Продукція > SSM

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SSM3K35MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 180MA VESM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35MFV,L3FToshibaMOSFET Small-signal FET 0.18A 20V 20Ohm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35MFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K35MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 3 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 4860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35MFV,L3F(TTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.18A; 150mW; SOT723; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.18A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT723
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 20Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35MFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K35MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 3 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35MFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K35MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 3 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 4860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35MFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K35MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 3 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35MFV,L3XGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K35MFV,L3XGF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 3 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 5435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35MFV,L3XGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K35MFV,L3XGF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 3 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 5435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35MFVL3F(TToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35MFVL3XGF(TToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361RToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT-23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
на замовлення 6317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.02 грн
10+35.52 грн
50+26.04 грн
100+21.55 грн
500+16.47 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT-23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361R,LF(BToshibaMOSFETs Silicon N-channel MOS
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 371 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K361R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 1.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.2W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.051ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
на замовлення 5870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361R,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
337+42.15 грн
Мінімальне замовлення: 337 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K361R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.2W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
на замовлення 5870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361R,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361R,LF(TTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 1.2W; SOT23F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 92mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 14A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361R,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361R,LXGF(TToshibaSilicon N-channel MOS Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
613+23.13 грн
617+23.01 грн
755+18.80 грн
1000+16.97 грн
3000+14.74 грн
Мінімальне замовлення: 613 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361R,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K361R,LXGF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2.4W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
на замовлення 6099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361R,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K361R,LXGF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2.4W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
на замовлення 6099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361R,LXHFToshibaMOSFETs N Channel 100V 3.5A AECQ MOSFET
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361R,LXHFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A 3-Pin SOT-23F Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AECQ MOSFET NCH 100V 3.5A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.45 грн
10+42.93 грн
50+31.63 грн
100+26.28 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361R,LXHFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A 3-Pin SOT-23F Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AECQ MOSFET NCH 100V 3.5A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361R,LXHF(BToshibaSSM3K361R,LXHF(B
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 269 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361R,LXHF(BToshibaMOSFETs SOT23 100V 3.5A N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361R,LXHF(BToshibaSSM3K361R,LXHF(B
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 269 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361R,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K361R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
на замовлення 2857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361R,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K361R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.2W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
на замовлення 13621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361RLF(TToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361RLXGF(TToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 3.5A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.17 грн
6000+11.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361TU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A 3-Pin UFM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361TU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
726+19.53 грн
847+16.74 грн
852+16.65 грн
970+14.10 грн
1159+10.93 грн
Мінімальне замовлення: 726 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361TU,LFToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V
на замовлення 6401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 3.5A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
на замовлення 6402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.92 грн
10+33.43 грн
100+21.55 грн
500+15.43 грн
1000+13.88 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361TU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+21.12 грн
39+19.53 грн
100+16.14 грн
250+14.87 грн
500+12.53 грн
1000+10.49 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361TU,LF(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A 3-Pin UFM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
560+25.33 грн
581+24.42 грн
1000+23.62 грн
2500+22.10 грн
Мінімальне замовлення: 560 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361TU,LF(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A 3-Pin UFM
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361TU,LF(TToshibaSilicon N-channel MOS
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 174 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K361TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
на замовлення 2020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361TU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+42.54 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361TU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361TU,LXHFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin UFM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361TU,LXHFToshibaMOSFETs N Channel 100V 3.5A AECQ MOSFET
на замовлення 2373 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361TU,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AECQ MOSFET NCH 100V 3.5A SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361TU,LXHFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin UFM
на замовлення 2118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
571+24.86 грн
573+24.78 грн
647+21.91 грн
654+20.91 грн
692+18.30 грн
1000+16.41 грн
Мінімальне замовлення: 571 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361TU,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AECQ MOSFET NCH 100V 3.5A SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.12 грн
10+41.66 грн
100+27.13 грн
500+19.62 грн
1000+17.73 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361TU,LXHFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin UFM
на замовлення 2118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+26.02 грн
31+24.86 грн
50+23.89 грн
100+19.57 грн
250+18.59 грн
500+17.57 грн
1000+16.41 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361TU,LXHF(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A 3-Pin UFM
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
453+31.33 грн
472+30.07 грн
500+28.98 грн
1000+27.04 грн
Мінімальне замовлення: 453 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361TU,LXHF(BToshibaMOSFETs SOT346 100V 3.5A N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361TU,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K361TU,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
на замовлення 2928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361TU,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K361TU,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
на замовлення 2928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36FSTOS
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36FSToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36FS(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSF N CHANNEL 20V500MA SSM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36FS(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSF N CHANNEL 20V500MA SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36FS(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSF N CHANNEL 20V500MA SSM
на замовлення 2264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36FS,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.5A 3-Pin SSM T/R
на замовлення 4410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2930+4.84 грн
2953+4.80 грн
3025+4.69 грн
3055+4.47 грн
Мінімальне замовлення: 2930 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36FS,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 500MA SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.64 грн
9000+2.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36FS,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.5A 3-Pin SSM T/R
на замовлення 4410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+18.34 грн
65+11.68 грн
157+4.67 грн
250+4.29 грн
500+4.02 грн
1000+3.98 грн
3000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36FS,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.5A 3-Pin SSM T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36FS,LF
Код товару: 187939
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36FS,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 500MA SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V
на замовлення 34516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+17.86 грн
29+10.47 грн
50+7.51 грн
100+6.12 грн
500+4.49 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36FS,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.5A 3-Pin SSM T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36FS,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET
на замовлення 16172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36FS,LF(BToshibaSSM3K36FS,LF(B
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36FS,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.5A 3-Pin SSM T/R
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36FS,LF(TTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 500mA; Idm: 1A; 150mW; SSM
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.15W
Case: SSM
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 1.52Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36FS,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.5A 3-Pin SSM T/R
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36FS,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K36FS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.46 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36FS,LF(TToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36FS,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.5A 3-Pin SSM T/R
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+31.31 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36FS,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K36FS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.46 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36FSLF(TToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36MFV(TPL3)ToshibaMOSFET X34 Pb-F VESM S-MOW (LF) TRANSISTOR Pd=150mW F=<1MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36MFV,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.5A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 23625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1507+9.41 грн
1522+9.32 грн
1525+9.30 грн
2412+5.67 грн
3000+5.20 грн
6000+4.16 грн
15000+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 1507 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36MFV,L3FToshibaMOSFETs Small-signal FET 0.5A 20V 46pF 1.52
на замовлення 48773 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 500MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V
на замовлення 212084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.63 грн
20+15.03 грн
50+10.81 грн
100+8.85 грн
500+6.57 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36MFV,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.5A 3-Pin VESM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 500MA VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.69 грн
24000+3.92 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36MFV,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.5A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 23625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+32.31 грн
34+22.36 грн
100+9.08 грн
250+8.32 грн
500+7.97 грн
1000+5.04 грн
3000+4.99 грн
6000+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36MFV,L3F(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.5A 3-Pin VESM
на замовлення 5804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1654+8.57 грн
1711+8.29 грн
2500+8.04 грн
5000+7.55 грн
Мінімальне замовлення: 1654 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36MFV,L3F(BTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 500mA
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 0.5A
Mounting: SMD
Gate charge: 1.23nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5104 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
842+6.11 грн
1000+5.14 грн
4000+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 842 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36MFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K36MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.63 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.46ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.63ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36MFVL3F(TToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36MFVTL3T
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36TUToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 500MA UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.08 грн
22+14.13 грн
50+10.19 грн
100+8.33 грн
500+6.17 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36TU,LFToshibaMOSFETs Sm-signal/Hi-Speed UFM (SOT-323F)
на замовлення 87320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 500MA UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.06 грн
9000+4.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36TU,LF(BToshibaSSM3K36TU,LF(B
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36TU,LF(BToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.