Продукція > RN1

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RN1112MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+1.61 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1112MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.05 грн
64+4.76 грн
100+3.18 грн
500+2.26 грн
1000+2.01 грн
2000+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1113
на замовлення 3515 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1113(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1113(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.05 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1113(T5L,F,T)ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN Single 100mA IC 50V VCEO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1113,LF(CTToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased 47kohm 50V 0.1A SOT-416
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1113,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1113,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1113,LXHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1113/XP
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1113ACT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
на замовлення 9990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.73 грн
23+13.51 грн
100+8.46 грн
500+5.87 грн
1000+5.20 грн
2000+4.63 грн
5000+3.95 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1113ACT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1113CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1113CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1113CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1113MFV(TPL3)ToshibaDigital Transistors 100mA 50volts 3Pin 47Kohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1113MFV(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1113MFV,L37FToshibaDigital Transistors Bias Resistor Built-in Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1113MFV,L3FToshibaDigital Transistors Bias Resistor NPN .1A 50V 47kohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1114
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1114(T5L,F,T)ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN Single 100mA IC 50V VCEO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1114(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1114(TE85L)TOSHIBASOT423-XQ
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1114(TE85L) SOT423-XQTOSHIBA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1114(TE85L)SOT416-XQTOSHIBA
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1114,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1114,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.32 грн
39+7.85 грн
100+4.88 грн
500+3.34 грн
1000+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1114,LFToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased 1kohm 10kohm 50V .1A SOT-416
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1114MFV(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1114MFV(TPL3)ToshibaDigital Transistors 50volts 100mA 3Pin 1.0Kohms x 10Kohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1114MFV,L3FToshibaDigital Transistors Bias Resistor Built-in Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1114MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 6394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.76 грн
42+7.25 грн
100+4.48 грн
500+3.06 грн
1000+2.69 грн
2000+2.38 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1114MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1114MFV,L3F(TToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VESM T/R
на замовлення 7600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4747+2.98 грн
5191+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 4747 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1114MFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1114MFV,L3F(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 7515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1114MFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1114MFV,L3F(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 7515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1114TE85LSOT416-XQTOSHIBA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1115,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 2783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.32 грн
39+7.85 грн
100+4.88 грн
500+3.34 грн
1000+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1115,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1115,LF(CTToshibaDigital Transistors Bias Resistor with Built-in Transistor
на замовлення 11609 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1115,LXHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=2.2kO, Q1BER=10kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1115MFV(TL3,T)ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor NPN 100mA 50V 2.2kohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1115MFV(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1115MFV(TPL3)ToshibaDigital Transistors 2.2Kohms x 10Kohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1115MFV,L3FToshibaDigital Transistors BIAS RESISTOR BUILT IN TRANSISTOR
на замовлення 8795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1115MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1115MFV,L3F(BToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW
на замовлення 9815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4274+3.31 грн
4412+3.21 грн
5000+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 4274 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1116TOSHIBA07+ SOT-523
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1116(TE85L)TOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1116(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.95 грн
18+17.06 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1116(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1116,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
на замовлення 10170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1116,LF(CTToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 100mW 3-Pin SSM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1116,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1116,LF(CTToshibaDigital Transistors TRANSISTOR
на замовлення 7390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1116,LXHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q TR NPN Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1116-XT
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1116F
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1116MFV(TL3,T)ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor NPN 100mA 50V 4.7kohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1116MFV(TPL3)ToshibaDigital Transistors 50volts 100mA 3Pin 4.7Kohms x 10Kohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1116MFV(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1116MFV,L3FToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor NPN .1A 50V 4.7kohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1116MFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1116MFV,L3F(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1116MFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1116MFV,L3F(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1116MFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1116MFV,L3F(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1116MFV,L3XGF(TToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VESM T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1767+8.01 грн
2153+6.57 грн
2522+5.61 грн
3055+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 1767 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1116XTTOSHIBASOT-423
на замовлення 12100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1117(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1117(T5L,F,T)ToshibaDigital Transistors BRT NPN Single 100mA IC 50V VCEO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1117(T5LFT)CTToshibaRN1117(T5LFT)CT RN1117(T5L,F,T) TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1117(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1117(TE85L,F)ToshibaDigital Transistors 10kohm 4.7kohm 0.1A SOT-416 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1117(TE85L,F)ToshibaТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1117(TE85L,F)ToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 100mW 3-Pin SSM T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1436+9.85 грн
Мінімальне замовлення: 1436 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1117(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.11 грн
34+9.06 грн
100+6.10 грн
500+4.38 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1117MFVToshibaDigital Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1117MFV(TL3,T)ToshibaDigital Transistors Bias Resistor NPN 100mA 50V 10kohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1117MFV(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1117MFV(TPL3)ToshibaDigital Transistors 50volts 100mA 3Pin 10Kohms x 4.7Kohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1117MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.97 грн
45+6.72 грн
100+4.14 грн
500+2.82 грн
1000+2.47 грн
2000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1117MFV,L3FToshibaDigital Transistors Bias Resistor NPN .1A 50V 10kohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1117MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+1.90 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1118(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1118(T5L,F,T)ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN Single 100mA IC 50V VCEO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1118(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1118(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1118(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.00 грн
13+23.25 грн
100+12.33 грн
500+7.62 грн
1000+5.18 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1118(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1118(TE85L,F)ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased 47kohm 10kohm 0.1A SOT-416 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1118MFV(TL3,T)ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor NPN 100mA 50V 47kohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1118MFV(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1118MFV(TPL3)ToshibaDigital Transistors 50volts 100mA 3Pin 47Kohms x 10Kohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1118MFV,L3FToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor NPN .1A 50V 47kohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1119MFV(TPL3)ToshibaDigital Transistors Bias Resistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1119MFV(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1119MFV,L37FToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1119MFV,L3FToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor NPN .1A 50V 1kohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN111PCSwitchcraftConn 1/4" Phone Jack F 2 POS 7.62mm Solder RA Thru-Hole 5 Terminal 1 Port
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN111PCSwitchcraft Inc.Description: CONN JACK MONO 6.35MM R/A
Features: Mounting Hardware
Packaging: Bulk
Connector Type: Phone Jack
Gender: Female
Mounting Type: Through Hole, Right Angle
Shielding: Unshielded
Number of Positions/Contacts: 2 Conductors, 2 Contacts
Internal Switch(s): Does Not Contain Switch
Signal Lines: Mono
Termination: Solder
Industry Recognized Mating Diameter: 6.35mm (0.250", 1/4") - Headphone
Part Status: Active
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+305.69 грн
10+250.36 грн
25+234.68 грн
50+209.70 грн
100+199.68 грн
300+184.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.