Продукція > SSM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 10 20 30 40 50 60 70 80 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 100 101  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SSM3K43FSToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K44FS,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.5 pF @ 3 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K44FS,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA SSM
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.5 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SSM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
на замовлення 28534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.95 грн
18+17.06 грн
100+9.03 грн
500+5.58 грн
1000+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K44FS,LFToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=.1A VDSS=30V
на замовлення 7289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K44FS,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K44FS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 4 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: p-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
на замовлення 246014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.75 грн
136+6.02 грн
500+3.77 грн
1000+3.09 грн
5000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K44FS,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K44FS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 4 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: p-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
на замовлення 246014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+13.98 грн
84+9.75 грн
136+6.02 грн
500+3.77 грн
1000+3.09 грн
5000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K44MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA VESM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.5 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Supplier Device Package: VESM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K44MFV,L3FToshibaMOSFETs Sm-signal/Hi-Speed VESM (SOT-723)
на замовлення 14649 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K44MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA VESM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.5 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Supplier Device Package: VESM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 16796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.89 грн
35+8.76 грн
100+5.42 грн
500+3.71 грн
1000+3.27 грн
2000+2.89 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K44MFV,L3F(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 5440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3240+4.37 грн
3349+4.22 грн
3402+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 3240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K44MFVL3F(TToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K48FU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA USM
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.40 грн
6000+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K48FU,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET N-ch VDSS=30V, VGSS=+/-20V, ID=0.1A, RDS(ON)=3.2Ohm at 4.0V, in USM package
на замовлення 8078 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K48FU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA USM
на замовлення 14961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.57 грн
13+24.30 грн
100+12.90 грн
500+7.96 грн
1000+5.42 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K56ACTToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K56ACT,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 1.4A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 10 V
на замовлення 46468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.87 грн
20+15.25 грн
100+9.59 грн
500+6.69 грн
1000+5.94 грн
2000+5.31 грн
5000+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K56ACT,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 1.4A CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 10 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.52 грн
20000+3.98 грн
30000+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K56ACT,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin CST T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K56ACT,L3FToshibaMOSFETs Small-signal MOSFET ID: 1.4A, VDSS: 20V
на замовлення 29944 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K56ACT,L3F : SSM3K56ACT,L3FToshibaMOSFET N-CH 20V 1.4A CST3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K56CT,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 800MA CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 10 V
на замовлення 2472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.65 грн
19+15.93 грн
100+9.99 грн
500+6.97 грн
1000+6.19 грн
2000+5.54 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K56CT,L3FToshibaMOSFETs Small Low ON Resistane MOSFETs
на замовлення 2060 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K56CT,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 800MA CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K56CT,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K56CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.235 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235ohm
на замовлення 298790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+26.66 грн
50+16.34 грн
100+10.24 грн
500+6.54 грн
1000+4.77 грн
5000+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K56FSToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K56FS,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.8A 3-Pin SSM T/R
на замовлення 2528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1178+12.01 грн
1190+11.89 грн
1437+9.84 грн
2090+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 1178 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K56FS,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.8A 3-Pin SSM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K56FS,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 800MA SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 10 V
на замовлення 4056949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.51 грн
23+13.59 грн
100+8.51 грн
500+5.91 грн
1000+5.24 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K56FS,LFToshibaMOSFETs N-Ch U-MOSVI FET ID 0.8A 20VDSS 55pF
на замовлення 100618 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K56FS,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.8A 3-Pin SSM T/R
на замовлення 2528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+30.66 грн
33+22.89 грн
34+22.75 грн
100+11.58 грн
250+10.62 грн
500+8.44 грн
1000+5.80 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K56FS,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 800MA SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 10 V
на замовлення 4056000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.84 грн
6000+4.20 грн
9000+3.97 грн
15000+3.47 грн
21000+3.33 грн
30000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K56FS,LF(BToshibaSSM3K56FS,LF(B
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K56FS,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K56FS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.186 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.186ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+20.24 грн
65+12.52 грн
162+5.04 грн
500+3.92 грн
1000+2.86 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K56FS,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K56FS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.186 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.186ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.186ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.92 грн
1000+2.86 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K56FS,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.8A 3-Pin SSM T/R
на замовлення 1705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
957+14.78 грн
Мінімальне замовлення: 957 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K56FSLF(TToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K56MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 800MA VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 10 V
на замовлення 88000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.90 грн
16000+4.30 грн
24000+4.09 грн
40000+3.62 грн
56000+3.49 грн
80000+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K56MFV,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.8A 3-Pin VESM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K56MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 800MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 10 V
на замовлення 89800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.65 грн
20+15.62 грн
100+9.81 грн
500+6.84 грн
1000+6.08 грн
2000+5.43 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K56MFV,L3FToshibaMOSFETs Small-signal FET 0.8A 20V 0.84ohm
на замовлення 69237 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K56MFV,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.8A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 1518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+37.13 грн
31+24.87 грн
100+10.48 грн
250+9.61 грн
500+9.12 грн
1000+7.00 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K56MFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K56MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.235 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235ohm
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+25.85 грн
52+15.93 грн
250+10.00 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K59CTB,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 2A CST3B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 215mOhm @ 1A, 8V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.2 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K59CTB,L3FToshibaMOSFET Small-signal MOSFET ID: 2A, VDSS: 40V
на замовлення 16480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K59CTB,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 2A CST3B
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 215mOhm @ 1A, 8V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.2 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K62TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 800MA UFM
на замовлення 7416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.35 грн
13+24.38 грн
100+16.61 грн
500+11.69 грн
1000+8.77 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K62TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 800MA UFM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K62TU,LFToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=.8A VDSS=20V
на замовлення 5699 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K62TU,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: SMOS LOW RON NCH VDSS:20V ID:0.8
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 177 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: UFM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 800mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.92 грн
14+21.81 грн
100+13.86 грн
500+9.78 грн
1000+8.71 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K62TU,LXHFToshibaMOSFET SMOS Low RON Nch Vds s:20V ID:0.8A SOT-2
на замовлення 5809 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K62TU,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: SMOS LOW RON NCH VDSS:20V ID:0.8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 177 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K62TU,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K62TU,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.057 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.47 грн
500+9.21 грн
1000+7.59 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K62TU,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K62TU,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.057 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+32.35 грн
36+22.60 грн
100+14.47 грн
500+9.21 грн
1000+7.59 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002AF(T5LFTToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002BF(T5L,F)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6480+5.46 грн
10000+4.87 грн
Мінімальне замовлення: 6480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002BF(T5LF)ToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002BF,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin S-Mini T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002BF,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA SC59
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002BF,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA SC59
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002BFSToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002BFSLF(TToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002BFU
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002BFUToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002BFU(T5L,FToshibaMOSFET Discrete Semiconductor Products MOSFETs, GaNFETs - Single - MOSFET N-CH 60V .2A USM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002BFU(T5L,FToshibaN-Channel, SOT-323 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002BFU,LFToshibaMOSFET SS FET N-Ch 0.2A 60V 20V 17pF
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002BFU,LF(TToshibaMOSFET N-Ch FET U-MOSIV 60V 200mA 17pF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002BS,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA S-MINI
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: S-Mini
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002BS,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA S-MINI
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: S-Mini
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002BS,LF(DToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 0.2A S-MINI
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002BS,LF(DToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin SOT-23
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5377+6.58 грн
Мінімальне замовлення: 5377 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002BS,LF(DToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 0.2A S-MINI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002BS,LF(DToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin SOT-23
на замовлення 738000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5377+6.58 грн
Мінімальне замовлення: 5377 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002BS,LF(DToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 0.2A S-MINI
на замовлення 2718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002BSU
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002BSU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA USM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 250µA
Supplier Device Package: USM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002CFU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 170MA USM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: USM
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9Ohm @ 100mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 72386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.19 грн
53+5.74 грн
122+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002CFU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.17A 3-Pin USM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002CFU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 170MA USM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: USM
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9Ohm @ 100mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.55 грн
6000+1.31 грн
9000+1.14 грн
15000+1.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002CFU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.17A 3-Pin USM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002CFU,LFToshibaMOSFETs Small-Signal MOSFET
на замовлення 22568 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002CFU,LF(BToshibaSSM3K7002CFU,LF(B
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002CFU,LF(BToshibaSSM3K7002CFU,LF(B
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1471 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002CFU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K7002CFU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 170 mA, 3.9 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.9ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 39264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+11.22 грн
120+6.78 грн
194+4.19 грн
500+2.79 грн
1500+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002CFU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.17A 3-Pin USM T/R
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002CFU,LF(TToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002CFU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K7002CFU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 170 mA, 3.9 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.9ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 39264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.22 грн
120+6.78 грн
194+4.19 грн
500+2.79 грн
1500+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002CFULF(TToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002FTOSHIBASOT23
на замовлення 165000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002FToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002F
Код товару: 161892
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002F (T5L,F,T)ToshibaТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002F(T5LFT?TOSHIBA
на замовлення 165000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002F(TE85L,F)TOSHIBASOT23
на замовлення 975 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002FT5L,F.T
на замовлення 207000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002FUTOSHIBASOT323
на замовлення 387000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002FU T5LF.TTOSHIBASOT323
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002FU(T5L,F)TOSHIBASOT23
на замовлення 302 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002FUT5LFToshibaMOSFET Small-signal MOSFET 60V, 150mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002FUT5LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 0.2A USM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 10 20 30 40 50 60 70 80 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 100 101  [ Наступна Сторінка >> ]