Продукція > FDB

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDB52N20TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 1683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+220.25 грн
10+138.13 грн
100+96.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB52N20TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB52N20TMONSEMIDescription: ONSEMI - FDB52N20TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 52 A, 0.049 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 6788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB52N20TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+76.86 грн
1600+68.88 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB52N20TMonsemi / FairchildMOSFETs 200V N-Ch MOSFET
на замовлення 10350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB52N20TMON-SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK FDB52N20TM TFDB52n20tm
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+114.74 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB52N20TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB5645fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB5645ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB5645 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 8432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB5645Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4468 pF @ 30 V
на замовлення 8432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+275.69 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB5680Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 7838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+130.70 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB5680FAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB5685fairchild07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB5690Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 32A TO-263AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB5690fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB5690Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 32A TO-263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB5690ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB5690 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 21703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB5690Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 32A TO-263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB5800onsemi / FairchildMOSFETs 60V N-Ch Logic PowerTrench MOSFET
на замовлення 6097 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB5800ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB5800onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 14A/80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6625 pF @ 15 V
на замовлення 4355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+266.50 грн
10+168.47 грн
100+118.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB5800On SemiconductorMOSFET N-Channel 60V 14A (Ta), 80A (Tc) 242W (Tc) Surface Mount D2PAK Транзистори
на замовлення 3 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
3+260.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB5800ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB5800
Код товару: 176853
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB5800onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 14A/80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6625 pF @ 15 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+95.89 грн
1600+87.03 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB5800ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB5800 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 4600 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB5800_F085ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 14A/80A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6021Pfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6021PRochester Electronics, LLCDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 21255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
385+56.50 грн
Мінімальне замовлення: 385 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6030fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6030BLON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 40A TO-263AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6030BLRochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 82680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6030LFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 48A TO263AB
на замовлення 22487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
614+38.96 грн
Мінімальне замовлення: 614 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6030Lfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6035A
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6035ALONSEMIDescription: ONSEMI - FDB6035AL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 172284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 248 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6035ALfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6035ALonsemi / FairchildMOSFET N-Channel PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6035ALFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 15 V
на замовлення 172289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+105.67 грн
Мінімальне замовлення: 207 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6035AL_Qonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6035LONSEMIDescription: ONSEMI - FDB6035L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6035Lfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6035LFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 26A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
89+252.24 грн
Мінімальне замовлення: 89 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB603ALFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
на замовлення 39200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
247+95.63 грн
Мінімальне замовлення: 247 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB603ALfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6530AFAIRTO252
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6644fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6644SFAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6670FAIRCHILD03+
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6670ALonsemi / FairchildMOSFETs N-Channel PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6670ALFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+149.69 грн
500+134.36 грн
1000+123.76 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6670ALFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+149.69 грн
500+134.36 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6670ALFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V
на замовлення 52339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+81.04 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6670AL
Код товару: 150683
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6670ALFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 19148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+149.69 грн
500+134.36 грн
1000+123.76 грн
10000+106.66 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6670ALFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+149.69 грн
500+134.36 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6670ALFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+149.69 грн
500+134.36 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6670ALONSEMIDescription: ONSEMI - FDB6670AL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 334 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6670ALonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6670ALFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6670ALFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+149.69 грн
500+134.36 грн
1000+123.76 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6670ALFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 22416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+149.69 грн
500+134.36 грн
1000+123.76 грн
10000+106.66 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6670AL-NLFAIRCHILD0651+ TO-263
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6670ASfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6670ASFAIRCHILDFDB6670AS
на замовлення 3893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
181+195.65 грн
500+186.22 грн
1000+175.62 грн
Мінімальне замовлення: 181 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6670ASFAIRCHILDFDB6670AS
на замовлення 625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
181+195.65 грн
500+186.22 грн
Мінімальне замовлення: 181 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6670ASFAIRCHILDFDB6670AS
на замовлення 816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
181+195.65 грн
500+186.22 грн
Мінімальне замовлення: 181 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6670ASFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 62A TO263AB
на замовлення 5998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6670ASNLfairchild07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6670Sfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6670SFAIRCHILDFDB6670S
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+273.44 грн
500+259.30 грн
1000+243.98 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6670SFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm@ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2639 pF @ 15 V
на замовлення 19090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+195.98 грн
Мінімальне замовлення: 112 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6670SFAIRCHILDFDB6670S
на замовлення 16740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+273.44 грн
500+259.30 грн
1000+243.98 грн
10000+221.62 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6676Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5324 pF @ 15 V
на замовлення 25443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
386+55.88 грн
Мінімальне замовлення: 386 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6676fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6676Sfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB66870ALfairchild07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6690SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 42A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1238 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6690Sfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6690SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 42A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1238 pF @ 15 V
на замовлення 1224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
271+76.26 грн
Мінімальне замовлення: 271 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB66N15fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB66N15TMfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7020BLfairchild07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7030BLON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
616+57.45 грн
Мінімальне замовлення: 616 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7030BLON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 47043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
616+57.45 грн
1000+52.98 грн
10000+47.24 грн
Мінімальне замовлення: 616 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7030BLON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
616+57.45 грн
1000+52.98 грн
Мінімальне замовлення: 616 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7030BLONSEMIDescription: ONSEMI - FDB7030BL - 30V N-CH. FET, 9 MO, TO263, T
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 208 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7030BLON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
616+57.45 грн
1000+52.98 грн
Мінімальне замовлення: 616 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7030BLonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 60A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7030BLONS/FAIТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7030BLON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
616+57.45 грн
1000+52.98 грн
Мінімальне замовлення: 616 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7030BLonsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7030BLON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
616+57.45 грн
1000+52.98 грн
Мінімальне замовлення: 616 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7030BLFairchild SemiconductorDescription: 60A, 30V, 0.009OHM, N-CHANNEL,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
на замовлення 61809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
446+46.03 грн
Мінімальне замовлення: 446 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7030BLfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7030BL-ONonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 60A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7030BL.ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB7030BL. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0068 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 60
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068
Qualifikation: -
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7030BL.ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB7030BL. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0068 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 60
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 60
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9
Verlustleistung: 60
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0068
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7030BLSONSEMIDescription: ONSEMI - FDB7030BLS - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 34400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 194 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7030BLSFAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20  [ Наступна Сторінка >> ]