Продукція > MJE

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
MJE3055TonsemiBipolar Transistors - BJT 10A 60V 125W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TonsemiDescription: TRANS NPN 60V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJE3055T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 400hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TSTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TSTNPN 10A 60V 75W MJE3055T TMJE3055t
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+28.26 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TSTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
182+77.84 грн
183+77.49 грн
203+69.69 грн
500+53.40 грн
1000+43.56 грн
2000+38.74 грн
Мінімальне замовлення: 182 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TSTMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 60V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
на замовлення 6193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.14 грн
50+83.55 грн
100+75.07 грн
500+56.51 грн
1000+52.03 грн
2000+48.26 грн
5000+43.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055T
Код товару: 190953
1 Додати до обраних Обраний товар
JSMICROТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220AB
Гранична частота fT: 2 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 60 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 70 В
Струм колектора Ic, А: 10 А
Коефіцієнт передачі струму h21: 100
Монтаж: THT
у наявності: 86 шт
  • 60 шт - склад
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 21 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+22.00 грн
10+19.80 грн
100+17.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TSTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch
на замовлення 2260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TSTMMJE3055T Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TMULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - MJE3055T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TSTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+77.75 грн
50+77.39 грн
100+69.61 грн
500+53.34 грн
1000+43.51 грн
2000+38.69 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055T (біполярний транзистор NPN)
Код товару: 26410
Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220AB
Гранична частота fT: 2 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 60 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 70 В
Струм колектора Ic, А: 10 А
Коефіцієнт передачі струму h21: 100
Монтаж: THT
на замовлення: 13 шт
  • 13 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
2+18.00 грн
10+16.40 грн
100+14.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TGonsemiBipolar Transistors - BJT 10A 60V 125W NPN
на замовлення 46429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TGONSEMIDescription: ONSEMI - MJE3055TG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 75W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+59.48 грн
50+58.87 грн
100+53.66 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TGONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 10A; 125W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 10A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 2MHz
Current gain: 20...100
на замовлення 161 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+91.22 грн
10+58.71 грн
50+37.99 грн
100+32.20 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
137+103.64 грн
500+69.40 грн
Мінімальне замовлення: 137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TGonsemiDescription: TRANS NPN 60V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
на замовлення 27811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.84 грн
50+85.76 грн
100+77.10 грн
500+58.10 грн
1000+53.52 грн
2000+49.67 грн
5000+44.75 грн
10000+43.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TL
на замовлення 1898 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TTUonsemiDescription: TRANS NPN 60V 10A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TTUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 600mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+72.24 грн
13+60.53 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TTUON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Sil Transistor
на замовлення 2024 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 300V 0.5A SOT-32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 20.8 W
на замовлення 8896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.74 грн
50+64.26 грн
100+57.48 грн
500+42.80 грн
1000+39.21 грн
2000+36.20 грн
5000+32.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340STMNPN, Uкэ=300V, Iк=0.5A, h21=30...240, 20.8Вт, SOT-32 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 25676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
381+37.14 грн
385+36.75 грн
412+34.35 грн
500+27.72 грн
1000+23.88 грн
2000+15.91 грн
Мінімальне замовлення: 381 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - MJE340 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 20 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 20W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar Single Transistor, NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Medium Power
на замовлення 2307 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340EVVODescription: NPN PLASTIC-ENCAPSULATE TRANSIST
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340CDILNPN 500mA 300V 21W MJE340 CDIL TMJE340
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 650 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+9.01 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340STMicroelectronicsТранзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-126-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 26178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+20.33 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340STMicroelectronicsCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 20.8W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 20.8W
Case: SOT32
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 1457 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+64.12 грн
11+39.92 грн
25+32.62 грн
50+28.26 грн
100+24.57 грн
500+18.28 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340STMicroelectronicsТранзистор NPN, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, hFE = 240 @ Ic = 50 mA, Vce = 10 V, Icutoff-max = 100 мкА, Р, Вт = 20 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-126-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
100+14.64 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+20.33 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340onsemiBipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 20W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340Good-Ark SemiconductorDescription: TRANS NPN 260V 0.5A TO-126
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 260 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 1205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.92 грн
10+91.86 грн
100+62.22 грн
500+46.48 грн
1000+42.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340On SemiconductorNPN, Uкэ=300V, Iк=0.5A, h21=30...240, 20Вт, TO-225AA (комплем. MJE350) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJE340 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 20.8 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 240hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 20.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225AA
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340ON SemiconductorТранзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-126-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 25678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+37.09 грн
50+36.72 грн
100+34.31 грн
500+27.69 грн
1000+23.85 грн
2000+15.89 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340
Код товару: 174065
Додати до обраних Обраний товар
ONТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-225
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 300 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 300 В
Струм колектора Ic, А: 0,5 А
Монтаж: THT
у наявності: 10 шт
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Львів
2+13.50 грн
10+12.20 грн
100+10.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340 (Hottech)
Код товару: 189369
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 300 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 300 В
Струм колектора Ic, А: 0,5 А
товару немає в наявності
2+12.00 грн
10+10.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340 (біполярний транзистор NPN)
Код товару: 29960
Додати до обраних Обраний товар
STMТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-126
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 300 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 300 В
Струм колектора Ic, А: 0,5 А
Монтаж: THT
у наявності: 204 шт
  • 200 шт - склад
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Київ
на замовлення: 5 шт
  • 5 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
2+15.00 грн
10+13.50 грн
100+12.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340 (біполярний транзистор NPN)
Код товару: 128645
Додати до обраних Обраний товар
CDILТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-225
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 300 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 300 В
Струм колектора Ic, А: 0,5 А
Монтаж: THT
у наявності: 2 шт
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Київ
2+10.00 грн
10+7.00 грн
100+6.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT . .
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 300Vcbo 300Vceo 3.0Vebo 500mA 20.8W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340-STUONS/FAIТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340/350
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340F
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+73.22 грн
16+50.19 грн
100+18.30 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+19.90 грн
39+19.40 грн
100+19.11 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340GJSMicro SemiconductorTransistor NPN; 240; 20W; 300V; 500mA; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJE340; MJE340STU; KSE340; KSE340STU; MJE340G JSMICRO TMJE340 JSM
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+12.54 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
439+32.27 грн
752+18.81 грн
Мінімальне замовлення: 439 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+37.91 грн
24+32.27 грн
100+18.81 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE340G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 300 V, 500 mA, 20 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 240hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225AA
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 8769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340G
Код товару: 112487
Додати до обраних Обраний товар
STMТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-225
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 300 В
Струм колектора Ic, А: 0,5 А
Монтаж: THT
товару немає в наявності
3+9.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340GON-SemiconductorNPN 500mA 300V 20W MJE340G ONS TMJE340 ONS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 97 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+17.93 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+74.05 грн
15+50.78 грн
100+18.54 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 242250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
763+18.55 грн
776+18.23 грн
Мінімальне замовлення: 763 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340GOn SemiconductorNPN, Uкэ=300V, Iк=0.5A, h21=30...240, 20Вт, TO-225AA (комплем. MJE350) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
192+74.05 грн
279+50.78 грн
Мінімальне замовлення: 192 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 242267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+18.99 грн
41+18.53 грн
100+18.20 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340GON-SemiconductorNPN 500mA 300V 20W MJE340G ONS TMJE340 ONS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+17.93 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340GonsemiDescription: TRANS NPN 300V 0.5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 12808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.84 грн
10+39.78 грн
100+25.89 грн
500+18.71 грн
1000+16.91 грн
2000+15.40 грн
5000+13.53 грн
10000+12.54 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
282+50.19 грн
773+18.30 грн
Мінімальне замовлення: 282 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+28.51 грн
1000+25.77 грн
2500+24.60 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 20W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 20W
Case: TO225
Current gain: 30...240
Mounting: THT
Kind of package: bulk
на замовлення 482 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+61.41 грн
12+35.64 грн
100+24.15 грн
200+21.64 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340GonsemiBipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 20W NPN
на замовлення 11122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340G/MJE350GONTO-225 10+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340MJE350
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340STUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340STUonsemiDescription: TRANS NPN 300V 0.5A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 20 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340STUDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3439On SemiconductorNPN, Uкэ=350V, Iк=0.3A, h21=15...200, 15МГц, 15Вт, TO-225AA Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3439ONSEMIDescription: ONSEMI - MJE3439 - TRANS NPN 350V 0.3A TO225AA
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3439onsemiDescription: TRANS PWR NPN .3A 350V TO225AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 15MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2219+10.13 грн
Мінімальне замовлення: 2219 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3439GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 350V 0.3A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3439GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 350V 0.3A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+49.94 грн
17+44.81 грн
100+33.98 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3439GonsemiDescription: TRANS NPN 350V 0.3A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 15MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 15 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3439GON SemiconductorBipolar Transistors - BJT 0.3A 350V 15W NPN
на замовлення 1634 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3439GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 350V 0.3A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+19.15 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3439GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 350V 0.3A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE344ON SemiconductorDescription: TRANS NPN 200V 500MA TO225AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE344ON SemiconductorBipolar Transistors - BJT 0.5A 200V 20W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE344STTO-126
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE344STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3440STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Fast Switching
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3440STTO-126
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3440Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE344GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 200V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+54.77 грн
16+47.31 грн
100+37.14 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE344GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 200V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+47.51 грн
18+42.02 грн
100+34.09 грн
500+27.61 грн
1000+20.71 грн
2500+16.04 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE344GON SemiconductorBipolar Transistors - BJT 0.5A 200V 20W NPN
на замовлення 1494 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE344GonsemiDescription: TRANS NPN 200V 0.5A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 15MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 20 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE344GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 200V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.