Продукція > ZXT

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
ZXTN2010ADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 4.5A E-LINE
Packaging: Bulk
Package / Case: E-Line-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 200mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Current - Collector (Ic) (Max): 4.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010ADiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 60V NPN Low Sat
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010ADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 60V 4.5A 710mW 3-Pin E-Line
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010ADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 4.5A E-LINE
Packaging: Bulk
Package / Case: E-Line-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 200mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Current - Collector (Ic) (Max): 4.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 6844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.00 грн
10+56.01 грн
100+39.04 грн
500+29.45 грн
1000+27.10 грн
4000+23.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010ASTOADiodes IncDescription: TRANSISTOR NPN 60V TO92-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010ASTZDiodes ZetexTrans GP BJT NPN 60V 4.5A 710mW 3-Pin E-Line T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+33.94 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010ASTZDiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 4.5A E-LINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: E-Line-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 200mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 710 mW
на замовлення 1938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.33 грн
10+61.29 грн
100+40.81 грн
500+30.05 грн
1000+27.40 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010ASTZDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 60V NPN Low Sat
на замовлення 2381 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010ASTZDiodes ZetexTrans GP BJT NPN 60V 4.5A 710mW 3-Pin E-Line T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010ASTZDiodes ZetexTrans GP BJT NPN 60V 4.5A 710mW 3-Pin E-Line T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+38.02 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010ASTZDiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 4.5A E-LINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: E-Line-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 200mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 710 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010GZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010GTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+20.29 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010GTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010GTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXTN2010GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 6 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010GTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 294000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+33.00 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010GTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
398+19.78 грн
Мінімальне замовлення: 398 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010GTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010GTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+38.11 грн
2000+33.50 грн
5000+32.72 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010GTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 256000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+29.47 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010GTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010GTADIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 6A; 1.6W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 6A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 130MHz
Manufacturer standard package: 1000pcs.
на замовлення 416 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+93.93 грн
10+60.38 грн
50+44.20 грн
100+38.33 грн
250+32.12 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010GTADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 6A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3 W
на замовлення 13129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.92 грн
10+55.17 грн
100+36.55 грн
500+26.79 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010GTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXTN2010GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 6 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010GTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 85000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+35.28 грн
2000+31.64 грн
3000+30.61 грн
5000+27.35 грн
7000+24.68 грн
10000+22.73 грн
25000+22.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010GTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+38.55 грн
2000+33.97 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010GTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+38.49 грн
2000+33.92 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010GTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+26.28 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010GTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010GTADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 6A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3 W
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+26.98 грн
2000+23.81 грн
3000+22.71 грн
5000+20.14 грн
7000+19.46 грн
10000+18.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010GTADiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 60V NPN Low Sat
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010ZZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010ZDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010ZDiodes Inc./ZetexZXTN2010Z TRANS NPN LO SAT 60V 5A SOT89 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010Z-13RDiodes ZetexTrans GP BJT NPN 60V 5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010ZQTADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 5A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 230mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2.1 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010ZQTADiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010ZQTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 60V 5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+39.60 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010ZQTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXTN2010ZQTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 5 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 55hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010ZQTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 60V 5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010ZQTADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 5A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 230mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2.1 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.65 грн
10+69.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010ZQTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXTN2010ZQTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 5 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 55hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010ZTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 60V 5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+40.06 грн
500+32.56 грн
1000+27.83 грн
Мінімальне замовлення: 235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010ZTADIODES/ZETEXTrans GP BJT NPN 60V 5A 2100mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R ODPOWIEDNIK: ZXTN2010ZTA-DIO-0; ZXTN2010ZTA TZXTN2010ZTA Diodes
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 990 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+13.83 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010ZTA
Код товару: 118424
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010ZTADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 5A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 230mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2.1 W
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+26.65 грн
2000+23.48 грн
3000+22.36 грн
5000+19.81 грн
7000+19.12 грн
10000+18.44 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010ZTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 60V 5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
354+40.06 грн
Мінімальне замовлення: 354 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010ZTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXTN2010ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 5 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010ZTADiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 60V NPN Med Power
на замовлення 4997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010ZTADiodes Inc./ZetexTRANS NPN LO SAT 60V 5A SOT89 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010ZTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 60V 5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 59400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
448+41.04 грн
1000+37.26 грн
2000+34.10 грн
3000+31.31 грн
5000+27.38 грн
7000+25.35 грн
10000+24.46 грн
Мінімальне замовлення: 448 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010ZTADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 5A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 230mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2.1 W
на замовлення 28444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.71 грн
10+55.10 грн
100+36.33 грн
500+26.52 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010ZTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXTN2010ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 5 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2011GTADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 6A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3 W
на замовлення 25301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.49 грн
10+56.46 грн
100+37.40 грн
500+27.42 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2011GTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXTN2011GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2011GTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 100V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2011GTADiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 100V NPN Med Power
на замовлення 1640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2011GTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 100V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+30.29 грн
2000+28.86 грн
3000+28.79 грн
5000+26.85 грн
7000+24.35 грн
10000+22.86 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2011GTADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 6A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3 W
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+27.60 грн
2000+24.36 грн
3000+23.23 грн
5000+20.61 грн
7000+19.91 грн
10000+19.22 грн
25000+18.81 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2011GTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 100V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
367+10.47 грн
500+10.30 грн
Мінімальне замовлення: 367 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2011GTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXTN2011GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2011GTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 100V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 367 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2011GTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 100V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+30.33 грн
2000+28.91 грн
3000+28.83 грн
5000+26.89 грн
7000+24.38 грн
10000+22.90 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2011ZZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2011ZDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2011ZTADIODES/ZETEXTrans GP BJT NPN 100V 4.5A 2100mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R ZXTN2011ZTA TZXTN2011ZTA Diodes
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+27.83 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2011ZTADIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 4.5A; 2.1W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 4.5A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 130MHz
Current gain: 10...300
Manufacturer standard package: 1000pcs.
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+74.06 грн
10+45.20 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2011ZTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 100V 4.5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2011ZTADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 4.5A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 195mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2.1 W
на замовлення 24990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.00 грн
10+52.68 грн
100+34.81 грн
500+25.45 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2011ZTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXTN2011ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4.5 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 4.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2011ZTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 100V 4.5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 23000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+30.36 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2011ZTADiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 100V NPN Med Power
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2011ZTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 100V 4.5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2011ZTADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 4.5A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 195mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2.1 W
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+25.60 грн
2000+22.57 грн
3000+21.50 грн
5000+19.06 грн
7000+18.40 грн
10000+17.75 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2011ZTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 100V 4.5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+27.11 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2011ZTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXTN2011ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4.5 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 4.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2018FQTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXTN2018FQTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 5 A, 1.2 W, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2018FQTADiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2018FQTADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 5A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.76 грн
10+42.27 грн
100+27.69 грн
500+20.07 грн
1000+18.17 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2018FQTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXTN2018FQTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 5 A, 1.2 W, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2018FQTADiodes ZetexNPN Medium Power Transistor Automotive AEC-Q101
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2018FQTADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 5A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.43 грн
6000+15.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2018FQTADiodes ZetexNPN Medium Power Transistor Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2018FTADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 5A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.2 W
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.31 грн
9000+24.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2018FTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 60V 5A 1560mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2018FTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 60V 5A 1560mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
479+29.57 грн
Мінімальне замовлення: 479 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2018FTADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 5A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.2 W
на замовлення 28431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.73 грн
10+66.50 грн
25+56.01 грн
50+46.44 грн
100+41.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2018FTADiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT NPN 60V Transistor
на замовлення 8434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2018FTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 60V 5A 1560mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 266 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2018FTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 60V 5A 1560mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2020FDiodes Inc./ZetexТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2020FTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 100V 4A 1560mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 198 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2020FTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 100V 4A 1560mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.31 грн
6000+21.19 грн
9000+21.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2020FTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 100V 4A 1560mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
90+104.46 грн
100+101.62 грн
250+98.77 грн
500+92.50 грн
1000+83.10 грн
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2020FTADiodes INC.Транзистор NPN, Uceo, В = 100, Ic = 4 А, ft, МГц = 130, hFE = 100 @ 1 А, 2 В, Icutoff-max = 20 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,15 @ 400 мA, 4 А, Р, Вт = 1,2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
3000+65.71 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2020FTADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 4A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.2 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2020FTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 100V 4A 1560mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2020FTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 100V 4A 1560mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2020FTADiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT NPN 100V Transistor
на замовлення 24014 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2020FTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 100V 4A 1560mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+104.46 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.