Продукція > DS1
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DS1225Y-150 | DSLLAS | DIP-28 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1225Y-150 Код товару: 151014
Додати до обраних
Обраний товар
| Мікросхеми > Логіка | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| DS1225Y-150 | Analog Devices / Maxim Integrated | NVRAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1225Y-150 IND | DALLAS | DIP | на замовлення 1125 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| ds1225y-150+ Код товару: 27006
Додати до обраних
Обраний товар
| Мікросхеми > Пам'ять УКТЗЕД: 8542 32 45 00 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| DS1225Y-150+ | Analog Devices / Maxim Integrated | NVRAM 64K Nonvolatile SRAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1225Y-150+ | Maxim | MOD 28/C°/64K Nonvolatile SRAM DS1225 кількість в упаковці: 12 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1225Y-150+ | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 64Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Write Cycle Time - Word, Page: 150ns Memory Interface: Parallel Access Time: 150 ns Memory Organization: 8K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 36 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1225Y-150+ | MAXIM INTEGRATED / ANALOG DEVICES | Description: MAXIM INTEGRATED / ANALOG DEVICES - DS1225Y-150+ - NVRAM, SRAM, 64 Kbit, 8K x 8 Bit, 150 ns, DIP Bauform - Speicherbaustein: DIP Zugriffszeit: 150 Speicherkonfiguration NVRAM: 8K x 8 Bit IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: 0 Versorgungsspannung, min.: 4.5 Anzahl der Pins: 28 Speichergröße: 64 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 5.5 Betriebstemperatur, max.: 70 Speicher: SRAM SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (15-Jan-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1225Y-150IND | DALLAS | DIP-28 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1225Y-150IND Код товару: 176780
Додати до обраних
Обраний товар
| Мікросхеми > Пам'ять | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| DS1225Y-150IND Код товару: 15701
Додати до обраних
Обраний товар
| DS | Мікросхеми > Пам'ять | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1225Y-150IND | Analog Devices / Maxim Integrated | NVRAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1225Y-150IND+ | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 64Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Write Cycle Time - Word, Page: 150ns Memory Interface: Parallel Access Time: 150 ns Memory Organization: 8K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 36 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1225Y-150IND+ | Maxim Integrated | NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP Мікросхеми пам'яті | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1225Y-150IND+ | Analog Devices / Maxim Integrated | NVRAM 64K Nonvolatile SRAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1225Y-150IND+ | DALLAS | 2011+ | на замовлення 105 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1225Y-170 | DALLAS | DIP-28 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1225Y-170 | Analog Devices / Maxim Integrated | NVRAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1225Y-170 | Rochester Electronics, LLC | Description: DS1225 64K NONVOLATILE SRAM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1225Y-170+ | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP Packaging: Bulk Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Memory Size: 64Kbit Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Memory Interface: Parallel Memory Organization: 8K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DS1225Y-170+ | Analog Devices / Maxim Integrated | NVRAM 64K Nonvolatile SRAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1225Y-200 | Analog Devices / Maxim Integrated | NVRAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1225Y-200 | DALLAS | DIP-28 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1225Y-200+ | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 64Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Write Cycle Time - Word, Page: 200ns Memory Interface: Parallel Access Time: 200 ns Memory Organization: 8K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 36 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1225Y-200+ | Maxim | MOD 28/C°/64K Nonvolatile SRAM 200ns DS1225 кількість в упаковці: 12 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1225Y-200+ | Analog Devices / Maxim Integrated | NVRAM 64K Nonvolatile SRAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1225Y-200IND | Analog Devices / Maxim Integrated | NVRAM 64k Nonvolatile SRAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1225Y-200IND | DALLAS | DIP-28 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1225Y-200IND+ | Analog Devices / Maxim Integrated | NVRAM 64K Nonvolatile SRAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1225Y-200IND+ | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 64Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Write Cycle Time - Word, Page: 200ns Memory Interface: Parallel Access Time: 200 ns Memory Organization: 8K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 36 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1225Y-70 | DSLLAS | DIP-28 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1225Y-70IND | DSLLAS | DIP-28 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1225Y/Y-150/Y-200 | DALLAS | 09+ DIP | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1225Y120 | DALLAS | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| DS1225Y150 | DALLAS | на замовлення 600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| DS1225Y70 | DALLAS | на замовлення 700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| DS1227S | DALLAS | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| DS1228 | DALLAS | на замовлення 2295 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| DS1228S | DALLAS | 09+ SOP16 | на замовлення 1015 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1229 | DALLAS | 09+ SOP | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1229-C01 | DALLAS | DIP20 | на замовлення 80 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1229S | DALLAS | 09+ SOP20 | на замовлення 1037 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS122OY-100+ | dallas | 08/09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS122S | DALLAS | 07+ SOP | на замовлення 773 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230 | DAL | DIP | на замовлення 100000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230AB-100 | DALLAS | DIP-28 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230AB-100 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 32K x 8 Access Time: 100 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 100ns Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 28-EDIP Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 256Kbit Mounting Type: Through Hole Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230AB-100 | Analog Devices / Maxim Integrated | NVRAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230AB-100+ | Analog Devices, Inc. | NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230AB-100+ | Analog Devices / Maxim Integrated | NVRAM 256k Nonvolatile SRAM | на замовлення 75 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230AB-100+ | Analog Devices, Inc. | NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube | на замовлення 144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DS1230AB-100+ | ANALOG DEVICES | Description: ANALOG DEVICES - DS1230AB-100+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, 100 ns, EDIP tariffCode: 85423245 euEccn: NLR Bauform - Speicherbaustein: EDIP rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Zugriffszeit: 100ns Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 4.75V SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 28Pin(s) Speichergröße: 256Kbit Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 5.25V Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicher: SRAM | на замовлення 273 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230AB-100+ | Analog Devices, Inc. | NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230AB-100+ | Maxim | EMOD 28/C°/256K NONVOLATILE SRAM DS1230 кількість в упаковці: 12 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230AB-100+ | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 256Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 100ns Memory Interface: Parallel Access Time: 100 ns Memory Organization: 32K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 1901 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DS1230AB-100IND | DALLAS | DIP-28 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230AB-100IND+ | DALLAS | 09+ | на замовлення 384 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230AB-120 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 256Kbit Mounting Type: Through Hole Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Packaging: Tube DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 32K x 8 Access Time: 120 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 120ns Supplier Device Package: 28-EDIP Memory Format: NVSRAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230AB-120 | DALLAS | DIP-28 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230AB-120+ | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 32K x 8 Access Time: 120 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 120ns Part Status: Active Supplier Device Package: 28-EDIP Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 256Kbit Mounting Type: Through Hole Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Packaging: Tube | на замовлення 118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DS1230AB-120+ | ANALOG DEVICES | Description: ANALOG DEVICES - DS1230AB-120+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, 120 ns, EDIP tariffCode: 85423245 euEccn: NLR Bauform - Speicherbaustein: EDIP rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Zugriffszeit: 120ns Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 4.75V SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 28Pin(s) Speichergröße: 256Kbit Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 5.25V Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicher: SRAM | на замовлення 51 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230AB-120+ | Maxim | 256K Nonvolatile SRAM DS1230 кількість в упаковці: 12 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230AB-120+ | Analog Devices / Maxim Integrated | NVRAM 256k Nonvolatile SRAM | на замовлення 59 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230AB-120IND | Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230AB-120IND | DALLAS | DIP-28 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230AB-120IND+ | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 32K x 8 Access Time: 120 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 120ns Part Status: Active Supplier Device Package: 28-EDIP Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 256Kbit Mounting Type: Through Hole Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Packaging: Tube | на замовлення 72 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DS1230AB-120IND+ | Analog Devices / Maxim Integrated | NVRAM 256k Nonvolatile SRAM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230AB-120IND+ | Maxim | MOD/E/256K NONVOLATILE SRAM DS1230 кількість в упаковці: 12 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230AB-120IND+ | ANALOG DEVICES | Description: ANALOG DEVICES - DS1230AB-120IND+ - Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM), 256kB, 32Kx8Bit, 120ns Lesen/Schreiben, parallel, 4.75-5.25V, EDIP-28 tariffCode: 85423245 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: eDIP Speicherdichte: 256Kbit MSL: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.75V SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 28Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 5.25V Schnittstellen: Parallel Zugriffszeit für Schreiben: 120ns Zugriffszeit für Lesen: 120ns Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 32K x 8 Bit | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230AB-150 | DALLAS | DIP-28 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230AB-150 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 256Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Part Status: Obsolete Write Cycle Time - Word, Page: 150ns Memory Interface: Parallel Access Time: 150 ns Memory Organization: 32K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230AB-150 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 256Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Part Status: Obsolete Write Cycle Time - Word, Page: 150ns Memory Interface: Parallel Access Time: 150 ns Memory Organization: 32K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 287 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DS1230AB-150+ | Analog Devices / Maxim Integrated | NVRAM 256k Nonvolatile SRAM | на замовлення 69 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230AB-150+ | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 32K x 8 Access Time: 150 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 150ns Part Status: Active Supplier Device Package: 28-EDIP Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 256Kbit Mounting Type: Through Hole Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Packaging: Tube | на замовлення 73 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DS1230AB-150+ | Analog Devices, Inc. | NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DS1230AB-150+ | MAXIM INTEGRATED / ANALOG DEVICES | Description: MAXIM INTEGRATED / ANALOG DEVICES - DS1230AB-150+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, 150 ns, EDIP Bauform - Speicherbaustein: EDIP MSL: MSL 1 - unbegrenzt Zugriffszeit: 150 Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: 0 Versorgungsspannung, min.: 4.75 Anzahl der Pins: 28 Speichergröße: 256 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 5.25 Betriebstemperatur, max.: 70 Speicher: SRAM SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230AB-150+ | Analog Devices, Inc. | NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230AB-150+ | Maxim | RAM NV 256K-5% VTP-150NS DS1230 кількість в упаковці: 12 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230AB-150+ | Analog Devices, Inc. | NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230AB-150IND | DALLAS | DIP-28 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230AB-150IND+ | DALLAS | 09+ | на замовлення 384 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230AB-200 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 32K x 8 Access Time: 200 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 200ns Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 28-EDIP Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 256Kbit Mounting Type: Through Hole Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230AB-200 | DALLAS | DIP-28 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230AB-200 | Maxim Integrated | NVRAM 256k Nonvolatile SRAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230AB-200 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 256Kbit Mounting Type: Through Hole Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Packaging: Tube DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 32K x 8 Access Time: 200 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 200ns Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 28-EDIP Memory Format: NVSRAM | на замовлення 3633 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DS1230AB-200+ | Analog Devices, Inc. | NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DS1230AB-200+ | Maxim | 256k Nonvolatile SRAM DS1230 кількість в упаковці: 12 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230AB-200+ | Analog Devices / Maxim Integrated | NVRAM 256k Nonvolatile SRAM | на замовлення 33 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230AB-200+ | Analog Devices, Inc. | NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230AB-200+ | Analog Devices, Inc. | NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230AB-200+ | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 32K x 8 Access Time: 200 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 200ns Part Status: Active Supplier Device Package: 28-EDIP Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 256Kbit Mounting Type: Through Hole Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Packaging: Tube | на замовлення 229 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DS1230AB-200+ | MAXIM INTEGRATED / ANALOG DEVICES | Description: MAXIM INTEGRATED / ANALOG DEVICES - DS1230AB-200+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, 200 ns, EDIP Bauform - Speicherbaustein: EDIP MSL: MSL 1 - unbegrenzt Zugriffszeit: 200 Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: 0 Versorgungsspannung, min.: 4.75 Anzahl der Pins: 28 Speichergröße: 256 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 5.25 Betriebstemperatur, max.: 70 Speicher: SRAM SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (15-Jan-2018) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230AB-200IND | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 32K x 8 Access Time: 200 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 200ns Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 28-EDIP Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 256Kbit Mounting Type: Through Hole Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230AB-200IND | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 256Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Part Status: Obsolete Write Cycle Time - Word, Page: 200ns Memory Interface: Parallel Access Time: 200 ns Memory Organization: 32K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DS1230AB-200IND | DALLAS | DIP-28 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230AB-200IND+ | DALLAS | 09+ | на замовлення 384 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230AB-200IND+ | Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 256KBIT 200NS 28EDIP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230AB-200IND+ | Maxim Integrated | NVRAM 256k Nonvolatile SRAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230AB-70 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP Supplier Device Package: 28-EDIP Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 256Kbit Mounting Type: Through Hole Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Packaging: Tube DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 32K x 8 Access Time: 70 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 70ns | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

