Продукція > MMB
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MMBT4403M3T5G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MMBT4403M3T5G | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 0.6A SOT-723 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-723 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 265 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MMBT4403M3T5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMBT4403M3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 600 mA, 640 mW, SOT-723, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 640mW Bauform - Transistor: SOT-723 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MMBT4403M3T5G | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 0.6A SOT-723 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-723 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 265 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MMBT4403NL | FAIRCHILD | SOT-23 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MMBT4403Q | Yangjie Electronic Technology | PNP General Purpose Amplifier | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MMBT4403Q | Yangjie Technology | Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MMBT4403T-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 40V 0.6A SOT-523 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-523 Part Status: Discontinued at Digi-Key Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 150 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MMBT4403T-7 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMBT4403T-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - MMBT4403T-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 600 mA, 150 mW, SOT-523, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 150mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-523 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 1935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MMBT4403T-7-F | DIODES | SOT-423 | на замовлення 45000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MMBT4403T-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 150mW 3-Pin SOT-523 T/R | на замовлення 1027 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1027 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MMBT4403T-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - MMBT4403T-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 600 mA, 150 mW, SOT-523, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 150mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-523 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 1935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MMBT4403T-7-F | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 40V 0.6A SOT-523 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-523 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 150 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 8950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MMBT4403T-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 150mW 3-Pin SOT-523 T/R | на замовлення 1027 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MMBT4403T-7-F | DIODES INCORPORATED | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.6A; 150mW; SOT523 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.15W Case: SOT523 Current gain: 20...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Quantity in set/package: 3000pcs. | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MMBT4403T-7-F | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT -40V 150mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 16 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MMBT4403T-7-F | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 40V 0.6A SOT-523 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-523 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 150 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MMBT4403W | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMBT4403W-R1-00001 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS PNP SOT323 40V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MMBT4403WST1G | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMBT4403WT1 | onsemi | Description: TRANS SS GP PNP SS 40V SC70 Packaging: Bulk | на замовлення 10179 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MMBT4403WT1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMBT4403WT1 - MMBT4403WT1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 9000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MMBT4403WT1 | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 10179 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MMBT4403WT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 44705 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MMBT4403WT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MMBT4403WT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMBT4403WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 600 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 150mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SC-70 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MMBT4403WT1G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.15W Case: SC70; SOT323 Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MMBT4403WT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 0.6A SC70-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 150 mW | на замовлення 4846 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MMBT4403WT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 2430000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MMBT4403WT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MMBT4403WT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 0.6A SC70-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 150 mW | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MMBT4403WT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMBT4403WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 600 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 150mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SC-70 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 35 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MMBT4403WT1G | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMBT4403WT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 600mA 40V PNP | на замовлення 5167 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MMBT4403W_R1_00001 | Panjit International Inc. | Description: TRANS PNP 40V 0.6A SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 200 mW | на замовлення 2896 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MMBT4403W_R1_00001 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT PNPGENERALPURPOSESWITCHINGTRANSISTOR VCE-40V IC-600mA SOT-323 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 32 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MMBT4403W_R1_00001 | PanJit Semiconductor | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.6A; SOT323 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Case: SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MMBT4403W_R1_00001 | Panjit International Inc. | Description: TRANS PNP 40V 0.6A SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 200 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MMBT4403W_R1_10001 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT PNPGENERALPURPOSESWITCHINGTRANSISTOR VCE-40V IC-600mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MMBT4403W_R2_00001 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT PNPGENERALPURPOSESWITCHINGTRANSISTOR VCE-40V IC-600mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MMBT4403W_R2_10001 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT PNPGENERALPURPOSESWITCHINGTRANSISTOR VCE-40V IC-600mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MMBT4403_NL | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMBT4403_R1_00001 | Panjit International Inc. | Description: TRANS PNP 40V 0.6A SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 225 mW | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MMBT4403_R1_00001 | PanJit Semiconductor | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz | на замовлення 2037 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MMBT4403_R1_00001 | Panjit International Inc. | Description: TRANS PNP 40V 0.6A SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 225 mW | на замовлення 27354 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MMBT4403_R1_00001 | PanJit | Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 225mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2037 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1673 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MMBT4403_R1_00001 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT PNPGENERALPURPOSESWITCHINGTRANSISTOR VCE-40V IC-600mA SOT-23 | на замовлення 26968 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MMBT4403_R1_10001 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT PNPGENERALPURPOSESWITCHINGTRANSISTOR VCE-40V IC-600mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MMBT4403_R2_00001 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT PNPGENERALPURPOSESWITCHINGTRANSISTOR VCE-40V IC-600mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MMBT4403_R2_10001 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT PNPGENERALPURPOSESWITCHINGTRANSISTOR VCE-40V IC-600mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MMBT4404 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMBT4404LT1G | на замовлення 2000000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMBT4413SDW | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 40V; 0.6A Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.2W Case: SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of transistor: complementary pair | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MMBT4413SDW | Diotec Semiconductor | SOT-363, 60V, 600mA, NPN+PNP, 0.2W, 150C | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 22 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MMBT489 | onsemi | onsemi SS SOT23 GP XSTR NPN 50V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MMBT489LT1 | ON | 07+; | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MMBT489LT1 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 1A 50V NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MMBT489LT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 1A 50V NPN | на замовлення 3249 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MMBT489LT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 1A SOT23-3 Power - Max: 710 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MMBT489LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 44 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MMBT489LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMBT489LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 310 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 9030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MMBT489LT1G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 1A; 0.31/0.71W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Power dissipation: 0.31/0.71W Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Collector current: 1A Collector-emitter voltage: 30V Current gain: 300...900 Frequency: 100MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MMBT489LT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 1A SOT23-3 Power - Max: 710 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 16966 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MMBT489LT1G | ONN | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| MMBT489LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MMBT489LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMBT489LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 310 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MMBT489LT1H | onsemi | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MMBT491 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMBT495 | Good-Ark Semiconductor | Description: TRANSISTOR, NPN, 170V, 1A, SOT-2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 250mA, 10V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 250 mW | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MMBT495 | Good-Ark Semiconductor | Description: TRANSISTOR, NPN, 170V, 1A, SOT-2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 250mA, 10V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 250 mW | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MMBT5027L | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMBT5086 | HI-SINCERITY | на замовлення 330000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| MMBT5087 | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 0.1A SOT-23-3 Power - Max: 350 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-23-3 Frequency - Transition: 40MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 10nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MMBT5087 | SAMSANG | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| MMBT5087 | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT SOT-23 PNP GEN PUR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MMBT5087 | ONS/FAI | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MMBT5087 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMBT5087 - TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -50V, SOT-23-3 tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 154974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MMBT5087 | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 0.1A SOT-23-3 Power - Max: 350 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-23-3 Frequency - Transition: 40MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 10nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MMBT5087 | Shikues | Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 50mA 40MHz 300mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MMBT5087 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT SOT-23 PNP GEN PUR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MMBT5087(ZQ) | на замовлення 728 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMBT5087LT1 | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 142974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MMBT5087LT1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMBT5087LT1 - TRANS PNP 50V 0.05A SOT23 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 154974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MMBT5087LT1 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 50mA 50V PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MMBT5087LT1 | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MMBT5087LT1 | ON | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| MMBT5087LT1 | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 50MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MMBT5087LT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 0.05A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW | на замовлення 178646 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MMBT5087LT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 50mA 50V PNP | на замовлення 463 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MMBT5087LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MMBT5087LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MMBT5087LT1G Код товару: 175250
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| MMBT5087LT1G | On Semiconductor | Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 50mA 40MHz 300mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MMBT5087LT1G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.05A; 0.25W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 50mA Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 250...800 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 40MHz | на замовлення 459 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MMBT5087LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 144000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MMBT5087LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 61979 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MMBT5087LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 144000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MMBT5087LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMBT5087LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 50 V, 50 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 50mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 40MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 15375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MMBT5087LT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 0.05A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW | на замовлення 178533 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

