Продукція > FDB

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDB44N25TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 44A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 307W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 25 V
на замовлення 9359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+252.39 грн
10+158.66 грн
50+122.37 грн
100+103.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB52N20fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB52N20TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB52N20TMON-SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK FDB52N20TM TFDB52n20tm
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+114.74 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB52N20TMONSEMIDescription: ONSEMI - FDB52N20TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 52 A, 0.049 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 6788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB52N20TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 19657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+257.09 грн
10+161.52 грн
50+124.66 грн
100+105.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB52N20TMonsemi / FairchildMOSFETs 200V N-Ch MOSFET
на замовлення 10350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB52N20TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB52N20TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 19200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+82.19 грн
1600+75.17 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB52N20TMON-SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK FDB52N20TM TFDB52n20tm
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 102 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+114.74 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB52N20TMONSEMIDescription: ONSEMI - FDB52N20TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 52 A, 0.041 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 357
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB52N20TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB5645ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB5645 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 8432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB5645Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4468 pF @ 30 V
на замовлення 8432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+275.69 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB5680Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 7838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+130.70 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB5685fairchild07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB5690Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 32A TO-263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB5690Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 32A TO-263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB5690ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB5690 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 21703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB5690Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 32A TO-263AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB5800
Код товару: 176853
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB5800onsemiMOSFETs 60V N-Ch Logic PowerTrench MOSFET
на замовлення 4907 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB5800ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB5800onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 14A/80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6625 pF @ 15 V
на замовлення 3844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+305.69 грн
10+193.90 грн
50+150.59 грн
100+128.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB5800ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB5800 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 4600 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB5800onsemi / FairchildMOSFETs 60V N-Ch Logic PowerTrench MOSFET
на замовлення 6097 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB5800ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB5800onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 14A/80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6625 pF @ 15 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+100.49 грн
1600+94.66 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB5800On SemiconductorMOSFET N-Channel 60V 14A (Ta), 80A (Tc) 242W (Tc) Surface Mount D2PAK Транзистори
на замовлення 3 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
3+260.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB5800_F085ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 14A/80A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6021PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 28A TO263AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6021PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 28A TO263AB
на замовлення 20881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+83.21 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6030fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6030BLFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 40A R-6
на замовлення 53793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
231+87.23 грн
Мінімальне замовлення: 231 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6030BLonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 40A R-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6030LFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 48A TO263AB
на замовлення 22487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
614+38.96 грн
Мінімальне замовлення: 614 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6035A
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6035ALONSEMIDescription: ONSEMI - FDB6035AL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 172284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 248 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6035ALonsemi / FairchildMOSFET N-Channel PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6035ALFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 15 V
на замовлення 172284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+111.39 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6035AL_Qonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6035LFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
89+252.24 грн
Мінімальне замовлення: 89 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6035LONSEMIDescription: ONSEMI - FDB6035L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB603ALFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 15 V
на замовлення 38400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
168+120.11 грн
Мінімальне замовлення: 168 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6530AFAIRTO252
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6644fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6644SFAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6670FAIRCHILD03+
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6670ALFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+149.69 грн
500+134.36 грн
1000+123.76 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6670ALonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6670ALFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+149.69 грн
500+134.36 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6670ALONSEMIDescription: ONSEMI - FDB6670AL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 334 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6670ALonsemi / FairchildMOSFETs N-Channel PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6670ALFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 19148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+149.69 грн
500+134.36 грн
1000+123.76 грн
10000+106.66 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6670ALFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+149.69 грн
500+134.36 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6670AL
Код товару: 150683
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6670ALFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+149.69 грн
500+134.36 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6670ALFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V
на замовлення 92566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+106.69 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6670ALFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+149.69 грн
500+134.36 грн
1000+123.76 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6670ALFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 22416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+149.69 грн
500+134.36 грн
1000+123.76 грн
10000+106.66 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6670AL-NLFAIRCHILD0651+ TO-263
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6670ASFAIRCHILDFDB6670AS
на замовлення 3893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
181+195.65 грн
500+186.22 грн
1000+175.62 грн
Мінімальне замовлення: 181 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6670ASFAIRCHILDFDB6670AS
на замовлення 625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
181+195.65 грн
500+186.22 грн
Мінімальне замовлення: 181 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6670ASonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 62A TO263AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6670ASFAIRCHILDFDB6670AS
на замовлення 816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
181+195.65 грн
500+186.22 грн
Мінімальне замовлення: 181 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6670ASNLfairchild07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6670SFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm@ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2639 pF @ 15 V
на замовлення 19090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+195.98 грн
Мінімальне замовлення: 112 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6670SFAIRCHILDFDB6670S
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+273.44 грн
500+259.30 грн
1000+243.98 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6670SFAIRCHILDFDB6670S
на замовлення 16740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+273.44 грн
500+259.30 грн
1000+243.98 грн
10000+221.62 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6676Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5324 pF @ 15 V
на замовлення 25443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
386+55.88 грн
Мінімальне замовлення: 386 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6676Sfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB66870ALfairchild07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6690SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 42A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1238 pF @ 15 V
на замовлення 1224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
271+76.26 грн
Мінімальне замовлення: 271 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6690SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 42A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1238 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB66N15fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB66N15TMfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7020BLfairchild07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7030BLON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 47043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
616+57.45 грн
1000+52.98 грн
10000+47.24 грн
Мінімальне замовлення: 616 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7030BLonsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7030BLON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
616+57.45 грн
1000+52.98 грн
Мінімальне замовлення: 616 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7030BLONS/FAIТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7030BLFairchild SemiconductorDescription: 60A, 30V, 0.009OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 15 V
на замовлення 61623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
446+44.96 грн
Мінімальне замовлення: 446 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7030BLON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
616+57.45 грн
1000+52.98 грн
Мінімальне замовлення: 616 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7030BLON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
616+57.45 грн
1000+52.98 грн
Мінімальне замовлення: 616 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7030BLON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
616+57.45 грн
1000+52.98 грн
Мінімальне замовлення: 616 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7030BLONSEMIDescription: ONSEMI - FDB7030BL - 30V N-CH. FET, 9 MO, TO263, T
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 208 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7030BLON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
616+57.45 грн
Мінімальне замовлення: 616 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7030BL-ONonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 60A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7030BL.ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB7030BL. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0068 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 60
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068
Qualifikation: -
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7030BL.ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB7030BL. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0068 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 60
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 60
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9
Verlustleistung: 60
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0068
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7030BLSON SemiconductorFDB7030BLS
на замовлення 24800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
187+189.76 грн
500+179.15 грн
1000+169.72 грн
10000+153.43 грн
Мінімальне замовлення: 187 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7030BLSFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 15 V
на замовлення 34400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
142+141.58 грн
Мінімальне замовлення: 142 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7030BLSON SemiconductorFDB7030BLS
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
187+189.76 грн
500+179.15 грн
1000+169.72 грн
Мінімальне замовлення: 187 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7030BLSonsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7030BLSONSEMIDescription: ONSEMI - FDB7030BLS - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 34400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 194 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7030BLSON SemiconductorFDB7030BLS
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
187+189.76 грн
500+179.15 грн
1000+169.72 грн
Мінімальне замовлення: 187 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7030BL_NLonsemi / FairchildMOSFET 30V N-CH. FET, 9 MO, TO263, T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7030BL_Qonsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7030LON SemiconductorFDB7030L
на замовлення 1804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+618.78 грн
100+588.13 грн
500+557.49 грн
1000+506.89 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7030LFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V
на замовлення 64336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+440.20 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.