Продукція > MMB
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MMBT5401-G | Comchip Technology | Description: TRANS PNP 150V 0.6A SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 300 mW | на замовлення 6033 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5401-G | Comchip Technology | Description: TRANS PNP 150V 0.6A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 300 mW | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5401-G | Comchip Technology | Bipolar Transistors - BJT VCEO=-150V IC=-600mA | на замовлення 5573 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5401-G | Comchip Technology | Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5401-HF | Comchip Technology | Bipolar Transistors - BJT TRANS PNP 160V 0.6A 0.3W SOT-23 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 18 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT5401-HF | Comchip Technology | MMBT5401-HF | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT5401-HF | Comchip Technology | Description: TRANS PNP 160V 0.6A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 300 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT5401-ML | MOSLEADER | Description: 0.3W 5V 0.6A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5401-NL | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBT5401-R1-00001 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS PNP HV SOT23 150V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT5401-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PNP 150V 0.6A SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 300 mW | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5401-TP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT5401-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) | Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - MMBT5401-TP - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5401-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 0.6A; 300mW; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 150V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Current gain: 50...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape | на замовлення 79 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5401-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT 600mA 150V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT5401-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PNP 150V 0.6A SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 300 mW | на замовлення 15378 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5401-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) | Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - MMBT5401-TP - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: No Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5401. | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMBT5401. - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 240hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT5401. | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMBT5401. - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 240hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT5401/2L | N/A | 0715+ SOT-23 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT5401/5551 | on | 08+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT54012L | на замовлення 297000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBT5401DW1T1G | на замовлення 150000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBT5401G | ON | 09+ QFP | на замовлення 1440 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT5401G-B-AE3-R | UTC | 09+ SOT-23 | на замовлення 2950 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT5401GSOT-23T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBT5401H 2L | WEJ | Transistor NPN; 100; 300mW; 160V; 600mA; 300MHz SOT23; WEJ; Bipolar tranzistor MMBT5401H 2L WEJ TMMBT5401H 2L WEJ кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 14900 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5401HE3-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT PNP -160Vcb -150Vceo Vebo -5V 300mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT5401HE3-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS 150V 0.6A SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 300 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT5401HE3-TP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT5401HE3-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS 150V 0.6A SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 300 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT5401HE3-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 0.6A; 300mW; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 150V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Current gain: 50...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape | на замовлення 2786 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5401L | на замовлення 11900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBT5401LT1 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT5401LT1 | ON Semiconductor | Description: TRANS PNP 150V 0.5A SOT23 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT5401LT1 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 500mA 160V PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT5401LT1 2L | N/A | 06+ SOT-23 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT5401LT1(2L*) | на замовлення 11465 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBT5401LT1/2L | MOT | 05+ SOT-23 | на замовлення 3100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT5401LT1100-200 | на замовлення 210000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBT5401LT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 150V 0.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 300 mW | на замовлення 2300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT5401LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5401LT1G | ON-Semiconductor | PNP 500mA 150V 225mW 300MHz MMBT5401LT1G ONS TMMBT5401 ONS кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 2390 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5401LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMBT5401LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 150 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 55995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5401LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1671000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5401LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 75 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 75 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT5401LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 47184 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5401LT1G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 0.5A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: SOT23; TO236AB Polarisation: bipolar Type of transistor: PNP Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225/0.3W Current gain: 60...240 Collector-emitter voltage: 150V Frequency: 100...300MHz | на замовлення 7165 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5401LT1G | ON Semiconductor | Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,225, Uceo, В = 150, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 300, hFE = 60 @ 10 мA, 5 В, Icutoff-max = 50 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 5 мA, 50 мA, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT5401LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMBT5401LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 150 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 55995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5401LT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 150V 0.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 300 mW | на замовлення 2362 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5401LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 47184 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5401LT1G Код товару: 34131
Додати до обраних
Обраний товар
| ON | Транзистори > Біполярні PNP Корпус: SOT-23 fT: 300 MHz Uке, В: 150 V Uкб, В: 160 V Iк, А: 0,1 A h21,max: 240 | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||||||
| MMBT5401LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1671000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5401LT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT SS HV XSTR PNP 150V | на замовлення 76552 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5401LT1G | On Semiconductor | PNP, Uкэ=150V, Iк=0.6A, 0.35Вт, 100МГц, SOT-23 (SMD) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT5401LT3 | onsemi | Description: TRANS PNP 150V 0.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 300 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT5401LT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 5130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5401LT3G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 0.5A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 150V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 60...240 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100...300MHz | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT5401LT3G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMBT5401LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 38978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5401LT3G | onsemi | Description: TRANS PNP 150V 0.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 300 mW | на замовлення 31855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5401LT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5401LT3G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 500mA 160V PNP | на замовлення 24061 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5401LT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT5401LT3G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMBT5401LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 38978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5401LT3G | onsemi | Description: TRANS PNP 150V 0.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 300 mW | на замовлення 26000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5401LT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 5130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5401LTIG | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBT5401M3T5G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 150 V, 60 mA | на замовлення 6142 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5401M3T5G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 150V 0.06A 130mW 3-Pin SOT-723 T/R | на замовлення 56000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5401M3T5G | onsemi | Description: TRANS PNP 150V 0.06A SOT-723 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: SOT-723 Current - Collector (Ic) (Max): 60 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 130 mW | на замовлення 4426 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5401M3T5G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 0.06A; 0.25W; SOT723 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 150V Collector current: 60mA Power dissipation: 0.25W Case: SOT723 Current gain: 60...240 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT5401M3T5G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 150V 0.06A 130mW 3-Pin SOT-723 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT5401M3T5G | onsemi | Description: TRANS PNP 150V 0.06A SOT-723 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: SOT-723 Current - Collector (Ic) (Max): 60 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 130 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT5401Q | Yangjie Technology | Description: SOT-23 PNP 0.3W -0.6A -180V Tran Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5401Q | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 0.6A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz Application: automotive industry | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT5401Q | Yangjie Electronic Technology | PNP General Purpose Amplifier | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5401Q-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT5401Q-7-F | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 150V 0.6A SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 350 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 7479 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5401Q-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - MMBT5401Q-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2015 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5401Q-7-F | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT SS Hi Voltage Trans | на замовлення 1336 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5401Q-7-F | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 150V 0.6A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 350 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5401Q-7-F | DIODES INCORPORATED | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 0.6A; 350mW; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 150V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Current gain: 50...240 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100...300MHz Application: automotive industry Quantity in set/package: 3000pcs. | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT5401Q-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - MMBT5401Q-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2015 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5401RLT1 | LRC | SOT23 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT5401T | Microdiode Electronics (MDD) | MMBT5401T | на замовлення 444000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5401W | SHIKUES | Transistor PNP; 300; 200mW; 150V; 600mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MMST5401-7-F; MMST5401-TP; MMBT5401W SHIKUES TMMST5401 SHK кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5401WT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 400mW 3-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT5401WT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMBT5401WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 500 mA, 400 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5401WT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 400mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 1550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5401WT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT PNP HIGH VOLTAGE TRANSISTOR | на замовлення 6501 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5401WT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 400mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 1550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5401WT1G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 0.5A; 0.2W; SC70,SOT323 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 150V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.2W Case: SC70; SOT323 Current gain: 60...240 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT5401WT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 150V 0.5A SC70-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 400 mW | на замовлення 686 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT5401WT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMBT5401WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 500 mA, 400 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 70 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT5401WT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 400mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT5401WT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 150V 0.5A SC70-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 400 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT5401_NL | FSC | 00+ BGA | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT5401_R1_00001 | PanJit Semiconductor | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 0.5A; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 150V Collector current: 0.5A Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT5401_R1_00001 | Panjit International Inc. | Description: TRANS PNP 150V 0.6A SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 225 mW | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

