Продукція > TK2

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
TK2R4A08QM,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
83+111.64 грн
Мінімальне замовлення: 83 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK2R4A08QM,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS10 TO-220SIS 80V 2.4MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.44mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.2mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 40 V
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+280.61 грн
50+137.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK2R4A08QM,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 83 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK2R4A08QM,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK2R4A08QM,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 0.00188 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 116A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00188ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK2R4A08QMS4X(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK2R4E08QM,S1XToshibaMOSFETs UMOS10 TO-220AB 80V 2.4mohm
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK2R4E08QM,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS10 TO-220AB 80V 2.4MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.44mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.2mA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 40 V
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+217.90 грн
50+166.38 грн
100+142.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK2R4E08QM,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK2R4E08QM,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 290 A, 0.00197 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 290A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00197ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK2R4E08QMS1X(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK2R9E10PLToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK2R9E10PL,S1XToshibaMOSFETs Power MOSFET ID=240A VDSS=100V
на замовлення 641 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK2R9E10PL,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 240A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK2R9E10PL,S1X
Код товару: 189702
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK2R9E10PL,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 240A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK2R9E10PL,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 240A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK2R9E10PL,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+351.15 грн
10+224.02 грн
50+174.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK2R9E10PL,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK2R9E10PL,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 2400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 306W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK2R9E10PL,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 240A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+313.77 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK2R9E10PLS1X(SToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.