Продукція > Si1
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SI1050X-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1050X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 1.34 A, 0.12 ohm, SC-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 8V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 350mV euEccn: NLR Verlustleistung: 236mW Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 6Pins Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 1.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 5907 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI1050X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 8V 1.34A 6-Pin SC-89 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI1050X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 8V 1.34A SC89-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.34A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 1.34A, 4.5V Power Dissipation (Max): 236mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±5V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585 pF @ 4 V | на замовлення 34821 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI1051X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1051X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 4 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.45 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Vgs (Max): ±5V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 236mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 1.2A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1054X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 12V 1.32A SC89-6 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 6 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.57 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 236mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 1.32A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.32A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1054X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 12V 1.32A SC89-6 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 6 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.57 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 236mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 1.32A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.32A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1056X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 1.32A SC89-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.32A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 1.32A, 4.5V Power Dissipation (Max): 236mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1056X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V SC89-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.32A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 1.32A, 4.5V Power Dissipation (Max): 236mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1058X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 1.3A SC89-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 1.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 236mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1058X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V SC89-6 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA Power Dissipation (Max): 236mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 1.3A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI106-101 | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI106-220 | на замовлення 280 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1060-A-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36QFN DigiKey Programmable: Not Verified Part Status: Active Serial Interfaces: I2C, SPI, UART RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, OOK GPIO: 15 Supplier Device Package: 36-QFN (5x6) Current - Transmitting: 70mA ~ 85mA Data Rate (Max): 1Mbps Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA Power - Output: 20dBm Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Type: TxRx + MCU Memory Size: 64kB Flash 4kB RAM Frequency: 142MHz ~ 175MHz, 425MHz ~ 525MHz, 850MHz ~ 1.05GHz Mounting Type: Surface Mount Sensitivity: -126dBm Package / Case: 36-WFQFN Exposed Pad Packaging: Tray | на замовлення 2071 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI1060-A-GM | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2450 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1060-A-GM | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25 MHz 16 kB +20 dBm | на замовлення 2643 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1060-A-GM | Silicon Labs | QFN 36/64kB, 4kB RAM, +20 dBm, programmable XCVR, Pro2 SI1060 кількість в упаковці: 60 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1060-A-GMR | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1060-A-GMR | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25 MHz 16 kB +20 dBm | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1060-A-GMR | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36QFN DigiKey Programmable: Not Verified Serial Interfaces: I2C, SPI, UART RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, OOK GPIO: 15 Supplier Device Package: 36-QFN (5x6) Current - Transmitting: 70mA ~ 85mA Data Rate (Max): 1Mbps Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA Power - Output: 20dBm Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Type: TxRx + MCU Memory Size: 64kB Flash 4kB RAM Frequency: 142MHz ~ 175MHz, 425MHz ~ 525MHz, 850MHz ~ 1.05GHz Mounting Type: Surface Mount Sensitivity: -126dBm Package / Case: 36-WFQFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1061-A-GM | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray | на замовлення 340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI1061-A-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36QFN DigiKey Programmable: Not Verified Part Status: Active Serial Interfaces: I2C, SPI, UART RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, OOK GPIO: 15 Supplier Device Package: 36-QFN (5x6) Current - Transmitting: 70mA ~ 85mA Data Rate (Max): 1Mbps Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA Power - Output: 20dBm Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Type: TxRx + MCU Memory Size: 32kB Flash, 4kB RAM Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz Mounting Type: Surface Mount Sensitivity: -126dBm Package / Case: 36-WFQFN Exposed Pad Packaging: Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 490 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1061-A-GM | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray | на замовлення 340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI1061-A-GM | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25 MHz 64 kB +20 dBm | на замовлення 2399 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1061-A-GM | SILICON LABS | Description: SILICON LABS - SI1061-A-GM - MCU, Application Specific, 32 bit, 25 MHz, 4 KB RAM/32 KB Program, 1.8V to 3.6V in, QFN-36 tariffCode: 85423119 euEccn: NLR rohsCompliant: YES ADC-Auflösung: 10 Bit IC-Montage: Oberflächenmontage Bausteinkern: 8051 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: QFN MSL: MSL 2 - 1 Jahr Betriebstemperatur, min.: -40°C ADC-Kanäle: - Programmspeichergröße: 32KB Versorgungsspannung, min.: 1.8V Betriebsfrequenz, max.: 25MHz MCU-Familie: Si106x SVHC: To Be Advised RAM-Speichergröße: 4KB MCU-Baureihe: - Anzahl der Ein-/Ausgänge: 11I/O(s) Anzahl der Pins: 36Pin(s) Produktpalette: Si106x Family Microcontrollers productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: I2C, SPI, UART Betriebstemperatur, max.: 85°C | на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI1061-A-GMR | Silicon Labs | Description: IC TXRX MCU 32KB 4KB RAM 36QFN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1061-A-GMR | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25MHz 64kB +20dBm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1061-A-GMR | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1062-A-GM | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2450 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1062-A-GM | Silicon Labs | QFN 36/64kB, 4kB RAM, +13 dBm, programmable XCVR, Pro2 SI1062 кількість в упаковці: 60 шт | на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1062-A-GM | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2450 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1062-A-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36QFN DigiKey Programmable: Not Verified Part Status: Active Serial Interfaces: I2C, SPI, UART RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, OOK GPIO: 15 Supplier Device Package: 36-QFN (5x6) Current - Transmitting: 18mA ~ 29mA Data Rate (Max): 1Mbps Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA Power - Output: 13dBm Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Type: TxRx + MCU Memory Size: 64kB Flash 4kB RAM Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz Mounting Type: Surface Mount Sensitivity: -126dBm Package / Case: 36-WFQFN Exposed Pad Packaging: Tray | на замовлення 2442 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI1062-A-GM | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25 MHz 32 kB +13 dBm | на замовлення 171 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1062-A-GMR | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36QFN DigiKey Programmable: Not Verified Serial Interfaces: I2C, SPI, UART RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, OOK GPIO: 15 Supplier Device Package: 36-QFN (5x6) Current - Transmitting: 18mA ~ 29mA Data Rate (Max): 1Mbps Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA Power - Output: 13dBm Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Type: TxRx + MCU Memory Size: 64kB Flash 4kB RAM Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz Mounting Type: Surface Mount Sensitivity: -126dBm Package / Case: 36-WFQFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI1062-A-GMR | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25 MHz 32 kB +13 dBm | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1062-A-GMR | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36QFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 36-WFQFN Exposed Pad Sensitivity: -126dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz Memory Size: 64kB Flash 4kB RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 13dBm Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA Data Rate (Max): 1Mbps Current - Transmitting: 18mA ~ 29mA Supplier Device Package: 36-QFN (5x6) GPIO: 15 Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I2C, SPI, UART DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 3879 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI1062X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.53A 3-Pin SC-89 T/R | на замовлення 137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 115 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1062X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V SC89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 220mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V | на замовлення 186000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI1062X-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1062X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 530 mA, 0.42 ohm, SC-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 530mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 220mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.42ohm | на замовлення 9455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI1062X-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 20V Vds 8V Vgs SC89-3 | на замовлення 43660 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1062X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.53A 3-Pin SC-89 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1062X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.53A 3-Pin SC-89 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI1062X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V SC89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 220mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V | на замовлення 188477 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI1062X-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1062X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 530 mA, 0.42 ohm, SC-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 530mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 220mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.42ohm | на замовлення 9455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI1062X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.53A 3-Pin SC-89 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI1062X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.53A 3-Pin SC-89 T/R | на замовлення 137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1062X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 0.53A 3-Pin SC-89 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI1062X-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 0.53A; Idm: 2A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.53A Pulsed drain current: 2A Power dissipation: 0.22W Case: SC89; SOT563 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 762mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 2.7nC Technology: TrenchFET® | на замовлення 36 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI1063-A-GM | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 490 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1063-A-GM | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1063-A-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36QFN Part Status: Active Serial Interfaces: I2C, SPI, UART RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, OOK GPIO: 15 Supplier Device Package: 36-QFN (5x6) Current - Transmitting: 18mA ~ 29mA Data Rate (Max): 1Mbps Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA Power - Output: 13dBm Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Type: TxRx + MCU Memory Size: 32kB Flash, 4kB RAM Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz Mounting Type: Surface Mount Sensitivity: -126dBm Package / Case: 36-WFQFN Exposed Pad Packaging: Tray DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI1063-A-GM | SILICON LABS | Description: SILICON LABS - SI1063-A-GM - MCU, Application Specific, 32 bit, 25 MHz, 4 KB RAM/32 KB Program, 1.8V to 3.6V in, QFN-36 tariffCode: 85423119 euEccn: NLR rohsCompliant: YES ADC-Auflösung: 10 Bit IC-Montage: Oberflächenmontage Bausteinkern: 8051 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: QFN MSL: MSL 2 - 1 Jahr Betriebstemperatur, min.: -40°C ADC-Kanäle: - Programmspeichergröße: 32KB Versorgungsspannung, min.: 1.8V Betriebsfrequenz, max.: 25MHz MCU-Familie: Si106x SVHC: To Be Advised RAM-Speichergröße: 4KB MCU-Baureihe: - Anzahl der Ein-/Ausgänge: 11I/O(s) Anzahl der Pins: 36Pin(s) Produktpalette: Si106x Family Microcontrollers productTraceability: No usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: I2C, SPI, UART Betriebstemperatur, max.: 85°C | на замовлення 384 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI1063-A-GM | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25 MHz 64 kB +13 dBm | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2450 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1063-A-GM | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1063-A-GMR | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1063-A-GMR | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36QFN DigiKey Programmable: Not Verified Serial Interfaces: I2C, SPI, UART RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, OOK GPIO: 15 Supplier Device Package: 36-QFN (5x6) Current - Transmitting: 18mA ~ 29mA Data Rate (Max): 1Mbps Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA Power - Output: 13dBm Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Type: TxRx + MCU Memory Size: 32kB Flash, 4kB RAM Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz Mounting Type: Surface Mount Sensitivity: -126dBm Package / Case: 36-WFQFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1063-A-GMR | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25 MHz 64 kB +13 dBm | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1064-A-GM | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI1064-A-GM | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1064-A-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36QFN DigiKey Programmable: Not Verified Part Status: Active Serial Interfaces: I2C, SPI, UART RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, OOK GPIO: 15 Supplier Device Package: 36-QFN (5x6) Current - Transmitting: 18mA ~ 29mA Data Rate (Max): 500kbps Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA Power - Output: 13dBm Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Type: TxRx + MCU Memory Size: 64kB Flash 4kB RAM Frequency: 283MHz ~ 350MHz, 425MHz ~ 525MHz, 850MHz ~ 960MHz Mounting Type: Surface Mount Sensitivity: -116dBm Package / Case: 36-WFQFN Exposed Pad Packaging: Tray | на замовлення 2420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI1064-A-GM | Silicon Labs | QFN 36/64kB, 4kB RAM, +13 dBm, programmable XCVR, EZRadio SI1064 кількість в упаковці: 60 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1064-A-GM | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25MHz 32kB +13dBm | на замовлення 434 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1064-A-GMR | Silicon Labs | Description: IC TXRX MCU 64KB 4KB RAM 36QFN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1064-A-GMR | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25MHz 32kB +13dBm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1065-A-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36QFN DigiKey Programmable: Not Verified Part Status: Active Serial Interfaces: I2C, SPI, UART RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, OOK GPIO: 15 Supplier Device Package: 36-QFN (5x6) Current - Transmitting: 18mA ~ 29mA Data Rate (Max): 500kbps Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA Power - Output: 13dBm Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Type: TxRx + MCU Memory Size: 32kB Flash, 4kB RAM Frequency: 283MHz ~ 350MHz, 425MHz ~ 525MHz, 850MHz ~ 960MHz Mounting Type: Surface Mount Sensitivity: -116dBm Package / Case: 36-WFQFN Exposed Pad Packaging: Tray | на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI1065-A-GM | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25 Hz 64 kB +13 dBm | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2450 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1065-A-GM | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 490 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1065-A-GMR | Silicon Labs | QFN 36/I°/32KB, 4KB RAM, +13 DBM, PROGRAMMABLE XCVR, EZRADIO SI1065 кількість в упаковці: 2500 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1065-A-GMR | Silicon Labs | Description: IC TXRX MCU 32KB 4KB RAM 36QFN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1065-A-GMR | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25MHz 64kB +13dBm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1065X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 12V 1.18A SOT563F | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1065X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 12V 1.18A SOT563F | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1065X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 12V 1.18A SOT563F | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1065X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 12V 1.18A SC89-6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1065X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 12V 1.18A SC89-6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1065X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 12V 1.18A SC89-6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1067X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 1.06A SOT563F | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1067X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 1.06A SOT563F | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1067X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 1.06A SOT563F | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1067X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 1.06A SC89-6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1069X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1069X-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 20V 0.94A 0.236W 184 mohms @ 4.5V | на замовлення 2705 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1069X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6 | на замовлення 1851 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1069X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1069X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6 | на замовлення 1851 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1070X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 1.2A SC89-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 1.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 236mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1070X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 1.2A SC89-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 1.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 236mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1070X-T1-GE3 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1070X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 1.2A SC89-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 1.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 236mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1070X-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1070X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.099 ohm, SC-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.55V euEccn: NLR Verlustleistung: 236mW Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI1070X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 1.2A 6-Pin SC-89 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1070X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 1.2A 6-Pin SC-89 T/R | на замовлення 1578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI1070X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 1.2A SC89-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 1.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 236mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1070X-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 30V Vds 12V Vgs SC89-6 | на замовлення 111 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1070X-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1070X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.099 ohm, SC-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.55V euEccn: NLR Verlustleistung: 236mW Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI1070X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 1.2A 6-Pin SC-89 T/R | на замовлення 1578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| Si1071X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 0.96A SOT563F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 960mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 167mOhm @ 960mA, 10V Power Dissipation (Max): 236mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1071X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 0.96A SC89-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 960mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 167mOhm @ 960mA, 10V Power Dissipation (Max): 236mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1071X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 0.96A SC89-6 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA Power Dissipation (Max): 236mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 167mOhm @ 960mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 960mA (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1072X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 1.3A SC89-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.3A, 10V Power Dissipation (Max): 236mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |