Продукція > SSM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 10 20 30 40 50 60 70 80 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 100 102  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SSM3K36FS,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 500MA SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36FS,LFToshibaMOSFET Small Signal MOSFET
на замовлення 21883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36FS,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.5A 3-Pin SSM T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36FS,LF
Код товару: 187939
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36FS,LF(BToshibaSSM3K36FS,LF(B
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36FS,LF(TTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 500mA; Idm: 1A; 150mW; SSM
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SSM
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 1.52Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36FS,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.5A 3-Pin SSM T/R
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+31.77 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36FS,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K36FS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.46 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36FS,LF(TToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36FS,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.5A 3-Pin SSM T/R
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36FS,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K36FS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.46 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36FSLF(TToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36MFV(TPL3)ToshibaMOSFET X34 Pb-F VESM S-MOW (LF) TRANSISTOR Pd=150mW F=<1MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36MFV,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.5A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 23625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1507+9.39 грн
1522+9.30 грн
1525+9.28 грн
2412+5.66 грн
3000+5.19 грн
6000+4.15 грн
15000+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 1507 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36MFV,L3FToshibaMOSFETs Small-signal FET 0.5A 20V 46pF 1.52
на замовлення 119277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36MFV,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.5A 3-Pin VESM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 500MA VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V
на замовлення 416000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.59 грн
16000+3.15 грн
24000+3.07 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36MFV,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.5A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 23625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+32.24 грн
34+22.31 грн
100+9.06 грн
250+8.30 грн
500+7.95 грн
1000+5.03 грн
3000+4.98 грн
6000+4.15 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 500MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V
на замовлення 432430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.30 грн
22+14.11 грн
100+8.82 грн
500+6.13 грн
1000+5.43 грн
2000+4.85 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36MFV,L3F(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.5A 3-Pin VESM
на замовлення 5804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1654+8.55 грн
1711+8.27 грн
2500+8.02 грн
5000+7.53 грн
Мінімальне замовлення: 1654 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36MFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K36MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.63 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.46ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.63ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36MFVL3F(TToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36MFVTL3T
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36TUToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 500MA UFM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 5V
Supplier Device Package: UFM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 500MA UFM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 5V
Supplier Device Package: UFM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36TU,LF(BToshibaSSM3K36TU,LF(B
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36TU,LF(BToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K376RToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K376R LXHFToshiba SOT23 N CHAN 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K376R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K376R,LFToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K376R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K376R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K376R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K376R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.056 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K376R,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K376R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K376R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.056 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K376R,LF(TTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K376R,LXGF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F Automotive AEC-Q101
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+35.39 грн
33+22.95 грн
41+18.81 грн
100+15.35 грн
500+12.54 грн
1000+10.57 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K376R,LXGF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F Automotive AEC-Q101
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
752+18.81 грн
889+15.92 грн
1008+14.04 грн
1147+11.89 грн
Мінімальне замовлення: 752 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K376R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: SMOS LOW RON NCH ID: 4A VDSS: 30
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 10815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.41 грн
14+22.87 грн
100+14.53 грн
500+10.25 грн
1000+9.16 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K376R,LXHFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K376R,LXHFToshibaN-Channel 30 V 4A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-23F Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K376R,LXHFToshibaMOSFETs SMOS Low RON Nch Id: 4A Vdss: 30V Pd:1W
на замовлення 4744 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K376R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: SMOS LOW RON NCH ID: 4A VDSS: 30
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.59 грн
6000+7.52 грн
9000+7.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K376R,LXHF(BToshiba SOT23 N CHAN 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K376R,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K376R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.056 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K376R,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K376R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.056 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K376RLF(TToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K376RLXHF(TToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K37CT,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 200MA CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.81 грн
28+10.87 грн
100+6.73 грн
500+4.64 грн
1000+4.09 грн
2000+3.63 грн
5000+3.08 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K37CT,L3FToshibaMOSFET Small-Signal MOSFET
на замовлення 8717 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K37CT,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 200MA CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K37CT,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin CST T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K37CT,L3F(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin CST
на замовлення 9670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1013+13.96 грн
1048+13.50 грн
2500+13.11 грн
5000+12.30 грн
Мінімальне замовлення: 1013 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K37CT,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K37CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 2.2 ohm, CST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
на замовлення 5475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K37CT,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K37CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 2.2 ohm, CST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
на замовлення 5475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K37CT,L3F(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin CST T/R
на замовлення 9850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1995+7.09 грн
2061+6.86 грн
2090+6.77 грн
2125+6.42 грн
Мінімальне замовлення: 1995 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K37CTL3F(TToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K37FSToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K37FS,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin SSM T/R
на замовлення 516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+18.73 грн
57+13.32 грн
58+13.20 грн
134+5.44 грн
250+4.98 грн
500+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K37FS,LFToshibaMOSFETs Small Low ON Resistane MOSFETs
на замовлення 45783 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K37FS,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 200MA SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V
на замовлення 62710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.46 грн
32+9.66 грн
50+6.87 грн
100+5.59 грн
500+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K37FS,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin SSM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K37FS,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin SSM T/R
на замовлення 516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 271 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K37FS,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 200MA SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.29 грн
9000+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K37FS,LF(BToshibaSSM3K37FS,LF(B
на замовлення 2427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1563 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K37FS,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K37FS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 1.65 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.65ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.65ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K37FS,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K37FS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 1.65 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.65ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K37MFV,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 28890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5301+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 5301 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K37MFV,L3FToshibaMOSFETs Small-signal FET 0.25A 20V 12pF
на замовлення 18737 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K37MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 250MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V
на замовлення 20147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.24 грн
31+9.96 грн
100+6.21 грн
500+4.27 грн
1000+3.76 грн
2000+3.34 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K37MFV,L3FTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.25A; 0.15W; SOT723; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.25A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT723
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 5.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 13096 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
28+16.26 грн
47+9.06 грн
100+5.30 грн
500+3.78 грн
1000+3.32 грн
2000+2.94 грн
5000+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K37MFV,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K37MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 250MA VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+2.96 грн
16000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K37MFV,L3FToshibaN-Channel 20 V 250mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VESM Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K37MFV,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 28830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3534+2.67 грн
15000+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 3534 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K37MFV,L3F(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1725 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K37MFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K37MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.65 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.65ohm
на замовлення 21760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K37MFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K37MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.65 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 150mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.65ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.65ohm
на замовлення 21760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K37MFV,L3F(T)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 13780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2919+4.85 грн
2936+4.82 грн
3417+4.14 грн
8000+3.54 грн
Мінімальне замовлення: 2919 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K37MFVL3F(TToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K388R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K388R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.087 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K389R,LFToshibaMOSFETs N-ch MOSFET, 60 V, 2 A, 82 m at 10 V, TSOP6F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K389R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K389R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.171 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K43FSToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K44FS,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.5 pF @ 3 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K44FS,LFToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=.1A VDSS=30V
на замовлення 7289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K44FS,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA SSM
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.5 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SSM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
на замовлення 28534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.95 грн
18+17.06 грн
100+9.03 грн
500+5.58 грн
1000+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K44FS,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K44FS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 4 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: p-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
на замовлення 246014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K44FS,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K44FS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 4 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: p-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
на замовлення 246014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K44MFV,L3FToshibaMOSFETs Sm-signal/Hi-Speed VESM (SOT-723)
на замовлення 14649 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K44MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA VESM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.5 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Supplier Device Package: VESM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 34766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.68 грн
32+9.43 грн
50+6.73 грн
100+5.49 грн
500+4.01 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K44MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA VESM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.5 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Supplier Device Package: VESM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+2.77 грн
24000+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K44MFV,L3F(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+18.91 грн
62+12.27 грн
75+10.06 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K44MFV,L3F(TToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K44MFV,L3F(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K44MFVL3F(TToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K48FU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA USM
на замовлення 14961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.57 грн
13+24.30 грн
100+12.90 грн
500+7.96 грн
1000+5.42 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K48FU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA USM
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.40 грн
6000+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 10 20 30 40 50 60 70 80 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 100 102  [ Наступна Сторінка >> ]