Продукція > FDB

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDB6670FAIRCHILD03+
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6670ALFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6670ALonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6670ALFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 19148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+150.02 грн
500+134.66 грн
1000+124.03 грн
10000+106.90 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6670ALFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+150.02 грн
500+134.66 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6670ALFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+150.02 грн
500+134.66 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6670ALFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+150.02 грн
500+134.66 грн
1000+124.03 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6670ALFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 22416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+150.02 грн
500+134.66 грн
1000+124.03 грн
10000+106.90 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6670AL
Код товару: 150683
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6670ALonsemi / FairchildMOSFETs N-Channel PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6670ALFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V
на замовлення 52339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+80.29 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6670ALFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+150.02 грн
500+134.66 грн
1000+124.03 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6670ALONSEMIDescription: ONSEMI - FDB6670AL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
334+92.62 грн
Мінімальне замовлення: 334 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6670ALFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+150.02 грн
500+134.66 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6670AL-NLFAIRCHILD0651+ TO-263
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6670ASfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6670ASFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 62A TO263AB
на замовлення 5998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6670ASFAIRCHILDFDB6670AS
на замовлення 816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
181+196.09 грн
500+186.64 грн
Мінімальне замовлення: 181 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6670ASFAIRCHILDFDB6670AS
на замовлення 3893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
181+196.09 грн
500+186.64 грн
1000+176.01 грн
Мінімальне замовлення: 181 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6670ASFAIRCHILDFDB6670AS
на замовлення 625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
181+196.09 грн
500+186.64 грн
Мінімальне замовлення: 181 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6670ASNLfairchild07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6670SFAIRCHILDFDB6670S
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+274.05 грн
500+259.88 грн
1000+244.52 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6670Sfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6670SFAIRCHILDFDB6670S
на замовлення 16740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+274.05 грн
500+259.88 грн
1000+244.52 грн
10000+222.12 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6670SFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm@ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2639 pF @ 15 V
на замовлення 19090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+194.19 грн
Мінімальне замовлення: 112 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6676fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6676Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5324 pF @ 15 V
на замовлення 25443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
386+55.37 грн
Мінімальне замовлення: 386 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6676Sfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB66870ALfairchild07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6690SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 42A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1238 pF @ 15 V
на замовлення 1224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
271+74.19 грн
Мінімальне замовлення: 271 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6690SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 42A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1238 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6690Sfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB66N15fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB66N15TMfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7020BLfairchild07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7030BLON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
616+57.58 грн
1000+53.10 грн
Мінімальне замовлення: 616 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7030BLfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7030BLonsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7030BLFairchild SemiconductorDescription: 60A, 30V, 0.009OHM, N-CHANNEL,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
на замовлення 62509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
443+45.27 грн
Мінімальне замовлення: 443 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7030BLON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
616+57.58 грн
1000+53.10 грн
Мінімальне замовлення: 616 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7030BLONSEMIDescription: ONSEMI - FDB7030BL - 30V N-CH. FET, 9 MO, TO263, T
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 208 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7030BLON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
616+57.58 грн
1000+53.10 грн
Мінімальне замовлення: 616 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7030BLON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
616+57.58 грн
Мінімальне замовлення: 616 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7030BLON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 47043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
616+57.58 грн
1000+53.10 грн
10000+47.34 грн
Мінімальне замовлення: 616 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7030BLONS/FAIТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7030BLonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 60A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7030BLON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
616+57.58 грн
1000+53.10 грн
Мінімальне замовлення: 616 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7030BL-ONonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 60A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7030BL.ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB7030BL. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0068 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 60
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 60
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9
Verlustleistung: 60
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0068
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7030BL.ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB7030BL. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0068 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 60
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068
Qualifikation: -
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7030BLSFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 15 V
на замовлення 34400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
142+138.98 грн
Мінімальне замовлення: 142 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7030BLSONSEMIDescription: ONSEMI - FDB7030BLS - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 34400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
194+139.33 грн
Мінімальне замовлення: 194 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7030BLSON SemiconductorFDB7030BLS
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
187+190.18 грн
500+179.55 грн
1000+170.10 грн
Мінімальне замовлення: 187 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7030BLSFAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7030BLSON SemiconductorFDB7030BLS
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
187+190.18 грн
500+179.55 грн
1000+170.10 грн
Мінімальне замовлення: 187 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7030BLSON SemiconductorFDB7030BLS
на замовлення 24800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
187+190.18 грн
500+179.55 грн
1000+170.10 грн
10000+153.77 грн
Мінімальне замовлення: 187 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7030BLSonsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7030BL_NLonsemi / FairchildMOSFET 30V N-CH. FET, 9 MO, TO263, T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7030BL_Qonsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7030LON SemiconductorFDB7030L
на замовлення 10177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+620.16 грн
100+589.44 грн
500+558.73 грн
1000+508.02 грн
10000+442.97 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7030LON SemiconductorFDB7030L
на замовлення 27200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+620.16 грн
100+589.44 грн
500+558.73 грн
1000+508.02 грн
10000+442.97 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7030LFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
на замовлення 64336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+437.02 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7030LON SemiconductorFDB7030L
на замовлення 5380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+620.16 грн
100+589.44 грн
500+558.73 грн
1000+508.02 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7030LON SemiconductorFDB7030L
на замовлення 19775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+620.16 грн
100+589.44 грн
500+558.73 грн
1000+508.02 грн
10000+442.97 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7030LonsemiMOSFETs N-Ch PowerTrench Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7030LonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7030LON SemiconductorFDB7030L
на замовлення 1804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+620.16 грн
100+589.44 грн
500+558.73 грн
1000+508.02 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7030Lfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7030L_L86Zonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7030L_L86ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7030L_Qonsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7042LFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250mA
Supplier Device Package: TO-263AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2418 pF @ 15 V
на замовлення 93855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
343+58.55 грн
Мінімальне замовлення: 343 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7042Lfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7045FAIRCHILD04+
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7045LFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4357 pF @ 15 V
на замовлення 116964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+306.05 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7045Lonsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7045Lfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7045LONSEMIDescription: ONSEMI - FDB7045L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 119044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
90+330.21 грн
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7045L_Qonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7051L
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8030Lonsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8030LFairchild SemiconductorDescription: 80A, 30V, 0.0035OHM, N-CHANNEL,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8030Lfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8030L_NLonsemi / FairchildMOSFET 30V, TO263, NCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8030L_Tonsemi / Fairchildonsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8132Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8132_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8132_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8132_F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 13 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14100 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8160Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 254W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 243 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11825 pF @ 15 V
на замовлення 17624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
177+126.39 грн
Мінімальне замовлення: 177 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8160-F085Fairchild SemiconductorDescription: 80A, 30V, 0.0018OHM, N-CHANNEL,
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11825 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 243 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 254W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+103.34 грн
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8441ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8441ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+114.59 грн
10+97.43 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8441onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 28A/120A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8441onsemi / FairchildMOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8441ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8441onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 28A/120A TO263AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8441-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 28A/80A TO263AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8441-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 40V N-Ch PowerTrench
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8441-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB8441-F085 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+134.50 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19  [ Наступна Сторінка >> ]