Продукція > EPC

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
EPC2218AEPCGaN FETs EPC eGaN FET,80 V, 3.2 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 1.95
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2219EPCDescription: TRANS GAN 65V AECQ101 3.3OHM DIE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 32.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.064 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 59mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.11 грн
10+79.78 грн
100+62.09 грн
500+49.39 грн
1000+40.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2219EPCDescription: TRANS GAN 65V AECQ101 3.3OHM DIE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 32.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.064 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 59mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.91 грн
5000+38.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2221EPCGaN FETs EPC AEC eGaN Dual FET,100 V, 58 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2221EPCDescription: GANFET 2N-CH 100V 5A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 4109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+248.47 грн
10+156.47 грн
100+109.20 грн
500+83.49 грн
1000+77.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2221EPCDescription: GANFET 2N-CH 100V 5A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+80.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2234EPCGaN FETs EPC eGaN FET,160 V, 8 milliohm at 5 V, BGA 4.6 x 2.6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2234EPCDescription: TRANS GAN AEC 160V .008OHM 24BGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: 24-BGA (4.6x2.6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +5.5V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 160 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1386 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+435.38 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2234EPCDescription: TRANS GAN AEC 160V .008OHM 24BGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 24-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: 24-BGA (4.6x2.6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +5.5V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 160 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1386 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+938.23 грн
10+630.70 грн
50+514.01 грн
100+481.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2252EPCDescription: TRANSGAN 80V.011OHM AECQ101 9BGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: Die
Grade: Automotive
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 576 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+56.43 грн
7500+49.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2252EPCGaN FETs eGaN FET, 80V, 11milliohm at 5 V, 1.5 x 1.5mm BGA
на замовлення 11476 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2252EPCDescription: TRANSGAN 80V.011OHM AECQ101 9BGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: Die
Grade: Automotive
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 576 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 47760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.68 грн
10+117.97 грн
50+89.91 грн
100+75.87 грн
500+60.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2302EPCDescription: TRANS GAN 100V DIE .0018OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 50A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 14mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 85599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+623.13 грн
10+408.04 грн
50+325.84 грн
100+280.98 грн
500+276.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2302EPCGaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 1.8 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
на замовлення 1097 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2302EPCDescription: TRANS GAN 100V DIE .0018OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 50A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 14mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+251.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2302ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 100V DIE .0018OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 50A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 14mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2304EPCDescription: TRANS GAN 200V .005OHM 7QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 32A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 8mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3195 pF @ 100 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+253.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2304EPCGaN FETs EPC eGaN FET, 200 V, 5 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm FCQFN
на замовлення 8954 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2304EPCDescription: TRANS GAN 200V .005OHM 7QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 32A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 8mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3195 pF @ 100 V
на замовлення 35297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+621.57 грн
10+408.04 грн
100+300.43 грн
500+280.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2304ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 200V .005OHM 3X5PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3195 pF @ 100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 32A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 8mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2304ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 200V .005OHM 3X5PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3195 pF @ 100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 32A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 8mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2305EPCDescription: TRANS GAN 150V .0022OHM 3X5 7QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 11mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4165 pF @ 75 V
на замовлення 21773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+603.54 грн
10+396.04 грн
50+316.63 грн
100+273.18 грн
500+270.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2305EPCGaN FETs EPC eGaN FET,150 V, 2.2 milliohm typ at 5 V, QFN 3 x 5mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2305EPCDescription: TRANS GAN 150V .0022OHM 3X5 7QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 11mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4165 pF @ 75 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+244.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2305ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 150V .003OHM 3X5MM QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 11mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4165 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2305ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 150V .003OHM 3X5MM QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 11mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4165 pF @ 75 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2306EPCGaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 3.1 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
на замовлення 14025 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2306EPCDescription: TRANS GAN 100V .0038OHM 3X5PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2366 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2306EPCDescription: TRANS GAN 100V .0038OHM 3X5PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2366 pF @ 50 V
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+373.88 грн
10+238.81 грн
50+187.01 грн
100+159.85 грн
500+142.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC23068 S R6PAIntelCONFIG IC EPC23068 TQFP32 SR6PA IND TRAY 1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2306ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 100V .0038OHM3X5MM QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2366 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2306ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 100V .0038OHM3X5MM QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2366 pF @ 50 V
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+433.45 грн
10+280.33 грн
100+203.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2307EPCDescription: TRANS GAN 200V .010OHM 7QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1401 pF @ 100 V
на замовлення 633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+373.88 грн
10+238.81 грн
50+187.01 грн
100+159.85 грн
500+142.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2307EPCDescription: TRANS GAN 200V .010OHM 7QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1401 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2307EPCGaN FETs EPC eGaN FET,200 V, 10 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
на замовлення 3887 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2307ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 200V .010OHM 7QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1401 pF @ 100 V
на замовлення 17984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+531.43 грн
10+346.82 грн
100+253.38 грн
500+230.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2307ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 200V .010OHM 7QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1401 pF @ 100 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+208.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2308EPCGaN FETs EPC eGaN FET,150 V, 6 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
на замовлення 5541 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2308EPCDescription: TRANS GAN 150V .006OHM 7QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2103 pF @ 75 V
на замовлення 2528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+382.50 грн
10+245.00 грн
50+192.05 грн
100+164.23 грн
500+146.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2308EPCDescription: TRANS GAN 150V .006OHM 7QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2103 pF @ 75 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2308ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 150V .006OHM 3X5PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2103 pF @ 75 V
на замовлення 44080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+479.69 грн
10+310.90 грн
50+246.11 грн
100+211.39 грн
500+199.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2308ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 150V .006OHM 3X5PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2103 pF @ 75 V
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+179.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC23101ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 100V EPOWER STAGE
Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 3.3mOhm
Applications: General Purpose
Current - Output / Channel: 65A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 14-QFN (3.5x5)
Fault Protection: ESD, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+331.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC23101ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 100V EPOWER STAGE
Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 3.3mOhm
Applications: General Purpose
Current - Output / Channel: 65A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 14-QFN (3.5x5)
Fault Protection: ESD, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive
на замовлення 4316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+575.32 грн
10+429.40 грн
25+398.19 грн
100+341.52 грн
250+333.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC23102EPCDescription: IC HALF BRIDGE DRIVER 35A 13WQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Bootstrap Circuit
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 6.6mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 35A
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+339.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC23102EPCGate Drivers Integrated Circuits 100 V ePower stage in FCQFN
на замовлення 1318 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC23102EPCDescription: IC HALF BRIDGE DRIVER 35A 13WQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Bootstrap Circuit
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 6.6mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 35A
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive
на замовлення 7414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+587.08 грн
10+438.53 грн
25+406.77 грн
100+348.96 грн
250+341.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC23102ENGRTEPCDescription: IC HALF BRIDGE DRIVER 35A 13WQFN
Features: Bootstrap Circuit
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic, PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Rds On (Typ): 5.2mOhm LS, 5.2mOhm HS
Applications: AC Motors, DC Motors, DC-DC Converters, General Purpose
Current - Output / Channel: 35A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Fault Protection: Current Limiting, ESD, Over Voltage, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC23102ENGRTEPCDescription: IC HALF BRIDGE DRIVER 35A 13WQFN
Features: Bootstrap Circuit
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic, PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Rds On (Typ): 5.2mOhm LS, 5.2mOhm HS
Applications: AC Motors, DC Motors, DC-DC Converters, General Purpose
Current - Output / Channel: 35A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Fault Protection: Current Limiting, ESD, Over Voltage, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC23103ENGRTEPCDescription: IC GAN EPOWER STAGE 100V 20A
Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 7.6mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 25A
Current - Peak Output: 109A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Fault Protection: ESD, Over Voltage, Short Circuit
Load Type: Capacitive and Resistive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC23103ENGRTEPCDescription: IC GAN EPOWER STAGE 100V 20A
Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 7.6mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 25A
Current - Peak Output: 109A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Fault Protection: ESD, Over Voltage, Short Circuit
Load Type: Capacitive and Resistive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC23104EPCDescription: IC GAN EPWR STAGE 100V 10A 13QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 7.6mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 15A
Current - Peak Output: 78A
Technology: NMOS
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Fault Protection: ESD, Over Voltage, Short Circuit
Load Type: Capacitive and Resistive
на замовлення 2365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+345.66 грн
10+253.38 грн
25+233.53 грн
100+198.68 грн
250+189.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC23104EPCDescription: IC GAN EPWR STAGE 100V 10A 13QFN
Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 7.6mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 15A
Current - Peak Output: 78A
Technology: NMOS
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Fault Protection: ESD, Over Voltage, Short Circuit
Load Type: Capacitive and Resistive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC23104ENGRTEPCDescription: IC HALF BRIDGE DRIVER 15A 13WQFN
Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 7.6mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 15A
Current - Peak Output: 78A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Fault Protection: ESD, Over Voltage, Short Circuit
Load Type: Capacitive and Resistive
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+190.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC23104ENGRTEPCDescription: IC HALF BRIDGE DRIVER 15A 13WQFN
Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 7.6mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 15A
Current - Peak Output: 78A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Fault Protection: ESD, Over Voltage, Short Circuit
Load Type: Capacitive and Resistive
на замовлення 9839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+345.66 грн
10+253.38 грн
25+233.53 грн
100+198.68 грн
250+189.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2361EPCDescription: TRANS GAN 100V DIE,1 MOHM, 7PINQ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 15mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4094 pF @ 50 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+270.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2361EPCGaN FETs EPC eGaN FET,80 V, 1.0 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
на замовлення 5704 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2361EPCDescription: TRANS GAN 100V DIE,1 MOHM, 7PINQ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 15mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4094 pF @ 50 V
на замовлення 45531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+662.32 грн
10+434.98 грн
50+348.30 грн
100+300.70 грн
500+282.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2361ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 100V .001OHM 7QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+722.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2361ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 100V .001OHM 7QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2366EPCDescription: GANFET N-CH 40V 88A 5QFN
на замовлення 4755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+326.85 грн
10+207.72 грн
100+146.94 грн
500+118.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2366EPCDescription: GANFET N-CH 40V 88A 5QFN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+107.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2366ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 40V DIE,0.8 MOHM,5PINQ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8Ohm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12mA
Supplier Device Package: 5-QFN (3.3x2.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2645 pF @ 20 V
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+294.71 грн
10+186.96 грн
100+132.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2366ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 40V DIE,0.8 MOHM,5PINQ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8Ohm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12mA
Supplier Device Package: 5-QFN (3.3x2.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2645 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2367EPCGaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 1.2 milliohm at 5 V(typ), 3.3 mm x 3.3 mm QFN
на замовлення 5528 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2367EPCDescription: GANFET N-CH 100V 101A 5QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10mA
Supplier Device Package: 5-QFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 50 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+192.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2367EPCDescription: GANFET N-CH 100V 101A 5QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10mA
Supplier Device Package: 5-QFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 50 V
на замовлення 16204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+504.78 грн
10+328.33 грн
50+260.46 грн
100+223.95 грн
500+213.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2367AEPC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC241BPRIGOHDIP24
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2619EPCGaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 3.3 milliohm typ at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
на замовлення 1399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2619EPCDescription: TRANS GAN 100V .0042 OHM 6LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2619EPCDescription: TRANS GAN 100V .0042 OHM 6LGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 50 V
на замовлення 1186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+336.26 грн
10+214.13 грн
100+151.75 грн
500+123.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2619ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 80V .0033OHM 6LGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2619ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 80V .0033OHM 6LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2801EPCDescription: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2801EPCDescription: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2801EPCDescription: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2815EPCDescription: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2815EPCDescription: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2815EPCDescription: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2818EPCDescription: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2818EPCDescription: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2818EPCDescription: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2FSAutomation Components, Inc.Description: Analog Input (0-5VDC), Pressure
Packaging: Tape & Box (TB)
For Use With/Related Products: Sensors, Transmitters
Accessory Type: Converter
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+23514.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2GAutomation Components, Inc.Description: Analog Input (0-5VDC), Pressure
Packaging: Tape & Box (TB)
For Use With/Related Products: Sensors, Transmitters
Accessory Type: Converter
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+19595.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2GBAutomation Components, Inc.Description: Analog Input (0-5VDC), Pressure
Packaging: Tape & Box (TB)
For Use With/Related Products: Sensors, Transmitters
Accessory Type: Converter
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+23044.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2GFSAutomation Components, Inc.Description: Analog Input (0-5VDC), Pressure
Packaging: Tape & Box (TB)
For Use With/Related Products: Sensors, Transmitters
Accessory Type: Converter
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+23514.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2GFSBAutomation Components, Inc.Description: Analog Input (0-5VDC), Pressure
Packaging: Tape & Box (TB)
For Use With/Related Products: Sensors, Transmitters
Accessory Type: Converter
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+27668.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2L120Altera
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2L20ALTERAPLCC20
на замовлення 85 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2LC2Altera
на замовлення 166 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2LC20IntelConfiguration SRAM for FBGA
на замовлення 2148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16773.25 грн
10+11181.85 грн
50+9584.58 грн
100+6470.05 грн
500+5651.51 грн
1000+5228.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2LC20
Код товару: 79584
Додати до обраних Обраний товар

8542 39 90 00
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2LC20Altera/IntelКонфигурационная память EPROM для семейства FLEX, 1695680 x 1 bit, Vcc=5.0 or 3.3 V... Інтегральні мікросхеми Корпус: PLCC-20 Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2LC20IntelConfiguration SRAM for FBGA
на замовлення 2148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16773.25 грн
10+11181.85 грн
50+9584.58 грн
100+6470.05 грн
500+5651.51 грн
1000+5228.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2LC20ALTERAPLCC
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2LC20Intel / AlteraFPGA - Configuration Memory IC - Ser. Config Mem Flash 1.6Mb 10 MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2LC20IntelDescription: IC CONFIG DEVICE 1.6MBIT 20PLCC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2LC20AlteraМікросхеми програмованої логіки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2LC20EMIntelIntel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17  [ Наступна Сторінка >> ]