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors TAPE7 TNS-RFSS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFR520,215 | NXP | Description: NXP - BFR520,215 - RF WIDEBAND TRANSISTOR, NPN, 15V, 9GHZ, Transistormontage: Surface Mount DC-Stromverstärkung hFE: 120 Verlustleistung Pd: 300 Übergangsfrequenz ft: 9 Bauform - HF-Transistor: SOT-23 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 15 Anzahl der Pins: 3 Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 70 Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: To Be Advised | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFR520,215 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFR520,215 | NXP | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFR520,215 | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 175°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 70mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 6V Frequency - Transition: 9GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFR520,215 | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN 70MA 15V 9GHZ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFR520,235 | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors Single NPN 15V 70mA 300mW 60 9GHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFR520,235 | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 175°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 70mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 6V Frequency - Transition: 9GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFR520-32W | ROHM | 09+ | на замовлення 26018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFR520-F1B | 09+ | на замовлення 14018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BFR520/C,215 | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFR520T | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors NPN 9 GHz wideband transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFR520T T/R | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors TAPE-7 TNS-RFSS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFR520T,115 | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 15V 9GHZ SC-75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 70mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 6V Frequency - Transition: 9GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz Supplier Device Package: SC-75 Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFR520T,115 | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFR520T,115 | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN 20V 70mA 9GHZ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFR520TT/R | onsemi | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFR53 | Philips | N/A | на замовлення 567 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFR53T/R | Philips | SOT-23 10+ | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFR540 | NXP Semiconductors | NPN 9 GHz wideband transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFR540 Код товару: 30091
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > ВЧ Корпус: SOT-23 Частота, fT: 9 ГГц Тип: NPN Напруга колектор-емітер Uce, В: 15 В Напруга колектор-база Ucb, В: 20 В Струм колектора Ic, А: 0,12 А | товару немає в наявності
|
| |||||||||||||||
| BFR540 | NXP/PHILIPS | 07+ SOT-23 | на замовлення 84061 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFR540 T/R | onsemi / Fairchild | RF Bipolar Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFR540 T/R | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors TAPE7 TNS-RFSS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFR540,215 | NXP | Description: NXP - BFR540,215 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 15 V, 9 GHz, 500 mW, 120 mA, SOT-23 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 120mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 9GHz Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 337589 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFR540,215 | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 175°C (TJ) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 120mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 40mA, 8V Frequency - Transition: 9GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFR540,215 | NXP | NPN 120MA 15V 9GHZ SOT23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFR540,215 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 15V 0.12A 500mW 3-Pin TO-236AB T/R | на замовлення 133892 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFR540,215 | onsemi / Fairchild | RF Bipolar Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFR540,215 | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 175°C (TJ) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 120mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 40mA, 8V Frequency - Transition: 9GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFR540,215 | NXP | Description: NXP - BFR540,215 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 15 V, 9 GHz, 500 mW, 120 mA, SOT-23 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 120mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 9GHz Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 337589 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFR540,215 | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN 120MA 15V 9GHZ | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFR540,235 | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors Single NPN 15V 120mA 500mW 100 9GHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFR540,235 | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 175°C (TJ) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 120mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 40mA, 8V Frequency - Transition: 9GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFR56 | на замовлення 689 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BFR57 | на замовлення 667 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BFR58 | на замовлення 557 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BFR59 | на замовлення 625 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BFR720L3RHE6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS RF NPN 4V 20MA TSLP-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFR720L3RHE6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS RF NPN 4V 20MA TSLP-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFR720L3RHE6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS RF NPN 4V 20MA TSLP-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFR740EL3E6829XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 42GHZ PG-TSLP-3-10 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 11dB Power - Max: 160mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V Frequency - Transition: 42GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.5dB @ 12GHz Supplier Device Package: PG-TSLP-3-10 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFR740EL3E6829XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.04A 160mW 3-Pin TSLP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 464292 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFR740EL3E6829XTSA1 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFR740EL3E6829XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.04A 160mW 3-Pin TSLP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFR740L3RH | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFR740L3RH | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFR740L3RHE6327 | Infineon technologies | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BFR740L3RHE6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.04A 160mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TSLP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFR740L3RHE6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.04A 160mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TSLP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFR740L3RHE6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFR740L3RHE6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 47 GHz, 160 mW, 40 mA, TSLP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 160mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSLP Dauerkollektorstrom: 40mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 47GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFR740L3RHE6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.04A 160mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TSLP T/R | на замовлення 390000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFR740L3RHE6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.04A 160mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TSLP T/R | на замовлення 932 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFR740L3RHE6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ TSLP-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 24.5dB Power - Max: 160mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V Frequency - Transition: 42GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6Ghz Supplier Device Package: PG-TSLP-3 Part Status: Active | на замовлення 6524 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFR740L3RHE6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.04A 160mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TSLP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFR740L3RHE6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.04A 160mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TSLP T/R | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFR740L3RHE6327XTSA1 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors NPN Silicn Germanium RF Transistor | на замовлення 6586 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFR740L3RHE6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.04A 160mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TSLP T/R | на замовлення 27928 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFR740L3RHE6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.04A 160mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TSLP T/R | на замовлення 29830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFR740L3RHE6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ TSLP-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 24.5dB Power - Max: 160mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V Frequency - Transition: 42GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6Ghz Supplier Device Package: PG-TSLP-3 Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFR740L3RHE6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFR740L3RHE6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 47 GHz, 160 mW, 40 mA, TSLP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 160mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSLP Dauerkollektorstrom: 40mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 47GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 19 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFR740L3RHE6327XTSA1 | Infineon | BFR740L3RHE6327XTSA1 RF Transistor NPN 4.7V 30mA 42GHz 160mW Surface Mount PG-TSLP-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFR740L3RHE6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.04A 160mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TSLP T/R | на замовлення 44750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFR740L3RHE6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.04A 160mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TSLP T/R | на замовлення 27928 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFR750L3RH | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFR750L3RH | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFR750L3RHE6327 | Infineon | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFR750L3RHE6327 | Infineon Technologies | Description: RF BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 21dB Power - Max: 360mW Current - Collector (Ic) (Max): 90mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 60mA, 3V Frequency - Transition: 37GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 1.1dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: PG-TSLP-3 Part Status: Active | на замовлення 36420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFR750L3RHE6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.7V 37GHZ TSLP-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 21dB Power - Max: 360mW Current - Collector (Ic) (Max): 90mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 60mA, 3V Frequency - Transition: 37GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 1.1dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: PG-TSLP-3 Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFR750L3RHE6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.7V 37GHZ TSLP-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 21dB Power - Max: 360mW Current - Collector (Ic) (Max): 90mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 60mA, 3V Frequency - Transition: 37GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 1.1dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: PG-TSLP-3 Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFR77 | PH | CAN | на замовлення 397 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFR78 | PH | CAN | на замовлення 468 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFR84 | PHILIPS | на замовлення 8850 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BFR840L3RHESDBOARDTOBO1 | Infineon Technologies | RF Development Tools | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFR840L3RHESDE6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFR840L3RHESDE6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.25 V, 75 GHz, 75 mW, 35 mA, TSLP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 75mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSLP Dauerkollektorstrom: 35mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 75GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 10405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFR840L3RHESDE6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.25V 0.035A 75mW Automotive 3-Pin TSLP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFR840L3RHESDE6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.25V 0.035A 75mW Automotive 3-Pin TSLP T/R | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFR840L3RHESDE6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 2.6V 75GHZ TSLP-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 27dB Power - Max: 75mW Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.6V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 1.8V Frequency - Transition: 75GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB @ 450MHz Supplier Device Package: PG-TSLP-3 Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. |

