Продукція > MMB
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MMBT5087LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 144000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5087LT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 0.05A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW | на замовлення 178533 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5087LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 225000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5087LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5087LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 61979 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5087LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5087LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMBT5087LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 50 V, 50 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 50mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 40MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 15375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5087LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT5087LT1G/2O | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBT5087LT1H | onsemi | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT5087LT3 | ON | на замовлення 120000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| MMBT5087LT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 310000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5087LT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 38162 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5087LT3G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMBT5087LT3G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 738224 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5087LT3G | на замовлення 540000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBT5087LT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9297 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5087LT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 205000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5087LT3G | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 0.05A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW | на замовлення 92187 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5087LT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9047 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5087LT3G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 50mA 50V PNP | на замовлення 25451 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5087LT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 103224 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5087LT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 38162 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5087LT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5087LT3G | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 0.05A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5087LT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT5087LT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 120000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5087_Q | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT SOT-23 PNP GEN PUR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT5088 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 25V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT5088 | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 350 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT5088 | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT5088 | ON | 09+ | на замовлення 12641 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT5088 | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 350 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT5088(1Q) | на замовлення 2840 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBT5088(R12) | на замовлення 4838 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBT5088-NB10216 | onsemi | Description: SOT-232N5088MARKED1Q Packaging: Bulk Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 27373 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5088-NB10216 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMBT5088-NB10216 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 27373 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5088GSOT-23T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBT5088LT1 | ON | 07+; | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT5088LT1 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 50mA 35V NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT5088LT1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMBT5088LT1 - MMBT5088LT1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5088LT1 | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 50MA SOT23 Packaging: Bulk Part Status: Obsolete | на замовлення 87000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5088LT1 | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 50MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT5088LT1(1Q) | на замовлення 1160 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBT5088LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 21710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5088LT1G | на замовлення 180000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBT5088LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 21710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5088LT1G | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT5088LT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 0.05A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 300 mW | на замовлення 42129 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5088LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT5088LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 228000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5088LT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 50mA 35V NPN | на замовлення 23832 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5088LT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 0.05A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 300 mW | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5088LT1G | On Semiconductor | BJT 50mA 35V NPN Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT5088LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 228000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5088LT1G Код товару: 204241
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| MMBT5089 | onsemi | Description: TRANS NPN 25V 0.1A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 350 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT5089 | ONS/FAI | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT5089 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT5089 | onsemi | Description: TRANS NPN 25V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 350 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT5089 | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT5089(1R*) | на замовлення 12526 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBT5089-ON | onsemi | Description: TRANS NPN 25V 0.1A SOT23-3 Power - Max: 350 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 Frequency - Transition: 50MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 450 @ 1mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5990 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT5089/F40 | на замовлення 466 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBT5089GSOT-23T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBT5089LT1 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 50mA 30V NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT5089LT1 | onsemi | Description: TRANS NPN 25V 50MA SOT23 Power - Max: 225 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Frequency - Transition: 50MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 450 @ 1mA, 5V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT5089LT1 | ON | 07+; | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT5089LT1(1R*) | на замовлення 2890 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBT5089LT1G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 25V; 0.05A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Type of transistor: NPN Case: SOT23; TO236AB Collector current: 50mA Power dissipation: 0.225/0.3W Collector-emitter voltage: 25V Current gain: 400...1200 Frequency: 50MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT5089LT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 25V 0.05A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 300 mW | на замовлення 1235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5089LT1G | NPN 25V, 0.05A, general purpose transistor SOT-23-3 | на замовлення 2049 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| |||||||||||||||||||
| MMBT5089LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 25V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 639000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5089LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 25V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 44232 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5089LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 25V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 44232 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5089LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMBT5089LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 25 V, 50 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 50mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 40453 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5089LT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 25V 0.05A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 300 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT5089LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 25V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 387000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5089LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 25V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT5089LT1G Код товару: 191280
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| MMBT5089LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 25V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5089LT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 50mA 30V NPN | на замовлення 132462 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5089LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMBT5089LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 25 V, 50 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 50mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 40453 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5089LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 25V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT5089LT1H | onsemi | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT5128LT1G | на замовлення 180000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBT5130LT1G | на замовлення 180000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBT5133LT1G | на замовлення 180000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBT5134LT1G | на замовлення 180000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBT5135LT1G | на замовлення 180000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBT5136LT1G | на замовлення 180000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBT5137LT1G | на замовлення 180000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBT5179 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMBT5179 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 2 GHz, 225 mW, 50 mA, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 50mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 2GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 11447 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5179 | ON Semiconductor | Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 279000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5179 | onsemi | Description: RF TRANS NPN 12V 2GHZ SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Gain: 15dB Power - Max: 225mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V Frequency - Transition: 2GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 5dB @ 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active | на замовлення 81268 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5179 | ON Semiconductor | Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 279000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5179 | ONS/FAI | NPN, SOT-23 Транзистори | на замовлення 20 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5179 | ON Semiconductor | Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 36390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5179 | onsemi | RF Bipolar Transistors NPN RF Transistor | на замовлення 20861 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5179 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMBT5179 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 2 GHz, 225 mW, 50 mA, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 25hFE Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 225mW euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Bauform - HF-Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 12V Dauerkollektorstrom: 50mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 50mA Übergangsfrequenz: 2GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 11447 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5179 | ON Semiconductor | Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

