Продукція > HUF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
HUF76429D3ONSEMIDescription: ONSEMI - HUF76429D3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
508+77.15 грн
Мінімальне замовлення: 508 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76429D3FAIRCHILDSOT-252
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76429D3Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 25 V
на замовлення 1441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
347+62.18 грн
Мінімальне замовлення: 347 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76429D3SonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76429D3Sonsemi / FairchildMOSFETs 20a 60V 0.027 Ohm Logic Level N-Ch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76429D3SFAIRCHILDSOT-252
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76429D3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76429D3STON Semiconductor / FairchildMOSFET 20a 60V 0.027 Ohm Logic Level N-Ch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76429D3ST_NLON Semiconductor / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76429P
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76429P3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 47A TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76429P3FAIRCHILD
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76429P3Rochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 577 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76429S3SFAIRCHILDSOT-263
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76429S3SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 47A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76429S3STON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 47A D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76429S3STonsemiMOSFETs 44a 60V 0.025 Ohm Logic Level N-Ch
на замовлення 907 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76429S3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76429S3STON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 47A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76429S3ST_QFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL LOGIC LEVEL ULTRAFET P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76432P3onsemi / FairchildMOSFET 55a 60V 0.019Ohm Logic Level N-Ch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76432P3onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 59A TO220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 59A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76432S3SFAIRCHILDSOT-263
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76432S3STFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 59A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765 pF @ 25 V
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+70.84 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76432S3STONSEMIDescription: ONSEMI - HUF76432S3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 149 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76432S3STR4908Fairchild SemiconductorDescription: 59A, 60V, 0.019OHM, N-CHANNEL PO
Part Status: Active
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76437P3ONSEMIDescription: ONSEMI - HUF76437P3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
286+137.42 грн
Мінімальне замовлення: 286 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76437P3onsemi / FairchildMOSFET TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76437P3Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 71A, 10V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
238+92.42 грн
Мінімальне замовлення: 238 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76437S3SRochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 4945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 511 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76437S3SFAIRCHILDSOT-263
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76437S3STRochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 27282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 481 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76437S3STONSEMIDescription: ONSEMI - HUF76437S3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 27282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
641+61.07 грн
Мінімальне замовлення: 641 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76439P3ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 75A TO220-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76439S3SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76439S3SFAIRCHILDSOT-263
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76439S3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2745 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
на замовлення 3171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+238.67 грн
10+149.39 грн
100+103.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76439S3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2745 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+83.10 грн
1600+74.82 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76439S3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76439S3STFairchildTrans MOSFET N-CH 60V 75A HUF76439S3ST (T&R) , (HUF76439P3 TO220AB *OBSOLETE) HUF76439S3S THUF76439s3s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+67.78 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76439S3STonsemiMOSFETs 71a 60V 0.014Ohm Logic Level N-Ch
на замовлення 1083 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76443P3onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 129 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4115 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76443P3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 129 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4115 pF @ 25 V
на замовлення 7300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
163+143.36 грн
Мінімальне замовлення: 163 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76443S3SFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4115 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 129 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+129.41 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76443S3SFAIRCHILDSOT-263
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76443S3STFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 129 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4115 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
182+127.86 грн
Мінімальне замовлення: 182 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76445P3INTERSIL07+ TO-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76445P3ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 75A TO220-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76445S3SFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76445S3SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76445S3STFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4965 pF @ 25 V
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
198+108.77 грн
Мінімальне замовлення: 198 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76445S3STONSEMIDescription: ONSEMI - HUF76445S3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
238+164.74 грн
Мінімальне замовлення: 238 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76609D3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 10A IPAK
на замовлення 15455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 760 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76609D3SONSEMIDescription: ONSEMI - HUF76609D3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
916+33.67 грн
Мінімальне замовлення: 916 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76609D3SFAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76609D3SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
на замовлення 10799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 825 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76609D3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76609D3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 10A TO252AA
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 49W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76609D3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+58.42 грн
14+55.24 грн
100+43.23 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76609D3STonsemi / FairchildMOSFET 10a 100V 0.165 Ohm 1Ch HS Logic Gate
на замовлення 9111 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76609D3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76609D3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 10A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 25 V
на замовлення 1210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.17 грн
10+63.50 грн
100+48.66 грн
500+36.10 грн
1000+28.88 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76609D3STONS/FAIDPAK-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76609D3_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 238 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76619D3onsemi / FairchildMOSFET 18a 100V 0.087 Ohm Logic Level N-Ch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76619D3SFAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76619D3SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 18A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767 pF @ 25 V
на замовлення 5406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1031+22.47 грн
Мінімальне замовлення: 1031 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76619D3SONSEMIDescription: ONSEMI - HUF76619D3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1144+33.75 грн
Мінімальне замовлення: 1144 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76619D3SonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 18A TO252AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76619D3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 18A TO252AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76619D3STFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 18A TO252AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76629D3onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 20A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76629D3onsemi / FairchildMOSFET 20a 100V 0.054 Ohm Logic Level N-Ch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76629D3SFAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76629D3SonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76629D3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
на замовлення 33795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
339+104.31 грн
500+93.88 грн
1000+86.59 грн
10000+74.43 грн
Мінімальне замовлення: 339 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76629D3SONSEMIDescription: ONSEMI - HUF76629D3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 33795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
479+59.15 грн
Мінімальне замовлення: 479 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76629D3Sonsemi / FairchildMOSFET 20a 100V 0.054 Ohm Logic Level N-Ch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76629D3SHarris CorporationDescription: MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 25 V
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
271+73.10 грн
Мінімальне замовлення: 271 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76629D3SHARRISHUF76629D3S
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
339+104.31 грн
Мінімальне замовлення: 339 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76629D3SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 25 V
на замовлення 33795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
271+73.10 грн
Мінімальне замовлення: 271 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76629D3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
199+177.97 грн
500+160.29 грн
1000+147.33 грн
Мінімальне замовлення: 199 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76629D3STONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; 150W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 20A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76629D3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 25 V
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+243.32 грн
10+153.12 грн
100+106.66 грн
500+81.49 грн
1000+80.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76629D3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76629D3STONSEMIDescription: ONSEMI - HUF76629D3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.041 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UltraFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 8815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+109.29 грн
500+81.34 грн
1000+73.70 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76629D3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+164.06 грн
95+149.12 грн
96+148.31 грн
107+128.13 грн
250+113.10 грн
500+99.27 грн
1000+95.71 грн
3000+92.13 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76629D3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76629D3STONSEMIDescription: ONSEMI - HUF76629D3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.041 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UltraFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 8815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+239.48 грн
10+155.90 грн
100+109.29 грн
500+81.34 грн
1000+73.70 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76629D3STonsemiMOSFETs 20a 100V 0.054 Ohm Logic Level N-Ch
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76629D3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+164.06 грн
10+149.13 грн
25+148.31 грн
100+128.13 грн
250+113.10 грн
500+99.27 грн
1000+95.71 грн
3000+92.13 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76629D3ST-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET UltraFET Power MOSFET
на замовлення 2441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76629D3ST-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76629D3ST-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 20A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76629D3STNLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL LOGIC LEVEL ULTRAFET P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Packaging: Bulk
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76629D3STR4885Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL LOGIC LEVEL ULTRAFET P
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 225 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76629D3ST_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 20A DPAK
на замовлення 21252500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76629D3ST_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 20A DPAK
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76629D3ST_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 20A DPAK
на замовлення 2125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76629D3ST_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12  [ Наступна Сторінка >> ]