Продукція > ZXT
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ZXTN2010A | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 60V 4.5A E-LINE Packaging: Bulk Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 200mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Current - Collector (Ic) (Max): 4.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN2010A | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 60V NPN Low Sat | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN2010A | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 4.5A 710mW 3-Pin E-Line | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN2010A | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 60V 4.5A E-LINE Packaging: Bulk Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 200mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Current - Collector (Ic) (Max): 4.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W | на замовлення 6844 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2010ASTOA | Diodes Inc | Description: TRANSISTOR NPN 60V TO92-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN2010ASTZ | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 60V 4.5A E-LINE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 200mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 710 mW | на замовлення 1938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2010ASTZ | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 60V NPN Low Sat | на замовлення 2381 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN2010ASTZ | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 4.5A 710mW 3-Pin E-Line T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN2010ASTZ | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 4.5A 710mW 3-Pin E-Line T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2010ASTZ | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 60V 4.5A E-LINE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 200mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 710 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN2010ASTZ | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 4.5A 710mW 3-Pin E-Line T/R | на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2010G | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN2010GTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 294000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2010GTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2010GTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 35 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN2010GTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2010GTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 256000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2010GTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN2010GTA | DIODES INCORPORATED | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 6A; 1.6W; SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 6A Power dissipation: 1.6W Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 130MHz Manufacturer standard package: 1000pcs. | на замовлення 416 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2010GTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 60V 6A SOT-223-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 3 W | на замовлення 13129 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2010GTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN2010GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 6 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 1.6W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 6A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN2010GTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 85000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2010GTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2010GTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2010GTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2010GTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN2010GTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 60V 6A SOT-223-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 3 W | на замовлення 13000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2010GTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 60V NPN Low Sat | на замовлення 870 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN2010GTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2010GTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 35 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN2010GTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN2010GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 6 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 1.6W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 6A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN2010Z | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN2010Z | Diodes Inc./Zetex | ZXTN2010Z TRANS NPN LO SAT 60V 5A SOT89 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN2010Z | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN2010Z-13R | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN2010ZQTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN2010ZQTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 5 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 55hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 2.1W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN2010ZQTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN2010ZQTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 60V 5A SOT-89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 230mV @ 300mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2.1 W Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2010ZQTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN2010ZQTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 5 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 55hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 2.1W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN2010ZQTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 60V 5A SOT-89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 230mV @ 300mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2.1 W Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN2010ZQTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor | на замовлення 2270 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN2010ZQTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2010ZTA Код товару: 118424
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| ZXTN2010ZTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 60V 5A SOT-89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 230mV @ 300mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2.1 W | на замовлення 28000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2010ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2010ZTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN2010ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 5 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 1.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 39 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN2010ZTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 60V NPN Med Power | на замовлення 4997 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN2010ZTA | Diodes Inc./Zetex | TRANS NPN LO SAT 60V 5A SOT89 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN2010ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 59400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2010ZTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 60V 5A SOT-89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 230mV @ 300mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2.1 W | на замовлення 28444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2010ZTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN2010ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 5 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 1.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN2010ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2010ZTA | DIODES/ZETEX | Trans GP BJT NPN 60V 5A 2100mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R ODPOWIEDNIK: ZXTN2010ZTA-DIO-0; ZXTN2010ZTA TZXTN2010ZTA Diodes кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 990 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2011GTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 100V NPN Med Power | на замовлення 1640 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN2011GTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 100V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2011GTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 100V 6A SOT-223-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 3 W | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2011GTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 100V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 892 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2011GTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN2011GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 6A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 229 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN2011GTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 100V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 892 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 367 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN2011GTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 100V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2011GTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 100V 6A SOT-223-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 3 W | на замовлення 25301 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2011GTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN2011GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 6A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 229 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN2011GTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 100V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN2011Z | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN2011Z | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN2011ZTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 100V 4.5A SOT-89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 195mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 2.1 W | на замовлення 24990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2011ZTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN2011ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4.5 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 4.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 209 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN2011ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 100V 4.5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 23000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2011ZTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 100V NPN Med Power | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN2011ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 100V 4.5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN2011ZTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 100V 4.5A SOT-89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 195mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 2.1 W | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2011ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 100V 4.5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2011ZTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN2011ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4.5 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 4.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 209 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN2011ZTA | DIODES/ZETEX | Trans GP BJT NPN 100V 4.5A 2100mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R ZXTN2011ZTA TZXTN2011ZTA Diodes кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2011ZTA | DIODES INCORPORATED | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 4.5A; 2.1W; SOT89 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 4.5A Power dissipation: 2.1W Case: SOT89 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 130MHz Current gain: 10...300 Manufacturer standard package: 1000pcs. | на замовлення 75 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2011ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 100V 4.5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN2018FQTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 60V 5A SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 300mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 8456 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2018FQTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN2018FQTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 5 A, 1.2 W, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 553 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN2018FQTA | Diodes Zetex | NPN Medium Power Transistor Automotive AEC-Q101 | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2018FQTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 60V 5A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 300mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2018FQTA | Diodes Zetex | NPN Medium Power Transistor Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN2018FQTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN2018FQTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 5 A, 1.2 W, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 553 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN2018FQTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor | на замовлення 247 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN2018FTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 5A 1560mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2394 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2018FTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 60V 5A SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 300mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.2 W | на замовлення 28431 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2018FTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT NPN 60V Transistor | на замовлення 8434 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN2018FTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 5A 1560mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 266 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN2018FTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 5A 1560mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2018FTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 60V 5A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 300mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.2 W | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2018FTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 5A 1560mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN2020F | Diodes Inc./Zetex | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN2020FTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 100V 4A 1560mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2020FTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 100V 4A 1560mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2020FTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT NPN 100V Transistor | на замовлення 24014 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN2020FTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 100V 4A 1560mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2020FTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 100V 4A 1560mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2020FTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 100V 4A 1560mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN2020FTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 100V 4A 1560mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2020FTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 100V 4A 1560mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN2020FTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 100V 4A 1560mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. |

