Продукція > ZXT
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ZXTN2005ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 25V 5.5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN2005ZTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN2005ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 5.5 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 336 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2005ZTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 25V 5.5A SOT-89-3 Power - Max: 2.1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-89-3 Frequency - Transition: 150MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 150mA, 6.5A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 38253 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2005ZTA | на замовлення 32000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZXTN2005ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 25V 5.5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN2007G | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN2007G | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN2007GTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 30V 7A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN2007GTA | onsemi | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN2007GTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 30V 7A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN2007GTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 30V 7A SOT-223-3 Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-223-3 Frequency - Transition: 140MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 300mA, 6.5A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Power - Max: 3 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 7 A | на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2007GTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 30V 7A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2007GTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 30V 7A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN2007GTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 30V NPN Low Sat | на замовлення 1496 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2007GTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 30V 7A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN2007GTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 30V 7A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 9 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN2007GTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 30V 7A SOT-223-3 Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-223-3 Frequency - Transition: 140MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 300mA, 6.5A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Cut Tape (CT) Power - Max: 3 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V | на замовлення 7687 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2007GTA | Diodes Inc./Zetex | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN2007GTA (біполярний транзистор NPN) Код товару: 26532
1
Додати до обраних
Обраний товар
| Zetex | Транзистори > Біполярні NPN Корпус: SOT-223 fT: 140 MHz Uceo,V: 30 V Ucbo,V: 80 V Ic,A: 7 А h21: 300 Монтаж: SMD | у наявності: 40 шт
|
| ||||||||||||||
| ZXTN2007Z | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN2007ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 30V 6A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 146000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2007ZTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 30V 6A SOT-89-3 Power - Max: 2.1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-89-3 Frequency - Transition: 140MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 300mA, 6.5A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 48478 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2007ZTA | на замовлення 32000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZXTN2007ZTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN2007ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 6 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 6A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 140MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 67 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 67 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN2007ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 30V 6A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN2007ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 30V 6A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN2007ZTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 30V 6A SOT-89-3 Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 2.1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-89-3 Frequency - Transition: 140MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 300mA, 6.5A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN | на замовлення 46000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2007ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 30V 6A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2007ZTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN2007ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 6 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 6A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 140MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 67 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2007ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 30V 6A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2007ZTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 30V NPN Low Sat | на замовлення 1997 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2010 | на замовлення 313 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZXTN2010A | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 4.5A 710mW 3-Pin E-Line | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN2010A | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 60V 4.5A E-LINE Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 4.5 A Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Frequency - Transition: 130MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 200mA, 5A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: E-Line-3 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN2010A | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN2010A | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 60V NPN Low Sat | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN2010A | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 60V 4.5A E-LINE Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 4.5 A Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Frequency - Transition: 130MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 200mA, 5A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: E-Line-3 Packaging: Bulk | на замовлення 6844 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2010ASTOA | Diodes Inc | Description: TRANSISTOR NPN 60V TO92-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN2010ASTZ | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 4.5A 710mW 3-Pin E-Line T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2010ASTZ | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 60V NPN Low Sat | на замовлення 2613 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2010ASTZ | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 60V 4.5A E-LINE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 200mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 710 mW | на замовлення 1938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2010ASTZ | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 4.5A 710mW 3-Pin E-Line T/R | на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2010ASTZ | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 60V 4.5A E-LINE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 200mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 710 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN2010ASTZ | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 4.5A 710mW 3-Pin E-Line T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN2010G | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN2010GTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2010GTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN2010GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 6 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 6A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 1006 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2010GTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2010GTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2010GTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN2010GTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 60V 6A SOT-223-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 3 W | на замовлення 13129 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2010GTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2010GTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 35 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN2010GTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN2010GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 6 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 6A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 1006 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2010GTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 294000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2010GTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2010GTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 35 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN2010GTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 60V NPN Low Sat | на замовлення 2025 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2010GTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 60V 6A SOT-223-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 3 W | на замовлення 13000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2010GTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2010GTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 256000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2010GTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN2010GTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 85000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2010Z | Diodes Inc./Zetex | TRANS NPN LO SAT 60V 5A SOT89 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN2010Z | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN2010Z | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN2010Z-13R | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN2010ZQTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN2010ZQTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 5 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 55hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 684 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2010ZQTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 60V 5A SOT-89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 230mV @ 300mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2.1 W Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2010ZQTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2010ZQTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN2010ZQTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 5 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 55hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 684 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2010ZQTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 60V 5A SOT-89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 230mV @ 300mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2.1 W Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN2010ZQTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor | на замовлення 319 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2010ZQTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN2010ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2010ZTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 60V 5A SOT-89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 230mV @ 300mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2.1 W | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2010ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2010ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2010ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN2010ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 68600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2010ZTA Код товару: 118424
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| ZXTN2010ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 157000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2010ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2010ZTA | DIODES/ZETEX | Trans GP BJT NPN 60V 5A 2100mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R ODPOWIEDNIK: ZXTN2010ZTA-DIO-0; ZXTN2010ZTA TZXTN2010ZTA Diodes кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 990 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2010ZTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN2010ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 5 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 559 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2010ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 62000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2010ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2010ZTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 60V NPN Med Power | на замовлення 4939 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2010ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 1073000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2010ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2010ZTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 60V 5A SOT-89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 230mV @ 300mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2.1 W | на замовлення 30248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2010ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2010ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 3444000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2010ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN2010ZTA | Diodes Inc./Zetex | TRANS NPN LO SAT 60V 5A SOT89 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN2010ZTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN2010ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 5 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 559 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2010ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 62000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2010ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 9708000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2010ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 818000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2011GTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 100V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

