Продукція > Si1

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI1060-A-GMRSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25 MHz 16 kB +20 dBm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1060-A-GMRSilicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1060-A-GMRSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 36-WFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -126dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 175MHz, 425MHz ~ 525MHz, 850MHz ~ 1.05GHz
Memory Size: 64kB Flash 4kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm
Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 70mA ~ 85mA
Supplier Device Package: 36-QFN (5x6)
GPIO: 15
Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1061-A-GMSILICON LABSDescription: SILICON LABS - SI1061-A-GM - MCU, Application Specific, 32 bit, 25 MHz, 4 KB RAM/32 KB Program, 1.8V to 3.6V in, QFN-36
tariffCode: 85423119
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: 8051
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 32KB
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Betriebsfrequenz, max.: 25MHz
MCU-Familie: Si106x
SVHC: To Be Advised
RAM-Speichergröße: 4KB
MCU-Baureihe: -
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 11I/O(s)
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: Si106x Family Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1061-A-GMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 36-WFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -126dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Memory Size: 32kB Flash, 4kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm
Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 70mA ~ 85mA
Supplier Device Package: 36-QFN (5x6)
GPIO: 15
Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 490 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1061-A-GMSilicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+650.13 грн
10+643.53 грн
25+637.02 грн
50+608.09 грн
100+557.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1061-A-GMSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25 MHz 64 kB +20 dBm
на замовлення 2399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1061-A-GMSilicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1241.37 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1061-A-GMRSilicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1061-A-GMRSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25MHz 64kB +20dBm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1061-A-GMRSilicon LabsDescription: IC TXRX MCU 32KB 4KB RAM 36QFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1062-A-GMSilicon LabsQFN 36/64kB, 4kB RAM, +13 dBm, programmable XCVR, Pro2 SI1062
кількість в упаковці: 60 шт
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1062-A-GMSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25 MHz 32 kB +13 dBm
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1062-A-GMSilicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1062-A-GMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 36-WFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -126dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Memory Size: 64kB Flash 4kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 18mA ~ 29mA
Supplier Device Package: 36-QFN (5x6)
GPIO: 15
Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+555.72 грн
10+490.38 грн
25+445.75 грн
80+376.49 грн
230+368.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI1062-A-GMSilicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1062-A-GMRSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 36-WFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -126dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Memory Size: 64kB Flash 4kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 18mA ~ 29mA
Supplier Device Package: 36-QFN (5x6)
GPIO: 15
Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+403.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1062-A-GMRSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25 MHz 32 kB +13 dBm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1062-A-GMRSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 36-WFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -126dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Memory Size: 64kB Flash 4kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 18mA ~ 29mA
Supplier Device Package: 36-QFN (5x6)
GPIO: 15
Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 3879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+721.89 грн
10+603.75 грн
25+571.92 грн
100+495.70 грн
250+471.14 грн
500+453.80 грн
1000+438.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI1062X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.53A 3-Pin SC-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1062X-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V Vds 8V Vgs SC89-3
на замовлення 29288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1062X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.53A 3-Pin SC-89 T/R
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1062X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V SC89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 220mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
на замовлення 84765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.65 грн
20+15.77 грн
50+11.32 грн
100+9.28 грн
500+6.89 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1062X-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1062X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 530 mA, 0.42 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 530mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 220mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.42ohm
на замовлення 9455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1062X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.53A 3-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1062X-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 0.53A; Idm: 2A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.53A
Power dissipation: 0.22W
Case: SC89; SOT563
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 762mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 2A
Gate charge: 2.7nC
Technology: TrenchFET®
на замовлення 1036 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+26.19 грн
29+14.84 грн
50+10.23 грн
100+8.81 грн
500+6.29 грн
1000+5.45 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1062X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.53A 3-Pin SC-89 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.36 грн
12000+8.56 грн
18000+7.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1062X-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1062X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 530 mA, 0.42 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 530mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 220mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.42ohm
на замовлення 9455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1062X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.53A 3-Pin SC-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1062X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.53A 3-Pin SC-89 T/R
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1062X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V SC89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 220mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.68 грн
9000+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1063-A-GMSILICON LABSDescription: SILICON LABS - SI1063-A-GM - MCU, Application Specific, 32 bit, 25 MHz, 4 KB RAM/32 KB Program, 1.8V to 3.6V in, QFN-36
tariffCode: 85423119
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: 8051
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 32KB
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Betriebsfrequenz, max.: 25MHz
MCU-Familie: Si106x
SVHC: To Be Advised
RAM-Speichergröße: 4KB
MCU-Baureihe: -
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 11I/O(s)
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: Si106x Family Microcontrollers
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1063-A-GMSilicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1063-A-GMSilicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 490 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1063-A-GMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 36-WFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -126dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Memory Size: 32kB Flash, 4kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 18mA ~ 29mA
Supplier Device Package: 36-QFN (5x6)
GPIO: 15
Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+521.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI1063-A-GMSilicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1063-A-GMSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25 MHz 64 kB +13 dBm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1063-A-GMRSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 36-WFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -126dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Memory Size: 32kB Flash, 4kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 18mA ~ 29mA
Supplier Device Package: 36-QFN (5x6)
GPIO: 15
Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1063-A-GMRSilicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1063-A-GMRSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25 MHz 64 kB +13 dBm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1064-A-GMSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25MHz 32kB +13dBm
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1064-A-GMSilicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+396.02 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1064-A-GMSilicon LabsQFN 36/64kB, 4kB RAM, +13 dBm, programmable XCVR, EZRadio SI1064
кількість в упаковці: 60 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1064-A-GMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 36-WFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -116dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 283MHz ~ 350MHz, 425MHz ~ 525MHz, 850MHz ~ 960MHz
Memory Size: 64kB Flash 4kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA
Data Rate (Max): 500kbps
Current - Transmitting: 18mA ~ 29mA
Supplier Device Package: 36-QFN (5x6)
GPIO: 15
Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+484.40 грн
10+427.66 грн
25+388.80 грн
80+328.37 грн
230+321.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI1064-A-GMSilicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1064-A-GMRSilicon LabsDescription: IC TXRX MCU 64KB 4KB RAM 36QFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1064-A-GMRSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25MHz 32kB +13dBm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1065-A-GMSilicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 490 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1065-A-GMSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25 Hz 64 kB +13 dBm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1065-A-GMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 36-WFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -116dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 283MHz ~ 350MHz, 425MHz ~ 525MHz, 850MHz ~ 960MHz
Memory Size: 32kB Flash, 4kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA
Data Rate (Max): 500kbps
Current - Transmitting: 18mA ~ 29mA
Supplier Device Package: 36-QFN (5x6)
GPIO: 15
Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+436.58 грн
10+385.24 грн
25+350.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI1065-A-GMRSilicon LabsQFN 36/I°/32KB, 4KB RAM, +13 DBM, PROGRAMMABLE XCVR, EZRADIO SI1065
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1065-A-GMRSilicon LabsDescription: IC TXRX MCU 32KB 4KB RAM 36QFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1065-A-GMRSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25MHz 64kB +13dBm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1065X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 1.18A SOT563F
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1065X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 1.18A SOT563F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1065X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 1.18A SOT563F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1065X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 1.18A SC89-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1065X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 1.18A SC89-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1065X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 1.18A SC89-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1067X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 1.06A SOT563F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1067X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 1.06A SOT563F
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1067X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 1.06A SOT563F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1067X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 1.06A SC89-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1069X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1069X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6
на замовлення 1851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1069X-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 0.94A 0.236W 184 mohms @ 4.5V
на замовлення 2705 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1069X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1069X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6
на замовлення 1851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1070X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 1.2A SC89-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1070X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 1.2A SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1070X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 1.2A SC89-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1070X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 1.2A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 1578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+14.57 грн
53+14.28 грн
100+13.63 грн
250+12.49 грн
500+11.87 грн
1000+11.76 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1070X-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1070X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.099 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.55V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 236mW
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1070X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 1.2A SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1070X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 1.2A 6-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1070X-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1070X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.099 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.55V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 236mW
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1070X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 1.2A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 1578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1031+13.72 грн
Мінімальне замовлення: 1031 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1070X-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 12V Vgs SC89-6
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si1071X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 0.96A SOT563F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 960mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 167mOhm @ 960mA, 10V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1071X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 0.96A SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 960mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 167mOhm @ 960mA, 10V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1071X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 0.96A SC89-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 960mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 167mOhm @ 960mA, 10V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1072X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 1.3A SC89-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1072X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 1.3A SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1072X-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 958 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1072X-T1-GE3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1072X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1073X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 0.98A SC89-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1073X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 0.98A SC89-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 980mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 173mOhm @ 980mA, 10V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1073X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 0.98A SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 980mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 173mOhm @ 980mA, 10V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1073X-T1-GE3VISHAYSOT26
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1077X-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 1.75A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+19.01 грн
69+10.97 грн
70+10.85 грн
100+10.08 грн
250+8.99 грн
500+8.29 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1077X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.75A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 1.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 330mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.1 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1077X-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -1.75A; Idm: -8A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.75A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC89; SOT563
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 188mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1077X-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 1.75A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1077X-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 1.75A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1077X-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1077X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.75 A, 0.065 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 330mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 330mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-563
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1077X-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 8V Vgs SC89-6
на замовлення 20874 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1077X-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 1.75A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1342+10.54 грн
1351+10.48 грн
1367+10.35 грн
Мінімальне замовлення: 1342 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1077X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V SC89-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.75A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 1.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 330mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.1 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 10 V
на замовлення 4304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.27 грн
14+23.17 грн
100+13.32 грн
500+11.02 грн
1000+9.87 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1077X-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1077X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.75 A, 0.065 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 330mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.