Продукція > MJE

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
MJE2955TGON Semiconductor
на замовлення 725 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+18.50 грн
42+18.11 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TGONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 10A; 125W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 10A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Current gain: 20...100
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 2MHz
на замовлення 172 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+99.35 грн
10+45.37 грн
50+37.24 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TGOn SemiconductorPNP Power silicon transistor, Ic=10 A, Vceo=60V, -55 to 150 C, TO-220, Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
765+18.50 грн
Мінімальне замовлення: 765 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TGONSEMIDescription: ONSEMI - MJE2955TG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+95.92 грн
14+59.01 грн
100+48.04 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
282+50.27 грн
Мінімальне замовлення: 282 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TGSTMPNP Power silicon transistor, Ic=10 A, Vceo=60V, -55 to 150 C, TO-220, Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
281+50.49 грн
500+49.70 грн
1000+45.37 грн
Мінімальне замовлення: 281 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TMJE3055T
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TTUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Silicon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TTUFairchildPNP 60V 10A 0.6W 2MHz MJE2955TTU Fairchild TMJE2955t FAI
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+24.65 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TTUDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TTUonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TTUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 600mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TTU-ONonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A TO220-3
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Power - Max: 600 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Frequency - Transition: 2MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TTU_Qonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055STM
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 60V 10A TO-220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055/2955T
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TSTMicroelectronicsCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 70V; 10A; 90W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 70V
Collector current: 10A
Power dissipation: 90W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 2MHz
на замовлення 386 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+110.19 грн
10+65.25 грн
25+52.00 грн
50+44.11 грн
100+38.16 грн
200+33.63 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TSTNPN 10A 60V 75W MJE3055T TMJE3055t
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+28.26 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TSTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 13448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+72.34 грн
50+72.07 грн
100+64.84 грн
500+49.63 грн
1000+36.50 грн
2000+34.10 грн
5000+33.78 грн
10000+32.54 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TonsemiDescription: TRANS NPN 60V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJE3055T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 400hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+116.24 грн
15+55.76 грн
100+49.34 грн
500+36.08 грн
1000+27.24 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TSTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 13440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
194+73.08 грн
195+72.82 грн
216+65.51 грн
500+50.13 грн
1000+36.87 грн
2000+34.45 грн
5000+34.14 грн
10000+32.87 грн
Мінімальне замовлення: 194 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TSTMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055T
Код товару: 190953
1 Додати до обраних Обраний товар
JSMICROТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220AB
fT: 2 MHz
Uceo,V: 60 V
Ucbo,V: 70 V
Ic,A: 10 A
h21: 100
Монтаж: THT
у наявності: 90 шт
  • 60 шт - склад
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 22 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+22.00 грн
10+19.80 грн
100+17.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TSTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 17058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+80.73 грн
2000+74.89 грн
5000+68.56 грн
10000+64.45 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TSTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch
на замовлення 3252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TSTMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 60V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
на замовлення 6287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.14 грн
50+83.62 грн
100+75.12 грн
500+56.55 грн
1000+52.06 грн
2000+48.29 грн
5000+43.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TJSMicro SemiconductorTransistor NPN; 100; 75W; 60V; 10A; 2MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJE3055TG; MJE3055TTU; MJE3055T JSMICRO TMJE3055t JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 175 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+18.99 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TSTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+80.73 грн
2000+74.89 грн
5000+68.56 грн
10000+64.45 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TMULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - MJE3055T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+99.17 грн
19+45.11 грн
100+42.19 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055T (біполярний транзистор NPN)
Код товару: 26410
Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220AB
fT: 2 MHz
Uceo,V: 60 V
Ucbo,V: 70 V
Ic,A: 10 А
h21: 100
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+16.40 грн
100+14.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TGonsemiBipolar Transistors - BJT 10A 60V 125W NPN
на замовлення 5595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
129+109.78 грн
Мінімальне замовлення: 129 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TGON Semiconductor
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TGONSEMIDescription: ONSEMI - MJE3055TG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 75W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+100.79 грн
18+47.71 грн
100+42.43 грн
500+31.02 грн
1000+26.20 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
159+89.08 грн
500+65.23 грн
1000+64.56 грн
2500+62.15 грн
Мінімальне замовлення: 159 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TGONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 10A; 125W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 10A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Current gain: 20...100
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 2MHz
на замовлення 186 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+85.80 грн
10+64.74 грн
50+43.95 грн
100+36.31 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TGonsemiDescription: TRANS NPN 60V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
на замовлення 28126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.87 грн
50+80.97 грн
100+72.79 грн
500+54.85 грн
1000+50.52 грн
2000+46.89 грн
5000+43.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+109.78 грн
14+57.56 грн
100+54.24 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+44.68 грн
100+43.13 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TL
на замовлення 1898 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TTUonsemiDescription: TRANS NPN 60V 10A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TTUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 600mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+72.24 грн
13+60.53 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TTUON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Sil Transistor
на замовлення 2024 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340On SemiconductorNPN, Uкэ=300V, Iк=0.5A, h21=30...240, 20Вт, TO-225AA (комплем. MJE350) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 26178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+20.33 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - MJE340 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 20 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 20W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar Single Transistor, NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+63.00 грн
20+40.89 грн
100+27.96 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340ON SemiconductorТранзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-126-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+20.33 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340STMicroelectronicsCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 20.8W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 20.8W
Case: SOT32
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 2197 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+56.00 грн
13+34.13 грн
25+28.60 грн
50+25.08 грн
100+22.48 грн
500+19.21 грн
1000+18.28 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340onsemiBipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 20W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340CDILNPN 500mA 300V 21W MJE340 CDIL TMJE340
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+9.01 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340STMNPN, Uкэ=300V, Iк=0.5A, h21=30...240, 20.8Вт, SOT-32 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340Good-Ark SemiconductorDescription: TRANS NPN 260V 0.5A TO-126
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 260 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 1273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.09 грн
10+86.72 грн
100+58.74 грн
500+43.88 грн
1000+40.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340STMicroelectronicsТранзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-126-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 28513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+34.43 грн
50+34.08 грн
100+31.77 грн
500+25.69 грн
1000+22.15 грн
2000+14.45 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340
Код товару: 174065
Додати до обраних Обраний товар
ONТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-225
Uceo,V: 300 V
Ucbo,V: 300 V
Ic,A: 0,5 A
Монтаж: THT
у наявності: 26 шт
  • 14 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 12 шт - РАДІОМАГ-Львів
2+13.50 грн
10+12.20 грн
100+10.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340STMicroelectronicsТранзистор NPN, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, hFE = 240 @ Ic = 50 mA, Vce = 10 V, Icutoff-max = 100 мкА, Р, Вт = 20 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-126-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
100+14.64 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 28504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
410+34.56 грн
414+34.21 грн
444+31.89 грн
529+25.79 грн
1000+22.23 грн
2000+14.50 грн
Мінімальне замовлення: 410 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Medium Power
на замовлення 4042 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 300V 0.5A SOT-32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 20.8 W
на замовлення 9412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.74 грн
50+64.31 грн
100+57.52 грн
500+42.83 грн
1000+39.24 грн
2000+36.22 грн
5000+32.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340 (Hottech)
Код товару: 189369
Додати до обраних Обраний товар
HottechТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-126
Uceo,V: 300 V
Ucbo,V: 300 V
Ic,A: 0,5 A
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+10.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340 (біполярний транзистор NPN)
Код товару: 29960
Додати до обраних Обраний товар
STMТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-126
Uceo,V: 300 V
Ucbo,V: 300 V
Ic,A: 0,5 A
Монтаж: THT
у наявності: 4 шт
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Київ
очікується: 200 шт
  • 200 шт - очікується 25.07.2026
2+15.00 грн
10+13.50 грн
100+12.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340 (біполярний транзистор NPN)
Код товару: 128645
Додати до обраних Обраний товар
CDILТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-225
Uceo,V: 300 V
Ucbo,V: 300 V
Ic,A: 0,5 A
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+7.00 грн
100+6.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT . .
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 300Vcbo 300Vceo 3.0Vebo 500mA 20.8W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340-STUONS/FAIТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340/350
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340F
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340G
Код товару: 112487
Додати до обраних Обраний товар
STMТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-225
Uceo,V: 300 V
Ic,A: 0,5 A
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+20.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340GonsemiDescription: TRANS NPN 300V 0.5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 16580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.84 грн
10+39.78 грн
100+25.91 грн
500+18.73 грн
1000+16.93 грн
2000+15.41 грн
5000+13.54 грн
10000+12.55 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
277+51.23 грн
Мінімальне замовлення: 277 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+24.76 грн
33+23.25 грн
100+19.12 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340GJSMicro SemiconductorTransistor NPN; 240; 20W; 300V; 500mA; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJE340; MJE340STU; KSE340; KSE340STU; MJE340G JSMICRO TMJE340 JSM
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+12.54 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 3235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
439+32.27 грн
752+18.81 грн
Мінімальне замовлення: 439 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+34.00 грн
1000+29.12 грн
2500+27.49 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE340G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 300 V, 500 mA, 20 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 240hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225AA
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 10554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+63.97 грн
20+41.86 грн
100+28.77 грн
500+20.83 грн
1000+19.09 грн
5000+18.95 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340GonsemiBipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 20W NPN
на замовлення 13658 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 254100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
632+22.40 грн
774+18.28 грн
Мінімальне замовлення: 632 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340GOn SemiconductorNPN, Uкэ=300V, Iк=0.5A, h21=30...240, 20Вт, TO-225AA (комплем. MJE350) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 20W; TO225
Kind of package: bulk
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 20W
Current gain: 30...240
Collector-emitter voltage: 300V
Polarisation: bipolar
Case: TO225
на замовлення 1353 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+60.51 грн
12+36.65 грн
100+23.57 грн
200+20.97 грн
250+20.21 грн
500+18.20 грн
1000+17.86 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 254114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+23.71 грн
34+22.32 грн
100+18.22 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340GON-SemiconductorNPN 500mA 300V 20W MJE340G ONS TMJE340 ONS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 147 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+19.33 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 3235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+37.91 грн
24+32.27 грн
100+18.81 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340G/MJE350GONTO-225 10+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340MJE350FSCST
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340STUDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340STUonsemiDescription: TRANS NPN 300V 0.5A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 20 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340STUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3439ONSEMIDescription: ONSEMI - MJE3439 - TRANS NPN 350V 0.3A TO225AA
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3439On SemiconductorNPN, Uкэ=350V, Iк=0.3A, h21=15...200, 15МГц, 15Вт, TO-225AA Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3439onsemiDescription: TRANS PWR NPN .3A 350V TO225AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 15MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2219+10.13 грн
Мінімальне замовлення: 2219 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11  [ Наступна Сторінка >> ]